存储模块、操作其的方法以及操作控制其的主机的方法

    公开(公告)号:CN111090387A

    公开(公告)日:2020-05-01

    申请号:CN201910952640.5

    申请日:2019-10-09

    IPC分类号: G06F3/06

    摘要: 提供了存储模块、操作其的方法以及操作控制其的主机的方法。所述存储模块包括动态随机存取存储器(DRAM)装置、非易失性存储器装置和高速缓冲存储器。操作所述存储模块的方法包括:响应于外部设备进入页面故障模式,将存储在所述非易失性存储器装置中的目标数据复制到所述高速缓冲存储器;从所述外部设备接收第一刷新命令;以及响应于所述第一刷新命令,在第一刷新参考时间内执行与所述DRAM装置相关联的第一刷新操作,并且将复制到所述高速缓冲存储器的所述目标数据移动到所述DRAM装置。

    存储器系统、存储器模块以及操作存储器模块的方法

    公开(公告)号:CN110308869A

    公开(公告)日:2019-10-08

    申请号:CN201910231779.0

    申请日:2019-03-26

    IPC分类号: G06F3/06

    摘要: 公开一种存储器系统、存储器模块以及操作存储器模块的方法。所述存储器系统包括:非易失性存储器模块;第一控制器,被配置为控制非易失性存储器模块。非易失性存储器模块包括:易失性存储器装置;非易失性存储器装置;第二控制器,被配置为控制易失性存储器装置和非易失性存储器装置。第一控制器可被配置为将读取请求发送到第二控制器。当在根据所述读取请求的读取操作期间从非易失性存储器装置没有接收到正常数据时,第一控制器可对第二控制器执行所述读取请求的一次或多次重新发送,而不限制第一控制器执行所述读取请求的一次或多次重新发送的次数。

    存储模块、操作其的方法以及操作控制其的主机的方法

    公开(公告)号:CN111090387B

    公开(公告)日:2023-07-28

    申请号:CN201910952640.5

    申请日:2019-10-09

    IPC分类号: G06F3/06

    摘要: 提供了存储模块、操作其的方法以及操作控制其的主机的方法。所述存储模块包括动态随机存取存储器(DRAM)装置、非易失性存储器装置和高速缓冲存储器。操作所述存储模块的方法包括:响应于外部设备进入页面故障模式,将存储在所述非易失性存储器装置中的目标数据复制到所述高速缓冲存储器;从所述外部设备接收第一刷新命令;以及响应于所述第一刷新命令,在第一刷新参考时间内执行与所述DRAM装置相关联的第一刷新操作,并且将复制到所述高速缓冲存储器的所述目标数据移动到所述DRAM装置。

    存储器模块和包括存储器模块的存储器系统

    公开(公告)号:CN110347331B

    公开(公告)日:2023-06-13

    申请号:CN201910164370.1

    申请日:2019-03-05

    IPC分类号: G06F3/06

    摘要: 公开了一种存储器模块和包括存储器模块的存储器系统。所述存储器模块包括:第一类型存储器、第二类型存储器、串行存在检测装置和控制器。串行存在检测装置被配置为:在初始化操作期间将第二类型存储器的容量信息传送到外部主机装置。控制器被配置为:在时间上跟随初始化操作的训练操作期间,将从外部主机装置接收的针对第二类型存储器的训练命令传送到第一类型存储器。

    存储器模块和存储器系统

    公开(公告)号:CN111258842B

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN201910846662.3

    申请日:2019-09-09

    IPC分类号: G06F11/30

    摘要: 公开存储器模块和存储器系统。一种存储器系统包括:存储器装置,其中具有多个易失性存储器模块;以及存储器控制器,电结合到所述多个易失性存储器模块。存储器控制器被配置为:响应于由所述多个易失性存储器模块中的第一易失性存储器模块生成报警信号,校正所述多个易失性存储器模块中的第一易失性存储器模块中的错误,并且在生成报警信号时并发地进行刷新所述多个易失性存储器模块中的第二易失性存储器模块的至少一部分的操作。

    半导体存储器模块和存储器系统

    公开(公告)号:CN110349611B

    公开(公告)日:2024-01-09

    申请号:CN201910266363.2

    申请日:2019-04-03

    IPC分类号: G11C11/409 G11C11/4078

    摘要: 提供一种半导体存储器模块和存储器系统。所述存储器系统包括:第一半导体存储器模块和处理器。处理器被配置为以页为单位访问第一半导体存储器模块,还被配置为:通过调整与对应于访问目标的虚拟地址相关联的页的数量并分配第一半导体存储器模块中的与调整的页的数量对应的页,来对与所述虚拟地址相关联的特定页中的页故障的发生进行响应。