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公开(公告)号：CN115878367A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211115689.3
申请日：2022-09-14
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 提供了一种存储器模块的操作方法和存储器控制器的操作方法，所述存储器控制器被配置为：控制包括多个存储器装置和至少一个纠错码(ECC)装置的存储器模块。所述存储器控制器的操作方法包括：基于读取命令和第一地址，读取包括存储在所述多个存储器装置中的用户数据和存储在所述至少一个ECC装置中的ECC数据的数据集；以及当用户数据的错误未基于ECC数据被纠正时，将不可纠正数据写入存储区域中，存储区域被包括在所述多个存储器装置和所述至少一个ECC装置中的每个中并且与第一地址对应。
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公开(公告)号：CN115346566A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210030774.3
申请日：2022-01-12
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 本申请涉及主机、存储器模块及存储器装置的操作方法。一种具有多个存储器单元的存储器装置的操作方法，包括在命令/地址输入间隔期间接收包括部分写入使能信号(PWE)和多个掩码信号的部分写入命令。在接收到部分写入命令后，通过数据选通线接收数据选通信号。在数据输入间隔期间通过多个数据线与数据选通信号同步地接收数据。在数据写入间隔期间，响应于部分写入使能信号，基于多个掩码信号将数据的一部分储存在多个存储器单元中。
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公开(公告)号：CN111258842A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201910846662.3
申请日：2019-09-09
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G06F11/30
摘要： 公开存储器模块和存储器系统。一种存储器系统包括：存储器装置，其中具有多个易失性存储器模块；以及存储器控制器，电结合到所述多个易失性存储器模块。存储器控制器被配置为：响应于由所述多个易失性存储器模块中的第一易失性存储器模块生成报警信号，校正所述多个易失性存储器模块中的第一易失性存储器模块中的错误，并且在生成报警信号时并发地进行刷新所述多个易失性存储器模块中的第二易失性存储器模块的至少一部分的操作。
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公开(公告)号：CN111258842B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201910846662.3
申请日：2019-09-09
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G06F11/30
摘要： 公开存储器模块和存储器系统。一种存储器系统包括：存储器装置，其中具有多个易失性存储器模块；以及存储器控制器，电结合到所述多个易失性存储器模块。存储器控制器被配置为：响应于由所述多个易失性存储器模块中的第一易失性存储器模块生成报警信号，校正所述多个易失性存储器模块中的第一易失性存储器模块中的错误，并且在生成报警信号时并发地进行刷新所述多个易失性存储器模块中的第二易失性存储器模块的至少一部分的操作。
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公开(公告)号：CN110349611B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN201910266363.2
申请日：2019-04-03
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11C11/409 , G11C11/4078
摘要： 提供一种半导体存储器模块和存储器系统。所述存储器系统包括：第一半导体存储器模块和处理器。处理器被配置为以页为单位访问第一半导体存储器模块，还被配置为：通过调整与对应于访问目标的虚拟地址相关联的页的数量并分配第一半导体存储器模块中的与调整的页的数量对应的页，来对与所述虚拟地址相关联的特定页中的页故障的发生进行响应。
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公开(公告)号：CN110347611B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201910193535.8
申请日：2019-03-14
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 公开了一种存储器系统和存储器系统的操作方法。所述存储器系统包括：处理器，包括多个核和存储器控制器；第一半导体存储器模块，与存储器控制器通信。所述多个核响应于在存储器控制器从第一半导体存储器模块读取第一数据时检测到第一错误，接收用于执行第一异常处理的调用。所述多个核的第一主核执行第一异常处理，并且所述多个核的剩余核返回至先前执行的剩余操作。
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公开(公告)号：CN113760598A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110609330.0
申请日：2021-06-01
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 提供了一种存储器模块及操作方法。所述存储器模块包括：存储器装置，被配置为：从主机接收第一刷新命令，并且在刷新时间期间响应于第一刷新命令而执行刷新操作；以及计算单元，被配置为：检测从主机提供给存储器装置的第一刷新命令，并且在刷新时间期间将第一错误图案写入存储器装置的第一地址处。
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公开(公告)号：CN110751966A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201910548866.9
申请日：2019-06-24
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 提供了对地址进行加扰的存储器装置。根据示例性实施例，所述存储器装置可包括：存储器单元阵列，包括连接到根据行地址的依次变化而按先后顺序布置的多条字线的多个存储器单元；行解码器，针对输入到行解码器的每个行地址，根据选择信号对行地址的第一位和行地址的第二位进行加扰，从而形成加扰行地址，对加扰行地址进行解码，并且基于加扰行地址从所述多条字线选择字线；以及反熔丝阵列，包括反熔丝，其中，选择信号的逻辑值被编程到所述反熔丝。所述多条字线的第一字线和第二字线可彼此相邻，并且与第一字线对应的行地址的第一值和与第二字线对应的行地址的第二值之间的差可以是与第一位对应的值。
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公开(公告)号：CN110349611A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910266363.2
申请日：2019-04-03
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11C11/409 , G11C11/4078
摘要： 提供一种半导体存储器模块和存储器系统。所述存储器系统包括：第一半导体存储器模块和处理器。处理器被配置为以页为单位访问第一半导体存储器模块，还被配置为：通过调整与对应于访问目标的虚拟地址相关联的页的数量并分配第一半导体存储器模块中的与调整的页的数量对应的页，来对与所述虚拟地址相关联的特定页中的页故障的发生进行响应。
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