公开(公告)号：CN116401185A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202211725365.1

申请日：2022-12-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金灿河 ,  李汉奎 ,  南庚旻 ,  张昇龙

IPC分类号： G06F13/16 ,  G06F13/18

摘要： 提供一种存储控制器和存储装置。所述存储控制器包括：处理器，被配置为执行多个任务；以及调度模块，被配置为通过强化学习调度所述多个任务，并且将调度结果提供给处理器，其中，调度模块包括：资源分析模块，被配置为分析资源的使用历史和使用状态；访问模式分析模块，被配置为分析访问模式；队列分析模块，被配置为分析包括在队列中的信息；以及性能分析模块，被配置为分析任务执行结果，其中，调度模块还被配置为使用状态信息和奖励信息执行强化学习，并且其中，状态信息和奖励信息基于执行所述多个任务的执行而被确定。

公开(公告)号：CN116027971A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211320092.2

申请日：2022-10-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金灿河 ,  南庚旻 ,  张昇龙

IPC分类号： G06F3/06

摘要： 提供存储设备及其操作方法。该存储设备，包括：存储器件，其包括具有最低位密度的第一存储区域、具有中等位密度的第二存储区域和具有最高位密度的第三存储区域；以及控制器，被配置为控制该存储器件。该控制器被配置为将来自主机的数据确定为热数据、暖数据和冷数据中的任一者，被配置为将该热数据存储在该第一存储区域中，被配置为将该暖数据存储在该第二存储区域中，被配置为将该冷数据存储在该第三存储区域中，被配置为在包括在该第一存储区域中的第一存储块中选择源块，被配置为选择该第二存储区域和该第三存储区域中的每一者中的目标块，并且被配置为根据存储在该源块中的每项单位数据的热度将该每项单位数据迁移到该目标块中的一个目标块。

公开(公告)号：CN112420109A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010748789.4

申请日：2020-07-30

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李允宑 ,  金灿河 ,  卢羌镐 ,  李熙元

IPC分类号： G11C16/26

摘要： 一种非易失性存储器设备包括：存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括多个单元串，单元串中的至少一个包括在与基板的表面垂直的方向上堆叠的多个存储器单元，存储器单元中的至少一个是存储至少三个比特的多层级单元；以及控制逻辑电路，被配置为控制页缓冲器以利用一个读取电压来读取存储器单元的快速读取页以及存储器单元的至少两个正常读取页利用相同数量的读取电压来读取。

公开(公告)号：CN118155671A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202311655759.9

申请日：2023-12-05

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金灿河 ,  姜南旭 ,  任秀埈

IPC分类号： G11C5/02 ,  G11C5/06 ,  G11C16/06

摘要： 一种存储装置包括非易失性存储器和存储控制器。非易失性存储器包括经由多个裸片彼此耦接的多个物理块。多个裸片中的每个裸片经由对应通道耦接到对应存储体。存储控制器被配置为从多个主机接收多条物理功能(PF)数据。存储控制器还被配置为测量多条PF数据和多个裸片的度量。存储控制器还被配置为根据裸片分配策略并且至少基于测量的度量将多条PF数据分配给多个裸片中的一个或多个裸片。多个裸片中的每个裸片被分配给多个主机中的对应主机。

公开(公告)号：CN111009280B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN201910832232.6

申请日：2019-09-04

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李觥祐 ,  金灿河 ,  李允井 ,  金志守 ,  卢承京 ,  李镇旭 ,  李熙元

IPC分类号： G11C29/12

摘要： 一种存储装置包括：非易失性存储器装置，其包括多个存储器块，每个存储器块包括连接到多条字线的多个存储器单元；以及控制器，其被配置为基于外部主机装置的请求对包括在所选存储器块中的连接到所选字线的存储器单元执行第一读取操作。控制器还被配置为在执行第一读取操作之后执行检查所选存储器块的存储器单元的可靠性的检查读取操作。在检查读取操作中，控制器还被配置为选择并执行实际检查和基于机器学习的检查中的一个。

公开(公告)号：CN116028382A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211327688.5

申请日：2022-10-27

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 南庚旻 ,  金灿河 ,  张昇龙

IPC分类号： G06F12/02 ,  G06F12/0882 ,  G06F3/06

摘要： 本申请公开了控制器、存储设备和操作存储设备的方法。一种操作存储设备的方法，该存储设备包括具有最低位密度的第一存储区域、具有中等位密度的第二存储区域和具有最高位密度的第三存储区域，该方法包括：确定与写入命令和要写入的数据一起从主机接收的逻辑地址的热度；基于所确定的热度大于第一热度阈值，确定该第一存储区域的损耗程度是否大于损耗阈值；以及基于该第一存储区域的损耗程度大于该损耗阈值，增大该第一热度阈值并将该数据存储在该第二存储区域中。

公开(公告)号：CN118151840A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202311484276.7

申请日：2023-11-09

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金灿河 ,  姜南旭 ,  朴荣祚 ,  韩光民

IPC分类号： G06F3/06 ,  G11C16/16

摘要： 公开了一种存储装置、一种存储器控制器的操作方法和一种日志数据管理方法。该存储装置包括：日志缓冲器，其被配置为存储多个日志数据段，日志缓冲器包括多个分块池和日志数据区，其中，多个日志数据段中的每一个包括对应于分块地址的第一数据项和对应于行地址的第二数据项；以及存储器控制器，其被配置为控制日志缓冲器以在多个分块池中的至少一个中临时存储多个日志数据段中的第一数据项彼此相等的第一日志数据段，并且基于对应于第一日志数据段的第二数据项之间的比较结果来重新排列第一日志数据段。

公开(公告)号：CN108108810B

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN201711191140.1

申请日：2017-11-24

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金灿河 ,  吴玄教 ,  金玉河 ,  卢承京 ,  白种南 ,  李东起 ,  李镇旭 ,  李熙元

IPC分类号： G06N3/063 ,  G06F12/02 ,  G11C16/34

摘要： 存储装置包括非易失性存储器件、缓冲存储器、控制器和神经形态芯片。神经形态芯片被配置为基于访问结果信息和访问环境信息生成访问分类器。控制器被配置为使用缓冲存储器执行对非易失性存储器件的第一访问，并且收集缓冲存储器中的第一访问的访问结果信息和访问环境信息。控制器被配置为使用缓冲存储器执行非易失性存储器件的第二访问。控制器被配置为通过使用与第二访问和访问分类器相关联的访问环境信息来获得与第二访问相关联的访问参数的预测结果。

公开(公告)号：CN114582401A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202111228000.3

申请日：2021-10-21

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李侊祐 ,  金灿河 ,  李熙元

IPC分类号： G11C16/10 ,  G11C16/34

摘要： 提供了在非易失性存储器件中写入数据的方法、执行写入数据的方法的非易失性存储器件以及使用写入数据的方法操作存储系统的方法。在非易失性存储器件中写入数据的方法中，接收写入命令、写入地址和要被编程的写入数据。在表示验证电平的偏移信息被提供时，接收偏移信息。当通过检查写入数据的输入/输出(I/O)模式而确定写入数据对应于分布劣化模式时，提供偏移信息。当接收到偏移信息时，基于偏移信息对写入数据进行编程，使得存储了写入数据的存储单元的阈值电压分布中包括的多个状态当中的至少一个状态改变。

公开(公告)号：CN112486405A

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN202010945601.5

申请日：2020-09-10

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李静雨 ,  金灿河 ,  卢羌镐 ,  李侊祐 ,  李熙元

IPC分类号： G06F3/06 ,  G11C8/08 ,  G11C8/14 ,  G06N20/00

摘要： 一种存储设备，包括：特征信息数据库，被配置为存储关于存储器设备的特征信息；以及机器学习模块，被配置为基于该特征信息从与存储器设备的操作相对应的多个机器学习模型中选择机器学习模型，其中该存储器设备被配置为根据所选择的机器学习模型来进行操作。