公开(公告)号：CN112863579A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202011349291.7

申请日：2020-11-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 洪振祐 ,  金灿河 ,  卢羌镐 ,  卢承京 ,  李允宑 ,  李熙元

IPC分类号： G11C16/10 ,  G11C16/08 ,  G11C16/34

摘要： 提供了存储装置及其操作方法。所述存储装置包括非易失性存储器和存储器控制器。非易失性存储器包括均包含多条字线的存储器块。存储器控制器确定所述多条字线中的每条字线的字线强度，基于字线强度调整所述多条字线中的每条字线的状态计数，并且调整所述多条字线中的每条字线的编程参数以减小所述多条字线之间的编程时间变化。

公开(公告)号：CN101673581B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN200910205766.2

申请日：2009-06-15

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李在修 ,  卢羌镐 ,  赵原熙 ,  沈昊俊 ,  崔永准 ,  许在训 ,  宋济赫 ,  赵承德 ,  金善择 ,  吴文旭 ,  朴钟泰 ,  朴赞益 ,  千源汶 ,  李洋燮

IPC分类号： G06F12/02

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G06F12/0246 ,  G06F2212/7201 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3431 ,  G11C29/00 ,  G11C2211/5621 ,  Y02D10/13

摘要： 提供一种带有处理器、主存储器和闪存的存储器系统。通过获得加速和高的数据可靠性可提高存储器系统的性能。存储器系统包括非易失性存储器设备和用于驱动控制程序来控制非易失性存储器设备的控制器。即使在对非易失性存储器设备的第一存取操作完成之前，控制程序也执行对于非易失性存储器设备的第二存取操作。

公开(公告)号：CN114879901A

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202111615059.8

申请日：2021-12-27

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金灿河 ,  金荣恩 ,  卢羌镐 ,  郑楹勋 ,  赵渼贞

IPC分类号： G06F3/06 ,  G06N20/00

摘要： 在操作包括多个非易失性存储器的存储设备的方法中，存储设备的可靠性信息被预测。基于预测可靠性信息的结果对存储设备执行读取操作。在预测存储设备的可靠性信息中，通过基于劣化特性信息和劣化阶段信息选择多个机器学习模型中的一者作为最佳机器学习模型来输出模型请求信号。模型请求信号对应于最佳机器学习模型。多个机器学习模型用于生成与多个非易失性存储器相关的可靠性信息。基于模型请求信号来接收最佳机器学习模型的参数。基于劣化特性信息和参数来生成可靠性信息。

公开(公告)号：CN112783437A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202011244326.0

申请日：2020-11-10

申请人： 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

发明人： 柳尚辰 ,  申东君 ,  卢羌镐

IPC分类号： G06F3/06

摘要： 提供了一种存储设备和操作方法。所述存储设备包括至少一个非易失性存储器，所述至少一个非易失性存储器包括单级单元区域和多级单元区域；以及存储控制器，所述存储控制器被配置为通过强化学习动态地重新调整所述单级单元区域的大小。

公开(公告)号：CN115083478A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210215803.3

申请日：2022-03-07

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 梁承俊 ,  卢羌镐

IPC分类号： G11C16/04 ,  G06N20/00

摘要： 公开了一种支持多流的存储设备的操作方法，其包括：从外部主机接收输入/输出请求；通过基于多个机器学习模型对所述输入/输出请求执行机器学习来生成多个候选流标识符，所述多个机器学习模型基于不同机器学习算法；基于所述输入/输出请求的特性生成模型比率；将所述模型比率应用于所述多个候选流标识符，以针对所述输入/输出请求分配最终流标识符；以及基于所述最终流标识符，将与所述输入/输出请求对应的写入数据存储在所述存储设备的非易失性存储器件中。

公开(公告)号：CN112395210A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN202010534678.3

申请日：2020-06-12

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 吴玄敎 ,  宋镇百 ,  卢羌镐

IPC分类号： G06F12/02 ,  G11C29/04

摘要： 提供一种存储器系统和操作存储器系统的方法。所述存储器系统包括：存储器装置，包括多个块；缓冲器，存储关于所述多个块中的至少一个块的劣化信息；以及存储器控制器，被配置为响应于来自主机的读取请求基于劣化信息确定与读取请求对应的块的劣化水平，基于劣化水平对与读取请求对应的读取电平进行推断，并且基于读取电平从存储器装置读取数据。

公开(公告)号：CN109933541A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201811431719.5

申请日：2018-11-27

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金鼎勳 ,  李荣息 ,  卢羌镐

IPC分类号： G06F12/02

摘要： 一种非易失性存储器系统及其操作方法。为了操作包括非易失性存储器装置和存储器控制器的非易失性存储器系统，映射存储器被划分为多个映射存储区域，其中，所述映射存储器存储表示主机装置的逻辑地址与非易失性存储器装置的物理地址之间的映射关系的映射数据。提供表示所述多个映射存储区域中的每个映射存储区域中是否存储了映射数据的占用信息。基于所述占用信息，将用户数据存储在所述多个映射存储区域中的未存储映射数据的相应映射存储区域中。

公开(公告)号：CN101673581A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200910205766.2

申请日：2009-06-15

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李在修 ,  卢羌镐 ,  赵原熙 ,  沈昊俊 ,  崔永准 ,  许在训 ,  宋济赫 ,  赵承德 ,  金善择 ,  吴文旭 ,  朴钟泰 ,  朴赞益 ,  千源汶 ,  李洋燮

IPC分类号： G11C16/10 ,  G11C16/34

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G06F12/0246 ,  G06F2212/7201 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3431 ,  G11C29/00 ,  G11C2211/5621 ,  Y02D10/13

摘要： 提供一种带有处理器、主存储器和闪存的存储器系统。通过获得加速和高的数据可靠性可提高存储器系统的性能。存储器系统包括非易失性存储器设备和用于驱动控制程序来控制非易失性存储器设备的控制器。即使在对非易失性存储器设备的第一存取操作完成之前，控制程序也执行对于非易失性存储器设备的第二存取操作。

公开(公告)号：CN114078518A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110737259.4

申请日：2021-06-30

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔相炫 ,  徐荣德 ,  卢羌镐

IPC分类号： G11C14/00 ,  G06N3/063

摘要： 提供了一种存储装置和用于该存储装置的操作方法。该存储装置通过从非易失性存储器的掉电保护(PLP)区域恢复导通单元计数(OCC)来执行读操作。非易失性存储器包括存储器块、缓冲存储器和控制器。缓冲存储器存储第一导通单元计数(OCC1)和第二导通单元计数(OCC2)，OCC1指示连接到参考字线的存储器单元当中的通过第一读电压导通的存储器单元的数量，OCC2指示连接到参考字线的存储器单元当中的通过第二读电压导通的存储器单元的数量。当存储装置中发生突然断电时，控制器将各个存储器块的OCC1存储在PLP区域中。

公开(公告)号：CN112786095A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202011228309.8

申请日：2020-11-06

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 卢羌镐 ,  李知玟 ,  金炳喜 ,  徐正旼 ,  梁承俊

IPC分类号： G11C16/10 ,  G11C16/16 ,  G11C16/34 ,  G06F3/06

摘要： 一种存储设备包括：接口，从主机接收数据和对应的LBA，其中数据包括具有流ID的第一数据和缺少流ID的第二数据中的至少一个；非易失性存储器(NVM)设备，包括被配置为存储数据的至少一个非易失性存储器；以及LBA预测器，被配置为使用响应于与存储设备从主机接收的LBA值相关联的至少一个特征而操作的神经网络模型来提供用于第二数据的预测流ID，其中，使用所述流ID将第一数据存储在NVM设备中，并且使用预测流ID将第二数据存储在所述NVM设备中。