公开(公告)号：CN119486254A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202410523365.6

申请日：2024-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高厦缆 ,  金荣夏 ,  姜铉在 ,  金珍满 ,  李钟俱

IPC: H10D84/83 ,  H01L23/528 ,  H10D84/03 ,  H01L21/60 ,  H01L25/065

Abstract: 提供了集成电路器件及制造其的方法。该集成电路器件包括：第一半导体衬底，第一半导体衬底具有前侧表面和背侧表面；前道工序FEOL结构，FEOL结构位于所述第一半导体衬底的前侧表面上，FEOL结构包括多个鳍型有源区；第一后道工序BEOL结构，第一BEOL结构位于FEOL结构上；第二BEOL结构，第二BEOL结构位于第一半导体衬底的背侧表面上；以及第二半导体衬底，第二半导体衬底以FEOL结构和第一BEOL结构位于第二半导体衬底与第一半导体衬底之间的方式在垂直方向上与所述第一半导体衬底间隔开，其中，第一半导体衬底中平行于前侧表面延伸的第一晶向的杨氏模量不同于第二半导体衬底中在垂直方向上与第一晶向交叠并且平行于第一晶向延伸的第二晶向的杨氏模量。