公开(公告)号：CN119230528A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202410817885.8

申请日：2024-06-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白承惠 ,  金正贤 ,  姜铉在 ,  金一焕 ,  金钟寿 ,  朴荣植 ,  李武䦫 ,  赵相浩

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66

Abstract: 一种半导体装置包括：半导体衬底；第一测试图案，其设置在半导体衬底上；以及第二测试图案，其与第一测试图案相邻。第一测试图案包括重叠图案，并且第二测试图案包括测试元件组。

公开(公告)号：CN119486254A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202410523365.6

申请日：2024-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高厦缆 ,  金荣夏 ,  姜铉在 ,  金珍满 ,  李钟俱

IPC: H10D84/83 ,  H01L23/528 ,  H10D84/03 ,  H01L21/60 ,  H01L25/065

Abstract: 提供了集成电路器件及制造其的方法。该集成电路器件包括：第一半导体衬底，第一半导体衬底具有前侧表面和背侧表面；前道工序FEOL结构，FEOL结构位于所述第一半导体衬底的前侧表面上，FEOL结构包括多个鳍型有源区；第一后道工序BEOL结构，第一BEOL结构位于FEOL结构上；第二BEOL结构，第二BEOL结构位于第一半导体衬底的背侧表面上；以及第二半导体衬底，第二半导体衬底以FEOL结构和第一BEOL结构位于第二半导体衬底与第一半导体衬底之间的方式在垂直方向上与所述第一半导体衬底间隔开，其中，第一半导体衬底中平行于前侧表面延伸的第一晶向的杨氏模量不同于第二半导体衬底中在垂直方向上与第一晶向交叠并且平行于第一晶向延伸的第二晶向的杨氏模量。

公开(公告)号：CN118693088A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410107207.2

申请日：2024-01-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珍雨 ,  钱钰博 ,  姜铉在 ,  金庆燮 ,  金秀泰 ,  朴载镛 ,  丁全圆

IPC: H01L27/092 ,  H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供了一种集成电路器件。所述集成电路器件包括设置在基底上的第一导电图案、围绕第一导电图案的一部分并覆盖第一导电图案的侧壁的下部的第二导电图案、在第一导电图案和第二导电图案上的上绝缘结构、以及穿透上绝缘结构并在竖直方向上延伸的上导电图案，其中，上导电图案包括主插塞部分和竖直延伸件，主插塞部分在竖直方向上与第一导电图案和第二导电图案叠置，竖直延伸件从主插塞部分的一部分朝向基底延伸，覆盖第一导电图案的上侧壁的上部，并且在竖直方向上与第二导电图案叠置，虚设接触件形成在基底上的单扩散间断区域上。