公开(公告)号：CN105980614B

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201480066269.8

申请日：2014-11-19

申请人： LG矽得荣株式会社

发明人： 方仁植 ,  金喆焕

IPC分类号： C30B15/24 ,  C30B15/20 ,  C30B29/20

CPC分类号： C30B17/00 ,  C30B11/006 ,  C30B15/14 ,  C30B15/20 ,  C30B29/20 ,  C30B35/00 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

摘要： 实施例包括：腔室；坩埚，设置在该腔室中并且容纳熔融液体，该熔融液体是用于单晶生长的原料；坩锅屏，布置在该坩埚的上端；以及用于提高或降低该坩埚屏的移动单元，其中该坩埚屏和第一上部绝热单元被升高以控制行程距离，从而防止由行程距离的缩短引起的提离过程的不可能性以及在单晶中产生裂纹。

公开(公告)号：CN106948004A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201611138038.0

申请日：2010-09-01

申请人： GTAT公司

发明人： 弗雷德里克·施密德 ,  大卫·B·乔伊斯 ,  约翰·布罗莱特 ,  丹尼尔·P·贝迪 ,  莱安·费尔伯特

IPC分类号： C30B29/20 ,  C30B11/00

CPC分类号： C30B11/003 ,  C30B11/00 ,  C30B11/02 ,  C30B15/00 ,  C30B17/00 ,  C30B29/20 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T117/1024 ,  C30B11/006

摘要： 本发明公开了在经调节压力下使用氦的高温工艺改进。具体地，本发明涉及一种用于在用于处理材料诸如生长晶体的真空熔炉中减少多余的辅助反应的方法。该工艺在熔炉腔室环境中执行，其中容许氦气以用于冲除杂质的流率并且以用于在热区中实现热稳定性的预定压力进入熔炉腔室，以减小热流变化并且减小热区中的温度梯度。在冷却期间，使用氦压力来降低热梯度从而增加冷却速率。

公开(公告)号：CN103155101A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180049192.X

申请日：2011-09-14

申请人： 应用材料公司

发明人： D·P·布尔 ,  A·杜博斯特 ,  A·戈德

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/0075 ,  C30B25/16 ,  C30B29/40 ,  G01K11/20 ,  G01K2217/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67248 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

摘要： 本发明提供例如在发光二极管(LED)的制造期间控制外延生长参数的设备与方法。实施例包括对III-V族薄膜在当基板在高温下处于多腔室群集工具的移送室中时生长之后的PL测量。在其他实施例中，当所述基板安置于所述移送室中时，执行薄膜厚度测量、非接触电阻率测量及粒子和/或粗糙度测量。藉由基于来自安置于所述III-V族薄膜下方的GaN基极层的发射来估计高温，而将在所述移送室中执行的测量中的一个或更多个测量在温度上校正至室温。在其他实施例中，温度校正基于所述GaN基极层的吸收能带边缘，所述吸收能带边缘由所收集的白光反射光谱来确定。然后，将经温度校正的测量方法用于控制生长工艺。

公开(公告)号：CN101886289A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN201010154972.8

申请日：2010-03-30

申请人： 硅电子股份公司

发明人： P·菲拉尔

IPC分类号： C30B15/00

CPC分类号： C30B15/14 ,  C30B13/28 ,  C30B15/00 ,  C30B15/10 ,  C30B15/203 ,  C30B15/206 ,  C30B15/305 ,  C30B21/06 ,  C30B27/02 ,  C30B28/10 ,  C30B29/06 ,  C30B30/04 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T117/1068

摘要： 本发明涉及一种从熔体中生长硅单晶的方法和装置。所述方法包括：在坩埚中提供所述熔体；在熔体上施加水平磁场，所述磁场在场中心C具有磁感应B；将气体在所述硅单晶与热遮蔽体之间导向熔体自由表面；并且控制所述气体流过以基本上垂直于所述磁感应B的方向延伸的熔体自由表面区域。所述的装置包括：用于承载熔体的坩埚；用于在熔体上施加水平磁场磁系统，所述磁场在磁场中心C处具有磁感应B；围绕硅单晶的热遮蔽体，该热遮蔽体具有与面对熔体自由表面的底盖连接的低端，该低端相对于坩埚轴M具有非轴对称形状，从而在硅单晶和热遮蔽体之间导向熔体自由表面的气体被底盖驱使流过熔体自由表面，所述熔体自由表面按基本上垂直于磁感应B的方向进行延伸。

公开(公告)号：CN101312117B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200710163150.4

申请日：2007-10-10

申请人： 株式会社岛津制作所

发明人： 秋田典孝 ,  高见芳夫

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/268 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  B23K26/00 ,  B23K26/06

CPC分类号： B23K26/067 ,  B23K26/0613 ,  H01L21/02675 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

摘要： 本发明提供一种结晶装置，在此结晶装置中，提供可以获得高能量密度的输出的可见光源。可见光照射系统是由二维阵列排列的多个可见光激光束源形成的。可见光照射系统包括：光强度分布形成装置，使从各可见光激光束源发出的多道可见光激光束的光强度分布图案化；以及成像光学系统，使经所述光强度分布形成装置图案化的光强度分布的光，成像在被处理基板上的照射区域中。将多个固体激光器或半导体激光器发出的各可见激光束，重叠到符合被处理基板与光轴上的成像位置关系的光强度分布形成装置。当重叠准分子激光束与可见光激光束时，重叠从多个可见光的激光束源发出的多道可见光激光束，借由重叠所述可见光激光束所形成的可见光激光束的光强度分布来形成晶体成长。

公开(公告)号：CN101689450A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880024220.0

申请日：2008-06-25

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 乔瑟夫·库德拉 ,  卡尔·A·索伦森 ,  约翰·M·怀特

IPC分类号： H01J7/24 ,  H05B31/26

CPC分类号： H01F17/06 ,  C23C16/455 ,  C23C16/505 ,  H01F27/08 ,  H01F2017/065 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/0206 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

摘要： 在大面积等离子体工艺系统中，工艺气体经由喷气头组件而导入腔室中，而喷气头组件可作为RF电极驱动。接地的气体供应管与喷气头为电性隔离。气体供应管不但提供工艺气体，还提供来自远程等离子体源的清洁气体至工艺室。气体供应管的内侧可以维持在低RF场或是零RF场，以避免早期气体在气体供应管中分解，而其可能导致在气体源及喷气头之间形成寄生等离子体。将气体供应通过RF扼流器，则RF场及工艺气体可经过共同位置而导入工艺室中，并因而简化腔室设计。

公开(公告)号：CN100510200C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200510120430.8

申请日：2002-03-07

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴在勤

IPC分类号： C30B15/00

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B15/14 ,  C30B15/203 ,  C30B15/206 ,  C30B33/00 ,  H01L21/3225 ,  Y10S117/911 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T117/1052 ,  Y10T117/1068 ,  Y10T117/1072 ,  Y10T117/1088 ,  Y10T428/12458 ,  Y10T428/12528 ,  Y10T428/21

摘要： 本发明公开了一种用于生长单晶硅锭的Czochralski拉晶设备，其包括加热室壳、加热室壳内用于装盛熔融硅的坩埚、加热室壳内坩埚附近用以夹持籽晶的籽晶夹具以及加热室壳内环绕坩埚的加热器。还在加热室壳内设置环形的热屏蔽护套，该护套包括彼此分离的内和外热屏蔽护套壁，以及连接内和外热屏蔽护套壁的热屏蔽护套顶和热屏蔽护套底，热屏蔽护套顶从内热屏蔽护套壁到外热屏蔽护套壁向上倾斜，而热屏蔽护套底从内热屏蔽护套壁到外热屏蔽护套壁向下倾斜。环形热屏蔽护套还在其中在外屏蔽护套壁与热屏蔽护套底的相交处包括切口。在坩埚内，支撑元件支撑热屏蔽护套。

公开(公告)号：CN1954254A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200580015884.7

申请日：2005-05-17

申请人： 夏普株式会社

发明人： 中村久和 ,  久保真澄

IPC分类号： G02F1/1343 ,  G02F1/1337

CPC分类号： G02F1/133555 ,  G02F1/133707 ,  G02F1/1393 ,  Y10T117/1008

摘要： 本发明提供一种可抑制由于向液晶面板施加应力而导致的显示品质降低的CPA方式的液晶显示装置。本发明的液晶显示装置包括第一基板、第二基板、和设置在它们之间的垂直取向型的液晶层。在各个像素区域中，设置在第一基板的液晶层侧的第一电极具有由导电膜形成的实体部、和不形成导电膜的非实体部。实体部分别由非实体部实质包围，至少包含沿着第一方向排列的多个单位实体部。在像素区域内的液晶层中，在施加电压时，利用在非实体部的边缘部所生成的倾斜电场，在各个单位实体部上形成获得放射状倾斜取向的液晶畴。单位实体部的沿着第一方向的长度为 70μm以下。

公开(公告)号：CN1916245A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200610087066.4

申请日：2006-06-14

申请人： 希特隆股份有限公司

发明人： 金珍根 ,  赵铉鼎

IPC分类号： C30B35/00

CPC分类号： C30B15/26 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

摘要： 本发明提供结晶生长晶体的质量评价方法，包括确定切断位置和取样位置的步骤和试样评价步骤，前一步骤包括：a)确定试样位置，输入按照不同装备、不同制品确定切断位置、取样位置和最初位置的基本信息；b)按基本信息预先确定切断位置、最初位置和取样位置；c)监控晶体生长过程，分析和保存与晶体的生长相关的X因素；d)反映基本信息和X因素，确定切断位置和取样位置。这样，在选择分辨监控的影响晶体质量的主要因素(X因素)后，以进行统一对比和分析为基础，制定确定切断位置和取样位置、取样数的规则，使剩余检验和不使用的最初的量最小化，把数据制作成数据库，用自动化系统构建切断和取样业务，可以使操作人员和现场的业务量减少。

公开(公告)号：CN1691275A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200510062668.X

申请日：2005-03-31

申请人： 株式会社液晶先端技术开发中心

发明人： 谷口幸夫 ,  十文字正之 ,  小川裕之

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/268 ,  B23K26/00 ,  G02F1/136

CPC分类号： C30B13/24 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T117/1012 ,  Y10T117/1016

摘要： 第一光学调制元件用光束照射非单晶物质，由此熔化该物质，其中所述光束将具有通过调制入射的第一光束的强度而获得的在非单晶物质上的第一光强分布。第二光学调制元件用光束照射该物质，由此熔化该物质，其中所述光束将具有通过调制入射的第二光束的强度而获得的在该物质上的第二光强分布。在通过照射具有第一光强分布的光束而部分地熔化该物质的期间，照明系统使具有第二光强分布的光束进入该物质的熔化部分。