-
-
公开(公告)号：CN111179986B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN201910677311.4
申请日：2019-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开一种操作控制非易失性存储器装置的控制器的方法及存储装置。所述方法包括：启用命令锁存使能信号、地址锁存使能信号和写入使能信号；将包括命令和地址的多个数据信号与启用的写入使能信号同步地发送到非易失性存储器装置。通过其发送所述多个数据信号的DQ线的数量大于所述多个数据信号中的每个数据信号的位的数量。所述方法还包括：在发送命令之后，禁用命令锁存使能信号；以及在发送地址之后，禁用地址锁存使能信号和写入使能信号。
-
公开(公告)号：CN117850668A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311230155.X
申请日：2023-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 提供了一种存储器控制器、一种存储器系统和一种存储器控制器的操作方法。该存储器控制器从主机接收写请求和写数据；将包括指示写数据被暂时存储在写缓冲器中的位置的写缓冲器指针和对应于写请求的第一逻辑地址的第一条目信息存储在条目缓冲器中；将基于第一条目信息生成的条目索引存储在逻辑至物理(L2P)映射信息储存电路中的对应于第一逻辑地址的第一储存空间中；以及随着写数据被编程在存储器装置中将存储在第一储存空间中的条目索引更新为新映射至第一逻辑地址的物理地址。
-
公开(公告)号：CN117854560A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311260683.X
申请日：2023-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种用于对包括非易失性存储器设备和用于存储多比特数据的存储控制器的存储设备进行编程的方法，由存储控制器基于预编程操作将多比特数据编程到非易失性存储器设备中，基于预编程操作的编程结果，读取在非易失性存储器设备中生成的多比特数据的状态组数据，以及由存储控制器对状态组数据执行纠错解码。
-
公开(公告)号：CN113064840A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202011620407.6
申请日：2020-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02 , G06F12/1009
Abstract: 一种操作存储设备的方法，该存储设备包括非易失性存储器设备和控制该非易失性存储器设备的操作的控制器，该方法包括由控制器向非易失性存储器设备发出第一命令，由非易失性存储器设备响应于第一命令，将第一数据从存储器单元阵列读取到非易失性存储器设备的页缓冲器中，由控制器向非易失性存储器设备发出第二命令，并且由非易失性存储器设备响应于第二命令，向所述控制器输出指示根据第一命令的读取操作是否已经完成的状态信息和从非易失性存储器设备的页缓冲器获得的第二数据。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109753458B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN201811176706.8
申请日：2018-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F13/16
Abstract: 一种存储器控制器用于控制具有第一数据速率的第一存储块和具有第二数据速率的第二存储块。所述存储器控制器包括：存储器接口，其与所述第一存储块和所述第二存储块收发数据信号和数据选通信号；以及子控制器，其存储关于所述第一数据速率和所述第二数据速率的访问信息。所述子控制器可包括存储访问信息的延迟查找表，所述访问信息包括限定提供给所述第一存储块的第一数据选通信号的第一选通调整定时信息以及限定提供给所述第二存储块的第二数据选通信号的第二选通调整定时信息。
-
公开(公告)号：CN113282234B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110191767.7
申请日：2021-02-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储装置可以包括：非易失性存储器，其包括多个区，所述非易失性存储器被配置为在所述多个区中的至少一个中顺序地存储数据；以及处理电路，其被配置为：从主机接收第一写入命令和第一数据，所述第一写入命令包括第一逻辑地址，基于所述第一逻辑地址来识别所述多个区中的第一区，基于与所述第一区相对应的压缩设置来压缩所述第一数据，以及将经压缩的所述第一数据写入到所述第一区。
-
公开(公告)号：CN113282234A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110191767.7
申请日：2021-02-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储装置可以包括：非易失性存储器，其包括多个区，所述非易失性存储器被配置为在所述多个区中的至少一个中顺序地存储数据；以及处理电路，其被配置为：从主机接收第一写入命令和第一数据，所述第一写入命令包括第一逻辑地址，基于所述第一逻辑地址来识别所述多个区中的第一区，基于与所述第一区相对应的压缩设置来压缩所述第一数据，以及将经压缩的所述第一数据写入到所述第一区。
-
公开(公告)号：CN111179986A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201910677311.4
申请日：2019-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开一种操作控制非易失性存储器装置的控制器的方法及存储装置。所述方法包括：启用命令锁存使能信号、地址锁存使能信号和写入使能信号；将包括命令和地址的多个数据信号与启用的写入使能信号同步地发送到非易失性存储器装置。通过其发送所述多个数据信号的DQ线的数量大于所述多个数据信号中的每个数据信号的位的数量。所述方法还包括：在发送命令之后，禁用命令锁存使能信号；以及在发送地址之后，禁用地址锁存使能信号和写入使能信号。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.02 seconds)
