公开(公告)号：CN1073806A

公开(公告)日：1993-06-30

申请号：CN92105269.3

申请日：1992-06-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金长来 ,  金汉洙

IPC: H01L29/784 ,  H01L27/11 ,  H01L21/336 ,  G11C11/40

CPC classification number: H01L29/6675 ,  H01L27/1108 ,  H01L29/78642

Abstract: 用于半导体存储器件的TFT，包括第一绝缘层1上形成的第一导电层2、覆盖在其上的第二绝缘层3，第二绝缘层内形成的开口4，在开口4中暴露第一导电层的表面及在第二绝缘层3上预定部分表面形成半导体层5，覆盖在半导体层5上的薄栅极绝缘层6，在其上形成第二导电层7，在半导体层5之第一部分内形成的第一杂质区，在半导体层5之第二部分内形成的第二杂质区，和在半导体层5内第一与第二杂质区间所确定的沟道区5c。

公开(公告)号：CN1032286C

公开(公告)日：1996-07-10

申请号：CN92105269.3

申请日：1992-06-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金长来 ,  金汉洙

IPC: H01L29/784 ,  H01L27/11 ,  H01L21/336 ,  G11C11/40

CPC classification number: H01L29/6675 ,  H01L27/1108 ,  H01L29/78642

Abstract: 用于半导体存储器件的TFT，包括第一绝缘层1上形成的第一导电层2、覆盖在其上的第二绝缘层3，第二绝缘层内形成的开口4，在开口4中暴露第一导电层的表面及在第二绝缘层3上预定部分表面形成半导体层5，覆盖在半导体层5上的薄栅极绝缘层6，在其上形成第二导电层7，在半导体层5之第一部分内形成的第一杂质区，在半导体层5之第二部分内形成的第二杂质区，和在半导体层5内第一与第二杂质区间所确定的沟道区5c。