公开(公告)号：CN1306590C

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200410100189.8

申请日：2004-12-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金在鹤 ,  文永俊 ,  李敬雨 ,  黄晸郁

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明披露一种采用牺牲金属氧化物层形成双镶嵌金属互连的方法。该方法包括制备半导体衬底。层间绝缘层形成在半导体衬底上，预通孔是通过对层间绝缘层形成图案而形成的。牺牲通孔保护层形成在具有预通孔的半导体衬底上，以填充预通孔并覆盖层间绝缘层的上表面。牺牲金属氧化物层形成在牺牲通孔保护层上，对牺牲金属氧化物层形成图案，以形成具有开口的牺牲金属氧化物图案，该开口横过预通孔并暴露牺牲通孔保护层。使用牺牲金属氧化物图案作为蚀刻掩模，蚀刻牺牲通孔保护层和层间绝缘层，以形成位于层间绝缘层内的槽。

公开(公告)号：CN1624897A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN200410100189.8

申请日：2004-12-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金在鹤 ,  文永俊 ,  李敬雨 ,  黄晸郁

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明披露一种采用牺牲金属氧化物层形成双镶嵌金属互连的方法。该方法包括制备半导体衬底。层间绝缘层形成在半导体衬底上，预通孔是通过对层间绝缘层形成图案而形成的。牺牲通孔保护层形成在具有预通孔的半导体衬底上，以填充预通孔并覆盖层间绝缘层的上表面。牺牲金属氧化物层形成在牺牲通孔保护层上，对牺牲金属氧化物层形成图案，以形成具有开口的牺牲金属氧化物图案，该开口横过预通孔并暴露牺牲通孔保护层。使用牺牲金属氧化物图案作为蚀刻掩模，蚀刻牺牲通孔保护层和层间绝缘层，以形成位于层间绝缘层内的槽。