公开(公告)号：CN117412606A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202310848586.6

申请日：2023-07-12

申请人： 三星电子株式会社

发明人： D·阿帕尔科夫 ,  伊赫蒂亚尔 ,  郑在佑

IPC分类号： H10B61/00 ,  H10N50/20 ,  H10N50/01 ,  G11C11/16

摘要： 本发明提供了一种自旋轨道转矩磁性随机存取存储器(SOT‑MRAM)器件及其制造方法，该SOT‑MARM器件包括衬底、在衬底之上的自旋轨道转矩线、在自旋轨道转矩线之上的复合金属氧化物籽晶层以及在复合金属氧化物籽晶层之上的磁隧道结。磁隧道结包括在复合金属氧化物籽晶层之上的自由层、在自由层之上的主隧道势垒层以及在主隧道势垒层之上的被钉扎层。

公开(公告)号：CN118382347A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410076754.9

申请日：2024-01-18

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑在佑 ,  D·阿帕尔科夫 ,  伊赫蒂尔 ,  R·切普尔斯基

IPC分类号： H10N50/10 ,  H10N50/85 ,  H10N50/01 ,  H10B61/00

摘要： 本发明涉及磁存储器件、制造磁存储器件的方法和对如磁存储器件进行编程的方法。磁存储器件包括具有沿着纵轴堆叠的多个层的自旋轨道相互作用活性核心、和围绕所述纵轴延伸并且基本上包围所述自旋轨道相互作用活性核心的至少一部分的磁结。所述磁结包括自由层、参考层、以及在所述自由层与所述参考层之间的隧道势垒层。