公开(公告)号：CN110350082B

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN201910096762.9

申请日：2019-01-31

Applicant: 国际商业机器公司 ,  三星电子株式会社

Inventor： 郑在佑 ,  M.G.萨曼特 ,  S.S.P.帕金 ,  Y.费兰特

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/85 ,  H10N50/01 ,  G11C11/16

Abstract: 描述了一种磁性器件和提供磁性器件的方法。该磁性器件包括基板、覆盖基板的MnxN层、在室温下为非磁性的多层结构、以及第一磁性层。MnxN层具有2≤x≤4.75。该多层结构包括Co和E的交替的层，其中E包括包含Al的至少一种其它元素。该多层结构的组成由Co1‑xEx表示，x在从0.45到0.55的范围内。第一磁性层包括赫斯勒化合物。第一磁性层与该多层结构接触，并且第一磁性层形成磁隧道结的部分。

公开(公告)号：CN118382347A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410076754.9

申请日：2024-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在佑 ,  D·阿帕尔科夫 ,  伊赫蒂尔 ,  R·切普尔斯基

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/85 ,  H10N50/01 ,  H10B61/00

Abstract: 本发明涉及磁存储器件、制造磁存储器件的方法和对如磁存储器件进行编程的方法。磁存储器件包括具有沿着纵轴堆叠的多个层的自旋轨道相互作用活性核心、和围绕所述纵轴延伸并且基本上包围所述自旋轨道相互作用活性核心的至少一部分的磁结。所述磁结包括自由层、参考层、以及在所述自由层与所述参考层之间的隧道势垒层。

公开(公告)号：CN112838160A

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN202010735660.X

申请日：2020-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 伊克提亚 ,  郑在佑 ,  穆罕默德·陶菲克·考瑞比 ,  唐雪缇

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

Abstract: 描述了磁性结、磁性装置和用于提供磁性结的方法。所述磁性结包括自由层以及位于自由层上的氧化物夹层。氧化物夹层包括至少一种玻璃形成剂。在某些方面，磁性结还包括参考层以及位于参考层与自由层之间的非磁性间隔层。自由层位于非磁性间隔层与氧化物夹层之间。

公开(公告)号：CN111490154A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN202010076710.8

申请日：2020-01-23

Applicant: 三星电子株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： 郑在佑 ,  马赫什·G·萨曼特 ,  斯图尔特·S·P·帕金 ,  雅里·费兰特

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L43/10 ,  G11C11/16

Abstract: 公开了一种包括可调四方亚铁磁性哈斯勒化合物的器件。器件包括呈Mn3-xCoxGe形式的哈斯勒化合物，其中，0

公开(公告)号：CN107209295A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201580074812.3

申请日：2015-11-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 迈克尔·A·克鲁格 ,  亨利·霍尔茨曼 ,  迈克尔·拉平斯凯 ,  安尼特·弗里因沃恩卡普里 ,  郑在佑

IPC: G02B5/18 ,  H04N7/14

Abstract: 一种电子系统，包括：反射膜，反射膜包括衍射光栅，该反射膜配置成以反射角来反射反射光栅光谱内的图像；以及图像拍摄单元，图像拍摄单元以装置取向放置，以拍摄从反射膜反射的图像。

公开(公告)号：CN101020387A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200610154308.7

申请日：2006-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李有燮 ,  金钟玟 ,  郑在佑

IPC: B41J2/045 ,  B41J2/175 ,  B41J2/14 ,  B41J2/19

CPC classification number: B41J2/14233 ,  B41J2/19 ,  B41J2202/07

Abstract: 本发明提供了喷墨打印头及去除其中气泡的方法。该喷墨打印头包括墨水流动通道、喷嘴、致动器和多个电极。墨水流动通道包括压力腔，喷嘴与压力腔连通。致动器向压力腔提供驱动力以喷射墨水，较低电压施加到较靠近喷嘴的电极上，以便在墨水流动通道中形成非均匀电场。

公开(公告)号：CN118632615A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410259040.1

申请日：2024-03-07

Applicant: 三星电子株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： 伊克蒂亚尔 ,  C·加格 ,  郑在佑 ,  P·C·菲利波 ,  M·萨曼特 ,  S-H·杨

IPC: H10N50/85 ,  H10N50/10 ,  H10N50/01 ,  H10B61/00

Abstract: 本发明涉及磁性随机存取存储器(MRAM)堆叠体、制造MRAM堆叠体的方法、MRAM阵列、计算机系统、和MRAM器件。所述MRAM堆叠体包括：包括赫斯勒化合物的第一磁性层。所述MRAM堆叠体还包括一个或多个种子层，所述种子层包括配置为将所述赫斯勒化合物模板化的包括结晶结构的模板化结构体。所述第一磁性层形成在所述模板化结构体上方。所述模板化结构体包括第一二元合金的层，所述第一二元合金包括铂‑铝(PtAl)。

公开(公告)号：CN116896977A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310331039.0

申请日：2023-03-30

Applicant: 三星电子株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： 郑在佑 ,  M·萨曼特 ,  P·C·菲利波 ,  S·法利夫 ,  C·加格 ,  Y·费兰特

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/85 ,  H10B61/00 ,  H10N59/00 ,  H10N50/01

Abstract: 本发明涉及磁阻式随机存取存储器单元和形成其的方法、磁阻式随机存取存储器阵列和操作其的方法。磁阻式随机存取存储器单元包括模板层。所述模板层包括具有交替层晶格结构的二元合金。所述单元进一步包括半金属性半赫斯勒层，所述半金属性半赫斯勒层包括具有四方晶格结构的半金属性半赫斯勒材料。所述半金属性半赫斯勒层位于所述模板层的外侧，并且具有与所述半金属性半赫斯勒材料的立方形式的面内晶格常数不同的半赫斯勒面内晶格常数。隧道势垒位于所述半金属性半赫斯勒层的外侧，并且磁性层位于所述隧道势垒的外侧。

公开(公告)号：CN107452871B

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201710351707.0

申请日：2017-05-18

Applicant: 三星电子株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： 金佑填 ,  金起园 ,  S.P.S.帕金 ,  M.G.萨曼特 ,  郑在佑

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

Abstract: 示例实施方式涉及磁存储器件及其制造方法。该磁存储器件包括磁隧道结层，该磁隧道结层包括第一磁性层、第二磁性层和在第一磁性层及第二磁性层之间的第一隧道阻挡层。第一磁性层与第一隧道阻挡层直接接触。第一磁性层包括钴‑铁‑铍(CoFeBe)。第一磁性层中的CoFeBe的铍含量在大约2at％至大约15at％的范围。

公开(公告)号：CN110350082A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201910096762.9

申请日：2019-01-31

Applicant: 国际商业机器公司 ,  三星电子株式会社

Inventor： 郑在佑 ,  M.G.萨曼特 ,  S.S.P.帕金 ,  Y.费兰特

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

Abstract: 描述了一种磁性器件和提供磁性器件的方法。该磁性器件包括基板、覆盖基板的MnxN层、在室温下为非磁性的多层结构、以及第一磁性层。MnxN层具有2≤x≤4.75。该多层结构包括Co和E的交替的层，其中E包括包含Al的至少一种其它元素。该多层结构的组成由Co1-xEx表示，x在从0.45到0.55的范围内。第一磁性层包括赫斯勒化合物。第一磁性层与该多层结构接触，并且第一磁性层形成磁隧道结的部分。