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公开(公告)号：CN118554895A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410029646.6
申请日：2024-01-09
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 提供了一种功率放大器。所述功率放大器包括：功率晶体管，被配置为放大输入射频(RF)信号；第一晶体管，包括向所述功率晶体管提供偏置电流的第一端子；以及线性化电路，连接在输入所述输入RF信号的端子与所述第一晶体管的所述第一端子之间，并且被配置为耦合所述输入RF信号的一部分，并且将耦合的输入RF信号提供到所述第一晶体管的所述第一端子，其中，所述耦合的输入RF信号的幅度可根据功率模式改变。
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公开(公告)号：CN118676142A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410296641.X
申请日：2024-03-15
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L27/082 , H01L23/528 , H05K1/18 , H03F3/19 , H03F3/21
Abstract: 本公开提供了一种半导体器件和包括该半导体器件的功率放大器。所述半导体器件包括多个单元晶体管，所述多个单元晶体管中的每个单元晶体管设置在半导体基板上，并且包括配置为输出输出信号的集电极、配置为接收输入信号的基极、发射极、构造为使所述多个单元晶体管的所述发射极互连的发射结布线以及设置为与所述发射结布线形成界面并且设置为与所述发射结布线接触的金属柱，并且所述金属柱包括多个狭缝，所述多个狭缝中的每个狭缝形成腔。
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公开(公告)号：CN118432554A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410044583.1
申请日：2024-01-11
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 提供一种匹配网络和包括匹配网络的功率放大器。该匹配网络被配置为在放大输入射频(RF)的功率放大器中执行阻抗匹配。所述匹配网络包括：第一二极管，包括连接到设置在所述匹配网络的输入端子和所述匹配网络的输出端子之间的节点的阳极；以及第一短截线，连接到所述第一二极管的阴极。响应于输入RF信号而变化的第一反向偏置电压可被施加到第一二极管。
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公开(公告)号：CN114189219A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202110340000.6
申请日：2021-03-30
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H03F3/20
Abstract: 本公开提供一种功率放大器系统，所述功率放大器系统包括：驱动级，被配置为放大射频输入信号并且在包含硅的基板中实现；功率级，包括载波放大器和峰值放大器，所述载波放大器被配置为放大来自所述射频输入信号的由所述驱动级放大的基础信号，所述峰值放大器被配置为放大来自所述射频输入信号的由所述驱动级放大的峰值信号，所述功率级在包含砷化镓的基板中实现；以及相位补偿电路，被配置为改变所述射频输入信号的相位，其中，所述载波放大器或所述峰值放大器连接到所述相位补偿电路。
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公开(公告)号：CN118367877A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202311096422.9
申请日：2023-08-28
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种过压保护电路和包括过压保护电路的功率放大器。所述过压保护电路通过从偏置电路接收偏置电流来保护放大输入射频(RF)信号的功率放大器。所述过压保护电路包括：输入信号检测器，检测所述输入RF信号的幅度；以及第一晶体管，通过所述第一晶体管的控制端子接收基于所述输入RF信号的所述幅度的电压，并且基于所述输入RF信号的所述幅度而导通，以从所述偏置电路的第一节点吸收电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118337161A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202311200130.5
申请日：2023-09-18
Applicant: 三星电机株式会社
Inventor： 表昇彻
Abstract: 提供了一种功率放大器及其操作方法。所述功率放大器可包括：功率晶体管，被配置为放大输入射频(RF)信号并且输出放大的信号；过电压保护电路，被配置为检测所述输入RF信号的幅度，检测所述功率晶体管的输出RF信号的幅度，并且基于所述输入RF信号的幅度和所述输出RF信号的幅度生成过电压输出信号；以及偏置电路，被配置为生成用于使功率晶体管偏置的偏置电流，并且基于所述过电压输出信号调节所述偏置电流。
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公开(公告)号：CN118631184A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410126608.2
申请日：2024-01-29
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种功率放大器，所述功率放大器包括：第一功率晶体管，被配置为放大输入射频(RF)信号，并且输出放大的输入RF信号作为输出RF信号；第一晶体管，包括被配置为将第一偏置电流提供到所述第一功率晶体管的第一端子；以及第一线性化电路，连接在所述第一功率晶体管的输出所述输出RF信号的端子和所述第一晶体管的所述第一端子之间，并且所述第一线性化电路被配置为将所述输出RF信号的一部分耦合到所述第一晶体管的所述第一端子。
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公开(公告)号：CN118367876A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202311213791.1
申请日：2023-09-19
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种功率放大器，被配置为放大输入射频(RF)信号的所述功率放大器包括：第一功率晶体管，包括输入端子；第一电容器，具有连接到所述第一功率晶体管的所述输入端子的第一端；以及电阻器，具有连接到所述第一电容器的第二端的第一端和连接到地的第二端。所述输入RF信号被输入到所述第一电容器的所述第二端和所述电阻器的所述第一端。
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公开(公告)号：CN118282336A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202310879199.9
申请日：2023-07-18
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 提供了一种过电流保护电路和包括过电流保护电路的功率放大器。所述过电流保护电路保护功率放大器，所述功率放大器从偏置电路接收偏置电流并且放大输入射频(RF)信号。所述过电流保护电路包括：包络检测器，被配置为检测与输入射频(RF)信号相对应的第一电压的包络；第一晶体管，被配置为通过所述第一晶体管的控制端子接收所述包络的值，并且基于所述包络的所述值导通以吸收来自偏置电路的第一节点的电流；以及第二晶体管，连接在电源与所述第一晶体管之间并且包括连接到所述偏置电路的所述第一节点的控制端子。
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