多层电容器
    2.
    发明公开
    多层电容器 审中-实审

    公开(公告)号:CN114496562A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202110734788.9

    申请日:2021-06-30

    IPC分类号: H01G4/224 H01G4/30

    摘要: 本发明提供一种多层电容器,所述多层电容器包括:主体,包括堆叠有多个介电层的多层结构,还包括多个内电极,且介电层介于所述多个内电极之间;以及外电极,设置在所述主体的外表面上,并且连接到所述内电极。所述主体还包括有效部和侧边缘部,所述多个内电极位于所述有效部中以形成电容,所述侧边缘部覆盖所述有效部的彼此相对的第一表面和第二表面。包括在所述有效部中的介电层的平均晶粒尺寸不同于包括在所述侧边缘部中的介电层的平均晶粒尺寸。所述侧边缘部包括在所述外电极与所述内电极之间延伸以覆盖所述内电极的一部分的延伸部。

    多层电子组件及其制造方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115249583A

    公开(公告)日:2022-10-28

    申请号:CN202210409891.0

    申请日:2022-04-19

    IPC分类号: H01G4/005 H01G4/30 H01G4/12

    摘要: 本公开提供一种多层电子组件及其制造方法。所述制造多层电子组件的方法包括:制备第一陶瓷生片和第二陶瓷生片,在所述第一陶瓷生片上形成有彼此间隔开的第一内电极图案,在所述第二陶瓷生片上形成有彼此间隔开的第二内电极图案;通过堆叠所述第一陶瓷生片和所述第二陶瓷生片以使所述第一内电极图案和所述第二内电极图案彼此交叉堆叠来形成陶瓷生片堆叠体;通过切割所述陶瓷生片堆叠体来获得多层主体,所述多层主体具有侧表面,所述第一内电极图案和所述第二内电极图案的末端边缘暴露到所述侧表面;将粘合层粘附到所述多层主体的所述侧表面;以及从所述侧表面剥离所述粘合层。

    制造多层电子组件的方法和由该方法制造的多层电子组件

    公开(公告)号:CN117637342A

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202310778117.1

    申请日:2023-06-28

    摘要: 本公开提供一种制造多层电子组件的方法和由该方法制造的多层电子组件。所述制造多层电子组件的方法包括:通过在支撑膜上堆叠其上设置有导电图案的多个陶瓷生片来形成堆叠体;沿着与作为所述多个陶瓷生片的堆叠方向的第一方向垂直的第二方向切割所述堆叠体,并且沿着与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向切割所述堆叠体,以获得多个单元坯;将所述单元坯与所述支撑膜分离,布置所述单元坯,使得所述单元坯的侧表面中的一个与粘合带接触;以及将所述侧表面中的另一个附接到用于侧边缘部的陶瓷生片,并且在所述侧表面中的所述另一个上形成侧边缘部。

    多层电容器
    5.
    发明公开
    多层电容器 审中-实审

    公开(公告)号:CN114360906A

    公开(公告)日:2022-04-15

    申请号:CN202110684288.9

    申请日:2021-06-21

    IPC分类号: H01G4/30 H01G4/005

    摘要: 本公开提供一种多层电容器,所述多层电容器包括:主体,包括介电层和内电极;以及外电极,设置在主体的外表面上并连接到内电极。主体包括:第一表面和第二表面,内电极暴露于第一表面和第二表面,第一表面和第二表面在第一方向上彼此相对;第三表面和第四表面,在第二方向上彼此相对,第二方向是介电层堆叠的方向;以及第五表面和第六表面,在第三方向上彼此相对。内电极中的至少一个内电极包括第一瓶颈结构和第二瓶颈结构,第一瓶颈结构的第三方向外部区域的第一方向长度小于第一瓶颈结构的内部区域的第一方向长度,第二瓶颈结构的第一方向外部区域的第三方向长度小于第二瓶颈结构的内部区域的第三方向长度。