公开(公告)号：CN102269901A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201110058809.6

申请日：2011-03-09

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 詹志锋 ,  太胜奎 ,  金德会

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1333 ,  H01L27/02 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/1259 ,  G02F1/136213 ,  H01L27/1255 ,  H01L28/87

Abstract: 本发明提供一种平板显示设备及其制造方法，该平板显示设备具有增加的电容。一种平板显示设备，包括：多个像素区，每个像素区位于栅极线、数据线和公共电压线的交叉区域；薄膜晶体管(TFT)，位于所述栅极线和所述数据线彼此交叉的区域，所述TFT包括栅电极、源电极和漏电极；以及存储电容器，位于所述公共电压线和所述漏电极彼此交叉的区域，所述存储电容器包括第一存储电极、第二存储电极和第三存储电极。

公开(公告)号：CN102270605A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201110156802.8

申请日：2011-06-03

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 郑震九 ,  金德会 ,  太胜奎 ,  元裕奉 ,  郑盛祐

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L28/60 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136286 ,  G02F2201/40 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明提供一种平板显示设备及其制造方法。所述制造平板显示设备的方法包括：在基板上形成薄膜晶体管(TFT)的半导体层；在所述半导体层上形成栅电极，其中所述栅电极与所述半导体层之间有栅绝缘层，并且利用离子杂质对所述半导体层的源区和漏区进行掺杂；依次形成第一导电层、第一绝缘层和第二导电层，并且通过图案化所述第一导电层、所述第一绝缘层和所述第二导电层在离开所述TFT一定距离处形成电容器；形成第二绝缘层，并且形成穿过所述第二绝缘层的接触孔，所述接触孔暴露所述源区和所述漏区以及所述第二导电层的一部分；并且形成通过所述接触孔分别接触所述源区和所述漏区以及所述第二导电层的源电极和漏电极。