液晶显示面板
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105182585B

    公开(公告)日:2019-07-09

    申请号:CN201510614389.3

    申请日:2015-09-24

    发明人: 刘兆 胡敏 麦真富

    IPC分类号: G02F1/1333

    摘要: 一种液晶显示面板。该液晶显示面板定义有显示区以及环绕所述显示区的非显示区,且该液晶显示面板包括第一基板、与该第一基板相对设置的第二基板、夹于该第一基板及该第二基板之间的液晶层及一温度控制装置。所述第一基板包括位于所述显示区的遮光部。所述温度控制装置包括用于为所述液晶显示面板进行加热的加热元件。该加热元件的位置与所述遮光部相对应。本发明所提供的液晶显示面板通过增加加热元件,能够使液晶显示面板在低温环境下依然具有良好的显示效果。且由于该加热元件与遮光部相对应,不会影响液晶显示面板的开口率。

    一种阵列基板、显示面板及显示装置

    公开(公告)号:CN107479279A

    公开(公告)日:2017-12-15

    申请号:CN201710653922.6

    申请日:2017-08-02

    发明人: 杜鹏

    摘要: 本申请公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置。该阵列基板包括若干个多边形像素、若干扫描线和若干数据线;其中,所述任意相邻的两奇数列或两偶数列的多边形像素之间的距离为所述多边形像素的一条边长;每个所述多边形像素设置有相应的开关器件,所述开关器件分别与相应的所述扫描线和所述数据线连接;所述扫描线沿着相邻两行所述多边形像素之间的间隙延伸,所述数据线沿着相邻两列所述多边形像素之间的间隙延伸。本申请的阵列基板通过将像素设置为多边形像素,使得像素面积不变的情况下,每个像素的周长减小,进而减小了需要设置黑矩阵的面积,提升阵列基板的开口率和穿透率。

    主动开关阵列基板
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107422562A

    公开(公告)日:2017-12-01

    申请号:CN201710867740.9

    申请日:2017-09-22

    发明人: 单剑锋

    摘要: 本发明实施例公开一种主动开关阵列基板包括:透明基板,以及设置在透明基板上的第一扫描线、第二扫描线、第三扫描线、第一数据线、第二数据线、第一像素电极和第二像素电极;第一及第二扫描线与第一及第二数据线、第二及第三扫描线与第一及第二数据线分别交叉设置围成相邻的第一像素单元区域和第二像素单元区域;第一像素电极位于第一像素单元区域内且设有从第一扫描线向第二扫描线延伸的第一狭隙;第二像素电极位于第二像素单元区域内且设有从第二扫描线向第三扫描线延伸的第二狭隙。本发明实施例通过在像素电极上倾斜开设至少一条狭隙,能够为液晶分子的排布预置一定的倾斜角度,从而提高具有该像素结构的显示设备的可视角度。

    一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置

    公开(公告)号:CN107255882A

    公开(公告)日:2017-10-17

    申请号:CN201710712562.2

    申请日:2017-08-18

    IPC分类号: G02F1/1333

    CPC分类号: G02F1/13338 G02F2201/40

    摘要: 本发明公开了一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置,仅在亚像素的间隙处设置多条均与触控电极连接的触控信号线,即在阵列基板的像素单元区域不设置浮空的触控信号线,因此,可以根据触控电极的数量确定实际需要的触控通道数即触控信号线的数目,按照只在亚像素间隙处增加与触控电极连接的触控信号线的原则,将触控信号线均匀的设置于阵列基板的显示区域,以替代现有的在每个像素单元均设置一条触控信号线的设计方案。且确保每相邻两条触控信号线之间间隔相同且大于一像素单元所包含数量的亚像素,这样,相对于现有的阵列基板设计方案,通过减少触控信号线的方式,可以确保减小触控信号线对像素开口率的影响,以使显示面板整体的开口率得到提升。

    阵列基板、液晶显示面板及阵列基板的制作方法

    公开(公告)号:CN107065347A

    公开(公告)日:2017-08-18

    申请号:CN201710191562.2

    申请日:2017-03-28

    发明人: 毛琼琴 曹兆铿

    IPC分类号: G02F1/1362 G02F1/1343

    摘要: 本申请公开了阵列基板、液晶显示面及阵列基板的制作方法,阵列基板包括衬底基板、公共电极、位于衬底基板与公共电极之间的像素电极、栅极、有源层、源/漏电极、第一辅助电极和第二辅助电极。第一辅助电极与像素电极同层,第二辅助电极与栅极同层,栅极与有源层之间设置第一绝缘层,源/漏电极形成在有源层之上,源/漏电极与公共电极之间设置第二绝缘层。过孔贯穿第一绝缘层与第二绝缘层,连接导体通过一个过孔连接源/漏电极靠近像素电极的侧面、第二辅助电极靠近栅极的侧面和像素电极。连接导体与公共电极同层且相互绝缘。本申请实施例提供的方案,减少了用于连接源/漏电极与像素电极的过孔的数量,可以提高像素的开口率。