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公开(公告)号：CN113969106B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110829759.0
申请日：2021-07-22
申请人： 三星SDI株式会社
摘要： 一种用于抛光钨图案晶片的CMP浆料组合物以及使用其抛光钨图案晶片的方法。所述CMP浆料组合物包含：选自极性溶剂及非极性溶剂中的至少一种溶剂；研磨剂；以及杀生物剂，其中所述研磨剂包含用选自含两个氮原子的硅烷及含三个氮原子的硅烷中的至少一者改性的二氧化硅，并且所述杀生物剂包含式3的化合物。所述CMP浆料组合物可在抛光钨图案晶片时提高钨图案晶片的抛光速率及平整度。
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公开(公告)号：CN113969106A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202110829759.0
申请日：2021-07-22
申请人： 三星SDI株式会社
摘要： 一种用于抛光钨图案晶片的CMP浆料组合物以及使用其抛光钨图案晶片的方法。所述CMP浆料组合物包含：选自极性溶剂及非极性溶剂中的至少一种溶剂；研磨剂；以及杀生物剂，其中所述研磨剂包含用选自含两个氮原子的硅烷及含三个氮原子的硅烷中的至少一者改性的二氧化硅，并且所述杀生物剂包含式3的化合物。所述CMP浆料组合物可在抛光钨图案晶片时提高钨图案晶片的抛光速率及平整度。
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公开(公告)号：CN114350263B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202111152096.X
申请日：2021-09-29
申请人： 三星SDI株式会社
IPC分类号： C09G1/02 , B82Y30/00 , H01L21/321
摘要： 本发明涉及一种用于抛光钨图案晶片的化学机械抛光浆料组合物和使用其抛光钨图案晶片的方法。化学机械抛光组合物包含溶剂和研磨剂。研磨剂包含用聚乙烯亚胺衍生的氨基硅烷改性的二氧化硅，且组合物具有4到7的pH。所述组合物可改进钨图案晶片的抛光速率和平整度，同时抑制在抛光后产生刮痕缺陷。
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公开(公告)号：CN116410668A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202211433983.9
申请日：2022-11-16
申请人： 三星SDI株式会社
IPC分类号： C09G1/02 , H01L21/3213
摘要： 公开一种用于对钨图案晶片进行抛光的化学机械抛光浆料组合物以及一种使用所述化学机械抛光浆料组合物对钨图案晶片进行抛光的方法。所述用于对钨图案晶片进行抛光的化学机械抛光浆料组合物可包含：选自极性溶剂及非极性溶剂中的至少一种溶剂；研磨剂，含有用具有至少一个氮原子的硅烷化合物改性的氧化硅；以及含环氧烷基的氟类表面活性剂。
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公开(公告)号：CN117987014A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311398081.0
申请日：2023-10-26
申请人： 三星SDI株式会社
IPC分类号： C09G1/02 , C23F3/04 , C23F3/06 , H01L21/321
摘要： 在本文中公开一种用于对钨进行抛光的化学机械抛光浆料组合物以及使用其对钨进行抛光的方法。所述用于对钨进行抛光的化学机械抛光浆料组合物包括：选自极性溶剂和非极性溶剂的至少一种溶剂；磨料剂；以及由式3表示的化合物或其络合物。本发明可提高抛光表面的平整度。
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公开(公告)号：CN114350263A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111152096.X
申请日：2021-09-29
申请人： 三星SDI株式会社
IPC分类号： C09G1/02 , B82Y30/00 , H01L21/321
摘要： 本发明涉及一种用于抛光钨图案晶片的化学机械抛光浆料组合物和使用其抛光钨图案晶片的方法。化学机械抛光组合物包含溶剂和研磨剂。研磨剂包含用聚乙烯亚胺衍生的氨基硅烷改性的二氧化硅，且组合物具有4到7的pH。所述组合物可改进钨图案晶片的抛光速率和平整度，同时抑制在抛光后产生刮痕缺陷。
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