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公开(公告)号:CN107636111B
公开(公告)日:2020-10-16
申请号:CN201580079993.9
申请日:2015-12-04
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 提供一种通过寡聚物或聚合物钝化(passivation)的量子点、含其的组成物及其的制法及半导体薄膜与装置,所述寡聚物或聚合物通过使第一单体与第二单体反应获得,所述第一单体的末端具有至少三个硫醇基(‑SH),所述第二单体的末端具有至少两个能够与硫醇基反应的官能基(functional group)及在至少两个官能基之间的间隔基(spacer group)。通过寡聚物或聚合物钝化的量子点可具有改良的抗氧气或湿气的稳定性、及改良的热稳定性及光学稳定性、及于薄膜形成期间所用的溶剂或基质树脂中充分分散。
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公开(公告)号:CN107636111A
公开(公告)日:2018-01-26
申请号:CN201580079993.9
申请日:2015-12-04
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: G02F1/017 , C09K11/02 , C09K11/54 , C09K11/565 , C09K11/70 , C09K11/883 , G02F1/133711 , G02F2001/01791
Abstract: 提供一种通过寡聚物或聚合物钝化(passivation)的量子点,所述寡聚物或聚合物通过使第一单体与第二单体反应获得,所述第一单体的末端具有至少三个硫醇基(-SH),所述第二单体的末端具有至少两个能够与硫醇基反应的官能基(functional group)及在至少两个官能基之间的间隔基(spacer group)。
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