公开(公告)号：CN101529674B

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200780038887.1

申请日：2007-10-15

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 松野裕司

IPC: H01S5/02

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/16 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供一种能够抑制成品率的降低并具有良好的发光特性的氮化物类半导体激光元件的制造方法。该氮化物类半导体激光元件的制造方法包括：在n型GaN衬底(1)上形成多个氮化物类半导体各层(2～7)的工序；形成由p型包覆层(6)与接触层(7)构成并在[1-100]方向上延伸的脊部(8)的工序；通过照射YAG激光，在n型GaN衬底(1)的上表面上形成在与脊部(8)垂直相交的方向([11-20]方向)上延伸的槽部(30)的工序；通过以槽部(30)为起点分割n型GaN衬底(1)，形成谐振器端面(50)的工序，形成槽部(30)的工序包括：在从脊部(8)的侧面仅隔开规定距离W2(约50μm～200μm)的区域形成槽(30)的端部的工序。

公开(公告)号：CN101529674A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200780038887.1

申请日：2007-10-15

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 松野裕司

IPC: H01S5/02

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/16 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供一种能够抑制成品率的降低并具有良好的发光特性的氮化物类半导体激光元件的制造方法。该氮化物类半导体激光元件的制造方法包括：在n型GaN衬底(1)上形成多个氮化物类半导体各层(2～7)的工序；形成由p型包覆层(6)与接触层(7)构成并在[1－100]方向上延伸的脊部(8)的工序；通过照射YAG激光，在n型GaN衬底(1)的上表面上形成在与脊部(8)垂直相交的方向([11－20]方向)上延伸的槽部(30)的工序；通过以槽部(30)为起点分割n型GaN衬底(1)，形成谐振器端面(50)的工序，形成槽部(30)的工序包括：在从脊部(8)的侧面仅隔开规定距离W2(约50μm～200μm)的区域形成槽(30)的端部的工序。