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公开(公告)号：CN107408791A8
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201680010640.8
申请日：2016-02-17
Applicant: II-VI有限公司
CPC classification number: H01S5/02236 , H01S5/0201 , H01S5/0215 , H01S5/0224 , H01S5/02252 , H01S5/02272 , H01S5/02469 , H01S5/4031
Abstract: 本发明涉及光通讯领域，公开了一种密集光源光学系统，包含多个独立的单发射激光二极管，散热材料基板，所述基板上表面沉积有多个独立的金属化区域，所述独立的单发射激光二极管，分别放置接触所述金属化区域中相应的一个。以及一种制作单个底座支撑多个密集的单发射激光二极管的方法，包括如下步骤：（1）提供集成激光器结构；（2）提供一个散热底座包括一个顶部金属接触层；（3）连接集成激光器结构到散热底座；（4）单一化步骤（3）创建的安排，分离光发射区和多个密集单管激光二极管。本发明的有益效果为可以有效避免激光二极管相对于其他激光二极管的发射器区的对准误差。
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公开(公告)号：CN104871378B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201380066530.X
申请日：2013-12-17
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/0206 , H01S5/02236 , H01S5/0226 , H01S5/02268 , H01S5/02272 , H01S5/323 , H01S5/32333
Abstract: 在至少一个实施方式中设立用于制造半导体激光器元件（1）的方法并且该方法包括如下步骤：A）提供具有用于半导体激光器元件（1）的多个载体（2）的载体复合件（20），B）提供具有多个半导体激光二极管（3）的激光器条（30），所述半导体激光二极管包括共同的生长衬底（31）和在其上生长的半导体层序列（32），C）在生长衬底（31）的背离半导体层序列（32）的衬底下侧（34）上产生预定断裂部位（35），D）将激光器条（30）安置在载体复合件（20）的载体上侧（23）上，其中在提高的温度下进行该安置并且随后冷却，和E）分割成半导体激光器元件（1），其中步骤B）至E）以所说明的顺序执行。
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公开(公告)号：CN102891231B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201210256571.2
申请日：2012-07-23
Applicant: 浜松光子学株式会社
Inventor： 内山直己
CPC classification number: B23K26/0617 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/172 , B23K2103/50 , H01L33/0095 , H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/32341
Abstract: 该发光元件的制造方法具备：将聚光点（P1）对准在表面（2a）上形成有III‑V族化合物半导体层（17）的蓝宝石基板（2）的内部，以基板（2）的背面（2b）作为激光入射面，沿着切断预定线（5a、5b）照射激光（L1），由此沿着切断预定线（5a、5b）在基板（2）的内部形成改质区域（7a、7b）的工序；其后，在基板（2）的背面（2b）形成光反射层的工序；其后，通过使以改质区域（7a、7b）为起点而产生的龟裂在基板（2）的厚度方向上伸展，从而沿着切断预定线（5a、5b）切断基板（2）、半导体层（17）和光反射层，制造发光元件的工序。
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公开(公告)号：CN104148816A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410192756.0
申请日：2014-05-08
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/53 , B23K26/0622 , B23K26/064
CPC classification number: H01S3/10 , H01L21/00 , H01L21/78 , H01L23/00 , H01L2924/0002 , H01S5/0201 , H01S5/021 , H01S5/0213 , H01S5/32341 , B23K26/046 , B23K26/38 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种激光加工方法，能够沿分割预定线将单晶基板高效率地分割成一个个芯片，并且不会降低芯片的品质。该激光加工方法是向单晶基板照射脉冲激光光线来实施加工的方法，其包括以下工序：数值孔径设定工序，设定对脉冲激光光线进行聚光的聚光镜的数值孔径(NA)，使得聚光镜的数值孔径(NA)除以单晶基板的折射率(N)所得到的值在0.05～0.2的范围以内；定位工序，对聚光镜和单晶基板相对地在光轴方向上进行定位，使得脉冲激光光线的聚光点被定位在单晶基板的厚度方向上的期望位置；以及遮护隧洞形成工序，照射脉冲激光光线，使细孔和遮护细孔的非晶质在定位于单晶基板的聚光点与照射了脉冲激光光线的一侧之间生长，形成遮护隧洞。
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公开(公告)号：CN101553962B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200680039345.1
申请日：2006-08-24
Applicant: 宾奥普迪克斯股份有限公司
CPC classification number: H01S5/0207 , G11B7/127 , G11B7/22 , H01S5/0042 , H01S5/0201 , H01S5/026 , H01S5/1039 , H01S5/18 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S5/4056 , H01S2301/18
Abstract: 一种用于制造例如光存储所需要的具有好的光学波阵面特性的激光器的方法和结构，包括提供一种激光器，其中从激光器前腔面形成的输出光束不被半导体薄片的边缘所阻挡，来防止有害的光束畸变。半导体激光器结构外延生长在基底上，且至少具有下熔覆层、激活层、上熔覆层和接触层。穿过由光刻确定的掩模的干法刻蚀制造具有长度为lc、宽度为bm的激光器台面。另一种光刻和刻蚀用于形成台面顶部宽度为w的脊形结构。刻蚀步骤也在激光器波导结构的末端形成镜面或腔面。薄片的长度ls和宽度bs可以被选择为等于或长于波导长度lc和台面宽度bm的方便的数值。波导长度和宽度被选择，以使对于给定的缺陷密度D，产率大于50％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101772846A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200880101844.8
申请日：2008-07-31
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/301 , H01S5/323
CPC classification number: H01S5/0201 , B82Y20/00 , H01L33/0095 , H01S5/0202 , H01S5/0213 , H01S5/305 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件的制造方法，使蓝宝石晶片形成芯片时，能够以极高的成品率正确地形成芯片。该半导体发光元件的制造方法是从具有定位面的蓝宝石基板上叠层了氮化镓类化合物半导体的晶片制造半导体发光元件的方法，其具有如下的工序：在平行所述定位面的方向(Xo)具有偏移角(θ)的蓝宝石基板的第1主面上叠层半导体层，在所述半导体层侧，形成第1切断槽，所述第1切断槽在大致垂直所述方向(Xo)的方向(Y)上延伸，在所述蓝宝石基板的内部，平行所述第1切断槽，并且对应偏移角(θ)的倾斜度，从第1切断槽内的分割预定线向±Xo方向移动规定距离，从而形成第2切断线，沿着所述第1以及/或者第2切断线分割晶片。
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公开(公告)号：CN101615764A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910139684.2
申请日：2005-06-08
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 神川刚
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0201 , H01S5/0206 , H01S5/0207 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 提供了一种半导体元件及其制造方法。该半导体器件包括：已处理衬底，具有作为其至少一部分表面的氮化物半导体层，所述已处理衬底具有在其上形成的包括至少一个凹陷部分的刻槽区域和作为非刻槽区域的脊部分；以及氮化物半导体分层结构部分，包括至少一种类型的氮化物半导体薄膜，且设置在所述刻槽区域中和在所述脊部分的表面上。所述已处理衬底具有多个具有变化面积的非刻槽区域。设置在非刻槽区域上的氮化物分层结构的、从所述脊部分的表面到所述氮化物半导体分层结构部分的表面测量的厚度，根据所述脊部分的表面的面积而变化。
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公开(公告)号：CN101533801A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910008198.7
申请日：2009-03-13
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 荒井一尚
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/64 , H01L2933/0075 , H01S5/0201
Abstract: 本发明提供光器件制造方法。该光器件制造方法沿着划分多个光器件的切割道来分割在基板表面上通过光器件层形成多个光器件的光器件晶片，并将散热片接合到各光器件上，该方法包括：散热材料槽形成工序，在散热材料表面上与划分多个光器件的切割道对应的位置处，形成深度相当于散热片完成厚度的槽；散热材料接合工序，使光器件晶片的光器件层的表面和散热材料的表面相对，并通过接合金属层来接合；光器件晶片分割工序，沿切割道切断光器件晶片，分割成各个光器件；保护部件贴附工序，在光器件晶片的基板的背面上，贴附保护部件；散热材料分割工序，磨削散热材料的背面，使背面露出槽，将散热材料分割成与各光器件对应的散热片。
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公开(公告)号：CN101529674A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780038887.1
申请日：2007-10-15
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 松野裕司
IPC: H01S5/02
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/0425 , H01S5/1039 , H01S5/16 , H01S5/2201 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种能够抑制成品率的降低并具有良好的发光特性的氮化物类半导体激光元件的制造方法。该氮化物类半导体激光元件的制造方法包括：在n型GaN衬底(1)上形成多个氮化物类半导体各层(2～7)的工序；形成由p型包覆层(6)与接触层(7)构成并在[1－100]方向上延伸的脊部(8)的工序；通过照射YAG激光，在n型GaN衬底(1)的上表面上形成在与脊部(8)垂直相交的方向([11－20]方向)上延伸的槽部(30)的工序；通过以槽部(30)为起点分割n型GaN衬底(1)，形成谐振器端面(50)的工序，形成槽部(30)的工序包括：在从脊部(8)的侧面仅隔开规定距离W2(约50μm～200μm)的区域形成槽(30)的端部的工序。
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公开(公告)号：CN101316026A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200810099971.0
申请日：2008-05-29
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/0425 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/34333
Abstract: 在一种具有抑制氮化物半导体层上的台阶生成的结构的氮化物半导体激光器芯片中，衬底以(1－100)面为主表面，谐振器端面垂直于主表面，而且，在形成谐振器端面的解理表面中，至少在条带形波导的一边，形成刻入部分，作为朝向氮化物半导体层的表面开口的刻入区域。
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