-
公开(公告)号：CN1182729A
公开(公告)日：1998-05-27
申请号：CN97104702.2
申请日：1997-01-31
Applicant: 三菱化学株式会社
CPC classification number: C07C2/30 , B01J31/0237 , B01J31/0247 , B01J31/04 , B01J31/143 , B01J31/223 , B01J2231/20 , B01J2531/62 , C07C2531/02 , C07C2531/14
Abstract: 本发明涉及制造α－烯烃低聚物的方法,是通过在反应区中和含铬基催化剂的反应溶液存在下使α－烯烃进行低聚,它包括,通过使用所述铬基催化剂连续地进行所述α－烯烃的低聚,并保持α－烯烃低聚物与α－烯烃的摩尔比在0.05—1.00的范围,该铬基催化剂包括至少一种铬化合物(a),一种含氮化合物(b),选自由胺,酰胺和酰亚胺组成的组,和烷基铝化合物(c)。
-
公开(公告)号：CN1935773A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610071816.9
申请日：2002-10-24
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C07C61/09 , C07C51/353
Abstract: (1)一种用于生产反式－1，4－环己二羧酸(t－CHDA)的方法，该法包括加热粗CHDA至180℃或更高，并保持粗CHDA在180℃或更高和低于t－CHDA熔点范围的温度下，以沉淀在熔融的顺式－1，4－环己二羧酸(c－CHDA)中的异构化所形成的t－CHDA；(2)一种t－CHDA的生产方法，其中粉末或颗粒的粗CHDA在不低于c－CHDA熔点到低于t－CHDA熔点的温度下进行热处理，以使顺式异构体异构化成反式异构体，同时保持粉状颗粒的状态；(3)一种t－CHDA的生产方法，其中保持粗CHDA在不低于c－CHDA熔点和低于t－CHDA熔点的温度下，同时使粗CHDA保持流动，以制备粉状颗粒的t－CHDA；和(4)一种净化粗CHDA的方法，其中使通过氢化TPA等的步骤制得的粗CHDA在惰性气体下加热，通过蒸发除去杂质。上述方法可使用于通过使用简单和容易的方法以有良好效率生产高纯度的t－CHDA的c－CHDA异构化。
-
公开(公告)号：CN1310868C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN02824302.1
申请日：2002-10-24
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C07C61/09 , C07C51/353
CPC classification number: C07C51/353 , C07C51/363 , C07C2601/14 , C07C61/09
Abstract: (1)一种用于生产反式-1，4-环己二羧酸(t-CHDA)的方法，该法包括加热粗CHDA至180℃或更高，并保持粗CHDA在180℃或更高和低于t-CHDA熔点范围的温度下，以沉淀在熔融的顺式-1，4-环己二羧酸(c-CHDA)中的异构化所形成的t-CHDA；(2)一种t-CHDA的生产方法，其中粉末或颗粒的粗CHDA在不低于c-CHDA熔点到低于t-CHDA熔点的温度下进行热处理，以使顺式异构体异构化成反式异构体，同时保持粉状颗粒的状态；(3)一种t-CHDA的生产方法，其中保持粗CHDA在不低于c-CHDA熔点和低于t-CHDA熔点的温度下，同时使粗CHDA保持流动，以制备粉状颗粒的t-CHDA；和(4)一种净化粗CHDA的方法，其中使通过氢化TPA等的步骤制得的粗CHDA在惰性气体下加热，通过蒸发除去杂质。上述方法可使用于通过使用简单和容易的方法以有良好效率生产高纯度的t-CHDA的c-CHDA异构化。
-
公开(公告)号：CN1608042A
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN02824302.1
申请日：2002-10-24
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C07C61/09 , C07C51/353
CPC classification number: C07C51/353 , C07C51/363 , C07C2601/14 , C07C61/09
Abstract: (1)一种用于生产反式－1，4－环己二羧酸(t－CHDA)的方法，该法包括加热粗CHDA至180℃或更高，并保持粗CHDA在180℃或更高和低于t－CHDA熔点范围的温度下，以沉淀在熔融的顺式－1，4－环己二羧酸(c－CHDA)中的异构化所形成的t－CHDA；(2)一种t－CHDA的生产方法，其中粉末或颗粒的粗CHDA在不低于c－CHDA熔点到低于t－CHDA熔点的温度下进行热处理，以使顺式异构体异构化成反式异构体，同时保持粉状颗粒的状态；(3)一种t－CHDA的生产方法，其中保持粗CHDA在不低于c－CHDA熔点和低于t－CHDA熔点的温度下，同时使粗CHDA保持流动，以制备粉状颗粒的t－CHDA；和(4)一种净化粗CHDA的方法，其中使通过氢化TPA等的步骤制得的粗CHDA在惰性气体下加热，通过蒸发除去杂质。上述方法可使用于通过使用简单和容易的方法以有良好效率生产高纯度的t－CHDA的c－CHDA异构化。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.018 seconds)
