非对称膜
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110382097B

    公开(公告)日:2020-07-07

    申请号:CN201980001476.8

    申请日:2019-01-30

    Abstract: 一种非对称膜,其为包含通过交联剂将聚酰亚胺树脂交联而成的交联聚酰亚胺树脂的非对称膜,前述聚酰亚胺树脂具有源自四羧酸二酐的结构单元(A)和源自二胺的结构单元(B),前述结构单元(A)包含源自式(a‑1)所示的化合物的结构单元(A‑1),前述结构单元(B)包含源自式(b‑1)的结构单元(B‑1),前述结构单元(B)100mol%中的该结构单元(B‑1)的比率为0.1~50mol%,前述交联剂为包含2个以上与羧基键合的官能团的化合物。(式(b‑1)中,Q1和Q2各自独立地为包含芳香族基团、脂肪族烃基和/或脂环式烃基的基团,X为单键或特定的基团,p为0~2的整数,m1为0~4的整数,m2为0~4的整数。其中,p为0的情况下,m1为1~4的整数。)

    半导体基板清洗用组合物、半导体基板的清洗方法、及半导体基板的制造方法

    公开(公告)号:CN119452454A

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202380050109.3

    申请日:2023-06-27

    Abstract: 一种半导体基板清洗用组合物,其包含:成分(A):选自由氢氟酸、氢氟酸的盐、以式(a)表示的阴离子作为共轭碱的酸、以式(a)表示的阴离子作为共轭碱的酸的盐组成的组中的至少1种,[MFn](n‑k)‑(a)成分(B):式(b)表示的化合物,[MOm(OR)k‑2m]x(b)(M为硼、硅、锆、锑、铌、铝、磷、钛,k为M的氧化数,m为0以上且k/2以下的整数,x为正整数,R为氢原子、碱金属、烷基,n为针对M的氟化物离子的配位数。)成分(C):氧化剂,及成分(D):水,以下述式(I)表示的α为0.2以上且1.1以下。([F]为氟化物离子在前述组合物中的摩尔浓度,[M]为M在前述组合物中的摩尔浓度,n(M)为针对M的氟化物离子的配位数。)#imgabs0#

    非对称膜
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110382097A

    公开(公告)日:2019-10-25

    申请号:CN201980001476.8

    申请日:2019-01-30

    Abstract: 一种非对称膜,其为包含通过交联剂将聚酰亚胺树脂交联而成的交联聚酰亚胺树脂的非对称膜,前述聚酰亚胺树脂具有源自四羧酸二酐的结构单元(A)和源自二胺的结构单元(B),前述结构单元(A)包含源自式(a-1)所示的化合物的结构单元(A-1),前述结构单元(B)包含源自式(b-1)的结构单元(B-1),前述结构单元(B)100mol%中的该结构单元(B-1)的比率为0.1~50mol%,前述交联剂为包含2个以上与羧基键合的官能团的化合物。(式(b-1)中,Q1和Q2各自独立地为包含芳香族基团、脂肪族烃基和/或脂环式烃基的基团,X为单键或特定的基团,p为0~2的整数,m1为0~4的整数,m2为0~4的整数。其中,p为0的情况下,m1为1~4的整数。)

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