半导体装置的制造装置以及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN118107080A

    公开(公告)日:2024-05-31

    申请号:CN202311580404.8

    申请日:2023-11-24

    摘要: 本发明涉及半导体装置的制造装置以及半导体装置的制造方法,即使在尺寸不同的半导体芯片混合存在的情况下,也能够将各个半导体芯片适当地设为容易从切割片剥离的状态而进行拾起。拾取装置(10)具有:工作台(12),其具有与贴附有半导体芯片(101)的切割片(100)的背面相对地配置的多个凸起部(13);以及吸引单元(14),其将外框(11)、切割片(100)、工作台(12)之间的空间抽真空。多个凸起部(13)包含彼此高度或上下方向的弹性模量不同的多个第1凸起部(13a)和多个第2凸起部(13b)。

    半导体试验装置和半导体试验方法

    公开(公告)号:CN116325104A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202180066270.0

    申请日:2021-08-25

    IPC分类号: H01L21/66

    摘要: 试验载台(51)对配置有多个半导体元件(26、27)的晶圆(63)进行固定,并且具有与多个半导体元件(26、27)的正极电连接的正极的作用。恒流源(1、2)向试验载台(51)供给恒流。第1探针(53)将半导体元件(27)的负极与恒流源的负极(42)连接。电极(31、32)配置在试验载台(51)的外周,分别与恒流源(1、2)中的1个恒流源连接,并作为2个电流供给点发挥功能。集电极感测端子(33)配置在试验载台(51)的外周。电压计(3)测定集电极感测端子(33)与恒流源的负极(42)之间的电压。

    半导体制造装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116313887A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202211612934.1

    申请日:2022-12-15

    IPC分类号: H01L21/67

    摘要: 本发明涉及半导体制造装置,目的在于提供半导体芯片角的切割带剥离容易推进的半导体制造装置。本发明的半导体制造装置具有拾取台,该拾取台具有使四边形的半导体芯片升降的机构,拾取台在四角具有第一上推块。第一上推块构成为具有:与半导体芯片的一条边平行的第一边;与半导体芯片的另一条边平行的第二边;以及偏移部,其形成为在第一边与所述第二边之间与第一边和第二边各自的延长线的交点相比向内侧偏移。

    半导体测试装置及半导体测试方法

    公开(公告)号:CN114509646A

    公开(公告)日:2022-05-17

    申请号:CN202111232242.X

    申请日:2021-10-22

    IPC分类号: G01R31/12 G01R31/26

    摘要: 本发明的目的是提供可在晶片状态下进行半导体器件耐压试验的半导体测试装置及半导体测试方法。本发明涉及的半导体测试装置具有:工作台(1),其载置晶片;加压壁(4),其设置于探针板的与工作台相对的面之上,朝向工作台延伸且具有开口部;标记(11),其设置于加压壁的与工作台相对的面即加压壁下表面;探针(5),其设置于开口部内;气管(6),其将空气送入开口部内;检测器(8),其对探针的前端与标记之间的第1间隔进行检测;以及控制部,其基于第1间隔对晶片与加压壁下表面之间的第2间隔进行控制,在对晶片处的各芯片的电气特性进行测定时,控制部以第2间隔成为预先确定的间隔的方式进行控制,从气管将空气送入开口部内。

    评价装置及评价方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108254667A

    公开(公告)日:2018-07-06

    申请号:CN201711445768.X

    申请日:2017-12-27

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本发明的目的在于提供一种能够抑制局部放电的发生的技术。评价装置具备:探针,其配置于上部件的下表面;侧壁部,其配置于上部件的下表面,将探针的侧方包围;以及第1气体供给部。第1气体供给部在侧壁部与工作台接近的情况下,能够朝向在工作台载置的被测定物供给气体,在侧壁部与工作台接触的情况下,能够对由工作台、侧壁部及上部件包围的空间供给气体。

    输入电容测定电路及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN115704836A

    公开(公告)日:2023-02-17

    申请号:CN202210908518.X

    申请日:2022-07-29

    IPC分类号: G01R27/26

    摘要: 目的在于提供使半导体装置的输入电容的测定精度提高的输入电容测定电路。还涉及半导体装置的制造方法。输入电容测定电路具有变压器、第1电容器、第2电容器及第3电容器。变压器的初级配线的一端设置为能够与半导体装置的阳极连接。变压器的初级配线的另一端与第1电容器的一端连接。变压器的次级配线的一端设置为能够与半导体装置的阴极连接。变压器的次级配线的另一端与第2电容器的一端连接。第3电容器的一端设置为能够与半导体装置的阴极连接。第1电容器的另一端、第2电容器的另一端和第3电容器的另一端彼此电连接。

    评价装置及评价方法
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108254667B

    公开(公告)日:2020-12-04

    申请号:CN201711445768.X

    申请日:2017-12-27

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本发明的目的在于提供一种能够抑制局部放电的发生的技术。评价装置具备:探针,其配置于上部件的下表面;侧壁部,其配置于上部件的下表面,将探针的侧方包围;以及第1气体供给部。第1气体供给部在侧壁部与工作台接近的情况下,能够朝向在工作台载置的被测定物供给气体,在侧壁部与工作台接触的情况下,能够对由工作台、侧壁部及上部件包围的空间供给气体。

    评价装置、半导体装置的评价方法

    公开(公告)号:CN107870294B

    公开(公告)日:2020-09-15

    申请号:CN201710899457.4

    申请日:2017-09-28

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本发明的目的在于,提供在半导体装置的电气特性的评价时,能够抑制局部放电的产生,且抑制异物或橡胶痕迹向半导体装置的表面转印的便利性高的评价装置和半导体装置的评价方法。特征在于,具有:绝缘板;多个探针,它们固定于该绝缘板;绝缘部,其具有可拆卸地与该绝缘板连接的连接部分和与该连接部分相连的前端部分,该前端部分比该连接部分形成得细;绝缘物,其是组合多个该绝缘部,以在俯视观察时包围该多个探针的方式形成的;以及评价部,其使电流流过该多个探针,对被测定物的电气特性进行评价。

    半导体拾取装置
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109659252A

    公开(公告)日:2019-04-19

    申请号:CN201811155776.5

    申请日:2018-09-30

    IPC分类号: H01L21/67 H01L21/683

    摘要: 本发明的目的在于,提供能够将半导体芯片和载片带剥离而不在半导体芯片发生破裂及缺损等缺陷的技术。半导体拾取装置(500)具有:拾取台(100),其隔着在半导体芯片(1)的下表面粘贴的载片带(2)而载置半导体芯片(1);延展部(200),其对载片带(2)进行保持,对载片带(2)进行拉伸;顶起针(3),其能够从拾取台(100)的上表面凸出,隔着载片带(2)将半导体芯片(1)顶起;以及使顶起针(3)一边螺旋状地动作一边顶起的机构。

    评价装置、半导体装置的评价方法

    公开(公告)号:CN107870294A

    公开(公告)日:2018-04-03

    申请号:CN201710899457.4

    申请日:2017-09-28

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本发明的目的在于,提供在半导体装置的电气特性的评价时,能够抑制局部放电的产生,且抑制异物或橡胶痕迹向半导体装置的表面转印的便利性高的评价装置和半导体装置的评价方法。特征在于,具有:绝缘板;多个探针,它们固定于该绝缘板;绝缘部,其具有可拆卸地与该绝缘板连接的连接部分和与该连接部分相连的前端部分,该前端部分比该连接部分形成得细;绝缘物,其是组合多个该绝缘部,以在俯视观察时包围该多个探针的方式形成的;以及评价部,其使电流流过该多个探针,对被测定物的电气特性进行评价。