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公开(公告)号:CN109659252A
公开(公告)日:2019-04-19
申请号:CN201811155776.5
申请日:2018-09-30
申请人: 三菱电机株式会社
IPC分类号: H01L21/67 , H01L21/683
CPC分类号: H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L2221/68322 , H01L2221/68327
摘要: 本发明的目的在于,提供能够将半导体芯片和载片带剥离而不在半导体芯片发生破裂及缺损等缺陷的技术。半导体拾取装置(500)具有:拾取台(100),其隔着在半导体芯片(1)的下表面粘贴的载片带(2)而载置半导体芯片(1);延展部(200),其对载片带(2)进行保持,对载片带(2)进行拉伸;顶起针(3),其能够从拾取台(100)的上表面凸出,隔着载片带(2)将半导体芯片(1)顶起;以及使顶起针(3)一边螺旋状地动作一边顶起的机构。
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公开(公告)号:CN106062928B
公开(公告)日:2018-08-14
申请号:CN201580011622.7
申请日:2015-03-02
申请人: 琳得科株式会社
IPC分类号: H01L21/301 , C09J4/00 , C09J7/30 , C09J7/20 , C09J201/02
CPC分类号: H01L21/6836 , C08F220/06 , C09J4/00 , C09J4/06 , C09J5/00 , C09J5/06 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J7/385 , C09J133/06 , C09J201/02 , C09J2201/122 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2205/302 , C09J2205/31 , H01L21/324 , H01L21/78 , H01L2221/68322 , H01L2221/68327
摘要: 本发明提供一种半导体相关构件加工用片材,本发明的半导体相关构件加工用片材(1)能够更加稳定地实现:提高半导体相关构件加工用片材的剥离性;及使具备利用半导体相关构件加工用片材由半导体相关构件制造的晶片的构件的可靠性不易降低,所述半导体相关构件加工用片材(1)具备基材(2)和设置于基材(2)的一面上方的粘着剂层(3),其中,粘着剂层(3)含有具有能量射线聚合性官能基的能量射线聚合性化合物,能量射线聚合性化合物中的至少一种为具有分枝结构的聚合物即聚合性分枝聚合物,将半导体相关构件加工用片材(1)的粘着剂层(3)侧的面贴附于硅晶圆的镜面,并对半导体相关构件加工用片材(1)照射能量射线,以降低粘着剂层(3)对硅晶圆的镜面的粘着性,之后,将从硅晶圆剥离半导体相关构件加工用片材(1)而获得的、硅晶圆中的粘贴过半导体相关构件加工用片材(1)的镜面作为测定对象面,在25℃、相对湿度为50%的环境下,利用水滴测定出的接触角为40°以下。
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公开(公告)号:CN104241145B
公开(公告)日:2017-12-08
申请号:CN201410255214.3
申请日:2014-06-10
申请人: 英飞凌科技股份有限公司
发明人: M·施密特
IPC分类号: H01L21/58 , H01L21/68 , H01L21/673
CPC分类号: H01L24/33 , H01L21/4867 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L22/12 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/743 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L24/95 , H01L2221/68322 , H01L2221/68381 , H01L2224/2732 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/83001 , H01L2224/83192 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2224/83855 , H01L2924/07802 , H01L2924/0781 , H05K3/007 , H05K3/0097 , H05K3/3431 , H05K2203/0139 , H05K2203/0195 , H05K2203/085 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要: 本发明涉及一种用于制造半导体模块的方法。为此提供附着载体(3)和多个电路载体(2)。该附着载体(3)具有附着的顶面(32)、以及与该附着的顶面(32)相对的底面(33)。每个电路载体(2)包括陶瓷载体(20)和被应用在陶瓷载体上的上导电层(21)、以及电路载体底面(25)。通过将该多个电路载体(2)放到该附着的顶面(32)上该电路载体(2)的电路载体底面(25)接触该附着的顶面(32)并且粘附在其上,从而形成准成果,其中该多个电路载体(2)能够在维持该准成果的情况下被处理并且之后被从该附着的顶面(32)取下。
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公开(公告)号:CN107068605A
公开(公告)日:2017-08-18
申请号:CN201610959938.5
申请日:2016-11-03
申请人: 日东电工株式会社
IPC分类号: H01L21/683 , B32B7/06 , B32B7/10 , B32B33/00
CPC分类号: H01L21/6836 , C09J7/22 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2421/00 , C09J2433/00 , H01L21/78 , H01L23/3171 , H01L23/562 , H01L2221/68322 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2224/16225 , B32B7/06 , B32B7/10 , B32B33/00 , H01L2221/68336
摘要: 本发明涉及层叠体和半导体装置的制造方法。本发明提供能够在半导体芯片的背面上赋予保护薄膜、且能够防止半导体芯片彼此接触的层叠体等。所述层叠体包括切割片和半导体背面保护薄膜。切割片包含基材层和配置在基材层上的粘合剂层。半导体背面保护薄膜配置在粘合剂层上。切割片具有通过加热而收缩的性质。切割片具有在100℃进行1分钟加热处理时,相对于加热处理前的MD方向的第一长度100%,加热处理后的MD方向的第二长度为95%以下的性质。
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公开(公告)号:CN103597589B
公开(公告)日:2017-02-15
申请号:CN201280027048.0
申请日:2012-04-11
申请人: 北达科他州立大学研究基金会
IPC分类号: H01L21/50
CPC分类号: B29C65/1606 , B29C65/16 , B29C65/1635 , B32B37/025 , H01L21/67132 , H01L21/68 , H01L21/6835 , H01L24/83 , H01L2221/68318 , H01L2221/68322 , H01L2221/68327 , H01L2221/68363 , H01L2221/68381 , H01L2224/83001 , H01L2224/83192 , H01L2224/8385 , H01L2924/01029 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/1461 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
摘要: 通常使用诸如取放机之类的机械设备来装配电子元器件,这种机械设备未对诸如超薄半导体裸芯片之类的元器件进行优化。本发明基于多层动力释放层在受到低能聚焦激光脉冲照射时独特的发泡行为,对选择性激光辅助芯片转移进行了描述,其中所述气泡产生了待贴装物体的平移。获得了精确的贴装结果,其水平位移和角位移处于可忽略的水平。
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公开(公告)号:CN104517801A
公开(公告)日:2015-04-15
申请号:CN201410502669.0
申请日:2014-09-26
申请人: 株式会社泰塞克
发明人: 仓兼崇
IPC分类号: H01L21/00
CPC分类号: H01L21/6836 , B32B2457/14 , H01L21/67132 , H01L21/6838 , H01L2221/68322 , H01L2221/68386 , Y10S156/932 , Y10S156/943 , Y10T156/1132 , Y10T156/1944 , Y10T156/1978 , Y10T156/1983
摘要: 本发明公开了一种分离装置,所述分离装置包括安装台、突出部和吸引端口。安装台包括安装面,上面粘有电子部件的压敏粘合片安装在所述安装面上。电子部件被粘在压敏粘合片的一个表面上,而安装面与压敏粘合片的另一个表面接触。突出部形成在安装面上并朝向安装在安装面上的压敏粘合片突出。吸引端口靠近安装面上的突出部开口,并且在施加负压力时吸引压敏粘合片。
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公开(公告)号:CN102623402B
公开(公告)日:2014-08-27
申请号:CN201210068756.0
申请日:2008-06-19
申请人: 瑞萨电子株式会社
IPC分类号: H01L21/78 , H01L21/683 , H01L21/67
CPC分类号: H01L21/77 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/6838 , H01L21/78 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L2221/68322 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , Y10T156/1132 , Y10T156/1944 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01032 , H01L2924/01031 , H01L2924/3512
摘要: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。在半导体集成电路装置的制造工序中,在组装工序的划片后的芯片的拾取工序中,由于迅速的芯片的薄膜化而使得降低拾取不良成为重要的课题。特别是,因剥离动作造成的芯片周边部的弯曲很有可能导致芯片的破裂、缺损。为了解决这些的课题的本申请发明是在通过吸引吸嘴真空吸附芯片以从划片带(粘接带)等剥离的情况下,通过监视吸引吸嘴的真空吸附系统的流量,来监视芯片从粘接带完全剥离以前的芯片的弯曲状态。
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公开(公告)号:CN102693930A
公开(公告)日:2012-09-26
申请号:CN201110264560.4
申请日:2011-09-05
申请人: 株式会社日立高新技术仪器
IPC分类号: H01L21/683 , H01L21/67
CPC分类号: H01L21/67132 , H01L21/67271 , H01L2221/68322 , H01L2221/68336 , H01L2221/68354 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , Y10S156/932 , Y10S156/943 , Y10T156/1132 , Y10T156/1179 , Y10T156/1944 , Y10T156/1983
摘要: 本发明提供能够可靠地剥离裸片的裸片粘接机,另外提供使用上述裸片粘接机且可靠性高的裸片粘接机的拾取方法。本发明的技术方案是:当顶出粘贴在切割薄膜上的多个裸片(半导体芯片)之中作为剥离对象的裸片而从上述切割薄膜剥离时,顶出上述裸片的周边部中的预定部的上述切割薄膜而形成剥离起点,之后,顶出上述预定部以外的部分的上述切割薄膜,从而从上述切割薄膜剥离上述裸片。
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公开(公告)号:CN100392798C
公开(公告)日:2008-06-04
申请号:CN03160004.2
申请日:2003-09-19
申请人: 先进自动器材有限公司
CPC分类号: H01L21/67132 , H01L21/67092 , H01L2221/68322
摘要: 本发明公开一种用于薄晶粒分离装置及方法,在粘性膜未粘附该晶粒的一表面上,接触并向上抬起位于晶粒下面的粘性膜,且对准于该晶粒几何形状的角处,并与该晶粒边缘保持一预定距离;从晶粒上分离位于晶粒几何形状角处下面的粘性膜,藉此使该晶粒自粘性膜表面部分脱离;以及夹取该自粘性膜表面部分脱离的晶粒,并将其自粘性膜表面分离。
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公开(公告)号:CN101138075A
公开(公告)日:2008-03-05
申请号:CN200680008106.X
申请日:2006-03-28
申请人: 古河电气工业株式会社
IPC分类号: H01L21/301 , C09J4/02 , C09J7/02
CPC分类号: H01L21/67132 , C09J4/00 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J7/385 , C09J2201/36 , C09J2203/326 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68322 , H01L2221/68327 , Y10T428/28 , Y10T428/2891
摘要: 本发明涉及一种在基材薄膜上设置了粘合剂层的晶片切割用胶粘带,包含2层以上的该粘合剂层,构成任一粘合剂层的树脂组合物都含有可辐射聚合的化合物,同时,构成粘合剂层中最外层的树脂组合物所含有的可辐射聚合的化合物的含量和构成内侧粘合剂层的树脂组合物所含有的可辐射聚合的化合物的含量不同,并达到使施加在基材薄膜上的应力被充分传递到放射线照射后的最外层以充分剥离该层和芯片的程度,本发明还提供使用该晶片切割用胶粘带的芯片的制造方法。
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