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公开(公告)号：CN118891724A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202280093334.0
申请日：2022-03-14
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 功率模块半导体封装（1）具备基板（5）、第1功率半导体元件（17）、第2功率半导体元件（41）、散热器（31）以及密封树脂（53）等。在从基板（5）的第2主面（5b）观察的俯视图中，在第1功率半导体元件（17）中具备与第2功率半导体元件（41）以及基板（5）不重叠的区域（18）。不重叠的区域（18）位于基板（5）中的基板开口部（7）。利用第1键合导线（47），经由该基板开口部（7），将第1功率半导体元件（17）的第1信号电极（21）和第1信号端子（37a）电连接。
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公开(公告)号：CN113841237B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN201980096491.5
申请日：2019-05-30
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 导电线(20)在接合部(21)与半导体元件(15)的前面电极(17)接合。第1树脂部件(30)覆盖接合部(21)的两端部(21p、21q)的至少一个端部、前面电极(17)的第1表面(17a)以及导电线(20)的第2表面(20a)。第2树脂部件(33)覆盖第1树脂部件(30)的弯曲部(31)。第1树脂部件(30)具有比第2树脂部件(33)高的断裂伸长率以及高的断裂强度。第2树脂部件(33)的第2拉伸弹性模量高于第1树脂部件(30)的第1拉伸弹性模量。功率半导体模块(1)具有提高的可靠性。
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公开(公告)号：CN113841235B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN201980096496.8
申请日：2019-05-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 得到可靠性高的半导体模块以及使用该半导体模块的电力变换装置。半导体模块(100)具备散热构件(7)、半导体封装体(200)、连接构件(8)以及限制构件(9)。连接构件(8)将散热构件(7)与半导体封装体(200)连接。连接构件(8)包含树脂成分。限制构件(9)以包围连接构件(8)的方式被配置于主表面(7a)上。在与主表面(7a)垂直的方向上，限制构件(9)的顶部(9a)的位置与连接构件(8)的半导体封装体(200)侧的表面的外周部的位置相比远离主表面(7a)。
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公开(公告)号：CN108604589B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN201680081182.7
申请日：2016-12-14
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 得到通过在高温时、低温时、使用电压为高电压时抑制气泡的发生、硅凝胶和绝缘基板的剥离，能够抑制热循环所致的绝缘性能劣化，确保绝缘性能的半导体装置。其特征在于，具备：绝缘基板(5)，在上表面搭载有半导体元件(4)；基体板(1)，接合到绝缘基板(5)的下表面；壳体部件(2)，包围绝缘基板(5)，与基体板(1)的接合绝缘基板(5)的面相接；密封树脂(8)，填充到由基体板(1)和壳体部件(2)包围的区域，对绝缘基板(5)进行密封；盖部件(9)，与密封树脂(8)的表面相向，与壳体部件(2)粘合；以及按压板(10)，下表面和侧面的一部分与密封树脂(8)的表面密接，上表面从盖部件(9)的与密封树脂(8)的表面相向的面突出地粘合。
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公开(公告)号：CN108604589A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201680081182.7
申请日：2016-12-14
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 得到通过在高温时、低温时、使用电压为高电压时抑制气泡的发生、硅凝胶和绝缘基板的剥离，能够抑制热循环所致的绝缘性能劣化，确保绝缘性能的半导体装置。其特征在于，具备：绝缘基板(5)，在上表面搭载有半导体元件(4)；基体板(1)，接合到绝缘基板(5)的下表面；壳体部件(2)，包围绝缘基板(5)，与基体板(1)的接合绝缘基板(5)的面相接；密封树脂(8)，填充到由基体板(1)和壳体部件(2)包围的区域，对绝缘基板(5)进行密封；盖部件(9)，与密封树脂(8)的表面相向，与壳体部件(2)粘合；以及按压板(10)，下表面和侧面的一部分与密封树脂(8)的表面密接，上表面从盖部件(9)的与密封树脂(8)的表面相向的面突出地粘合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115023805B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202080095063.3
申请日：2020-02-06
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体模块(1)具备第一功率半导体元件(20)、导电导线(35)和树脂膜(40)。导电导线(35)接合到第一功率半导体元件(20)的第一前表面电极(22)的表面(22a)。树脂膜(40)连续地形成于导电导线(35)的长度方向上的第一前表面电极(22)和导电导线(35)之间的第一接合部(30)的端部(30a)或端部(30b)的至少一个、第一前表面电极(22)的表面(22a)和导电导线(35)的表面(35a)。树脂膜(40)的弹性伸长率是4.5％以上且10.0％以下。
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公开(公告)号：CN108292655B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201680064838.4
申请日：2016-11-01
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 得到一种功率模块，通过抑制高温时、低温时或使用电压为高电压时的气泡的发生以及硅胶与绝缘基板的剥离，能够抑制热循环所致的绝缘性能的劣化，确保绝缘性能。一种功率模块，其特征在于，具备：绝缘基板(2)，在上表面搭载有半导体元件(3)；基体板(1)，与绝缘基板(2)的下表面接合；壳体部件(6)，包围绝缘基板(2)，粘接到基体板(1)；密封树脂(8)，填充到由基体板(1)和壳体部件(6)包围的区域，对绝缘基板(2)进行密封；以及压板(9)，从壳体部件(6)的内壁向绝缘基板(2)的外周部的上方突出，紧固于内壁，并与密封树脂(8)相接。
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公开(公告)号：CN111801794A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201880089195.8
申请日：2018-12-13
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 原田耕三
Abstract: 半导体功率模块(1)具备基体板(3)、绝缘基板(7)、功率半导体元件(17)、外部端子(23)、主端子(31)、被连接体(33)、壳体(21)、高绝缘耐电压性树脂剂(25)、密封树脂(27)以及盖(29)。主端子(31)与被连接体(33)连接。被连接体(33)与金属板(13)直接接合。在被连接体(33)设置有收容主端子(31)的收容部(34)。在收容部(34)设置有狭缝部。狭缝部从收容部(34)中的绝缘基板(7)所处的下端侧朝向与绝缘基板(7)所处的一侧相反的一侧的上端侧延伸。
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公开(公告)号：CN110800105A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201880040224.1
申请日：2018-03-08
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供一种能够小型化且可靠性高的半导体装置。半导体装置(100)具备：具有主表面的绝缘基板(41)、半导体元件(2)、壳体材料(5)以及作为密封材料的密封树脂(1)。半导体元件(2)配置在绝缘基板(41)的主表面上。壳体材料(5)包围半导体元件(2)，并与绝缘基板(41)连接。密封树脂(1)配置在由壳体材料(5)和绝缘基板(41)包围的内部区域，包围半导体元件(2)。壳体材料(5)包括与连接于绝缘基板(41)的连接部相连且面向内部区域的凹部(51)。凹部(51)包括作为面向绝缘基板(41)的主表面的内壁部分的相向面(61)。从绝缘基板(41)的主表面(第1电路基板(31)的上表面)到作为内壁部分的相向面(61)的距离(H1)大于从主表面到半导体元件(2)的上表面(2a)的距离(H2)。
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公开(公告)号：CN105304588A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510303046.5
申请日：2015-06-04
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/4275 , H01L21/4871 , H01L23/3675 , H01L23/544 , H01L2223/54426 , H01L2924/0002 , Y10T428/24802 , H01L2924/00
Abstract: 在现有的半导体装置中，通过作为散热材料而涂敷相变材料，从而形成有图案。本发明提供一种半导体装置，其在处于温度管理不充分的环境情况下，即使对由变为液态的相变材料形成的图案施加冲击，也能够减少图案的形状的塌毁。本发明的半导体装置具备：半导体元件，其安装于半导体模块(10)的内部；散热面(13)，其形成于半导体模块(10)，将由半导体元件产生的热量向散热器散热；图案(14)，其由相变材料构成，形成在散热面上；以及作为第1薄膜的薄膜(15)，其覆盖图案(14)。
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