公开(公告)号：CN110462112A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201880019618.9

申请日：2018-02-20

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  国立大学法人名古屋大学

Inventor： 古庄智明 ,  田中贵规 ,  黑岩丈晴 ,  宇治原徹 ,  原田俊太 ,  村山健太

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/04 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/208 ,  H01L21/329 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明的目的在于提供不污染加工装置的低缺陷密度的碳化硅基板、和使用有该碳化硅基板的碳化硅半导体装置。本发明涉及的碳化硅基板(10)是具备基板内侧部(11)、和包围基板内侧部(11)的基板外侧部(12)的碳化硅基板(10)，基板内侧部(11)的非掺杂剂金属杂质浓度为1×1016cm-3以上，基板外侧部(12)中至少表面侧的区域是非掺杂剂金属杂质浓度不到1×1016cm-3的基板表面区域(13)。

公开(公告)号：CN102859654A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180020657.9

申请日：2011-03-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 富田信之 ,  浜野健一 ,  多留谷政良 ,  三谷阳一郎 ,  黑岩丈晴 ,  今泉昌之 ,  炭谷博昭 ,  大塚健一 ,  古庄智明 ,  泽田隆夫 ,  阿部雄次

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42

CPC classification number: H01L21/02529 ,  C30B25/02 ,  C30B25/186 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68771 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明提供表面平坦性极其良好且在外延生长后表现的胡萝卜缺陷及三角缺陷显著低密度的碳化硅外延晶片的制造方法。通过如下制造碳化硅外延晶片，即，第一工序，将与 面的倾斜角比5度更小的碳化硅块状衬底在还原性气体气氛中，在第一温度T1及处理时间t的条件下进行退火；第二工序，在还原性气体气氛中降低衬底温度；第三工序，以比第一工序中的退火温度T1更低的第二温度T2下供给至少包含硅原子的气体和包含碳原子的气体进行外延生长。

公开(公告)号：CN110462112B

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN201880019618.9

申请日：2018-02-20

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  国立大学法人名古屋大学

Inventor： 古庄智明 ,  田中贵规 ,  黑岩丈晴 ,  宇治原徹 ,  原田俊太 ,  村山健太

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/04 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/208 ,  H01L21/329 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明的目的在于提供不污染加工装置的低缺陷密度的碳化硅基板、和使用有该碳化硅基板的碳化硅半导体装置。本发明涉及的碳化硅基板(10)是具备基板内侧部(11)、和包围基板内侧部(11)的基板外侧部(12)的碳化硅基板(10)，基板内侧部(11)的非掺杂剂金属杂质浓度为1×1016cm‑3以上，基板外侧部(12)中至少表面侧的区域是非掺杂剂金属杂质浓度不到1×1016cm‑3的基板表面区域(13)。

公开(公告)号：CN102859654B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201180020657.9

申请日：2011-03-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 富田信之 ,  浜野健一 ,  多留谷政良 ,  三谷阳一郎 ,  黑岩丈晴 ,  今泉昌之 ,  炭谷博昭 ,  大塚健一 ,  古庄智明 ,  泽田隆夫 ,  阿部雄次

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42

CPC classification number: H01L21/02529 ,  C30B25/02 ,  C30B25/186 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68771 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明提供表面平坦性极其良好且在外延生长后表现的胡萝卜缺陷及三角缺陷显著低密度的碳化硅外延晶片的制造方法。通过如下制造碳化硅外延晶片，即，第一工序，将与 面的倾斜角比5度更小的碳化硅块状衬底在还原性气体气氛中，在第一温度T1及处理时间t的条件下进行退火；第二工序，在还原性气体气氛中降低衬底温度；第三工序，以比第一工序中的退火温度T1更低的第二温度T2下供给至少包含硅原子的气体和包含碳原子的气体进行外延生长。