公开(公告)号：CN101154796A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200710153114.X

申请日：2007-09-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大野彰仁 ,  竹见政义 ,  富田信之

IPC: H01S5/30 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种初始恶化率较小、长寿命的半导体发光元件。半导体激光器元件(101)具有夹持在n型覆盖层(104)与p型覆盖层(109)之间的活性层(106)。p型覆盖层(109)含有镁作为杂质，在活性层(106)与p型覆盖层(109)之间设置了由以InxAlyGa1－x－yN(其中，x≥0、y≥0、x+y＜1)表示的氮化物系化合物半导体构成的n型防扩散层(107)。n型防扩散层(107)中的n型杂质的掺杂浓度优选为5×1017cm－3以上且5×1019cm－3以下。

公开(公告)号：CN1783525A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510118514.8

申请日：2005-10-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大野彰仁 ,  竹见政义 ,  富田信之

IPC: H01L33/00 ,  H01L29/04 ,  H01L21/20 ,  H01S5/00

Abstract: 本发明提供一种技术，能够提高利用了氮化镓衬底(GaN衬底)的半导体元件的制造性，同时在GaN衬底上形成平坦性及结晶性优越的氮化物类半导体层。准备上表面(10a)相对于(0001)面在 方向具有大于等于0.1°小于等于1.0°的偏移角度θ的氮化镓衬底(10)。并且，在GaN衬底(10)的上表面(10a)上层叠含有n型半导体层(11)的多个氮化物类半导体层，从而形成半导体激光器等的半导体元件。

公开(公告)号：CN104952708A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510131777.6

申请日：2015-03-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大野彰仁 ,  三谷阳一郎 ,  山本高裕 ,  富田信之 ,  滨野健一

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/02

CPC classification number: C30B25/186 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 本发明得到一种能够提高产品的可靠性的碳化硅半导体装置的制造方法。首先，准备具有平均粗糙度小于或等于0.2nm的平坦性的碳化硅单晶衬底(1)。然后，将碳化硅单晶衬底(1)的表面在还原性气体气氛中进行气蚀。在进行气蚀之后，使碳化硅膜(6)在碳化硅单晶衬底(1)的表面上进行外延生长。在这里，将气蚀的蚀刻速率设为大于或等于0.5μm/h而小于或等于2.0μm/h。

公开(公告)号：CN102341893B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201080010581.7

申请日：2010-02-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 浜野健一 ,  大塚健一 ,  富田信之 ,  多留谷政良

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/36 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7802 ,  C30B25/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/872

Abstract: 在偏角为5度以下的SiC半导体基板上成膜使聚束台阶高度和因平台上的反应种的迁移不良引起的结晶缺陷都减少的外延层。在偏角为5度以下的SiC半导体基板的表面上，且与该表面相接地，在生长温度T1下从时刻t1到时刻t2的期间内成膜第一层外延层。使反应炉的温度从生长温度T1降温至生长温度T2，在第一层外延层的表面上，且与该表面相接地，在生长温度T2(＜T1)下从时刻t3到时刻t4的期间内使第二层外延层外延生长。如上所述，将外延层设为两层结构，相比第一外延层将第二外延层的生长温度设定为低。

公开(公告)号：CN101540365A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910126826.1

申请日：2009-03-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大野彰仁 ,  竹见政义 ,  富田信之

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/323 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3063 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明涉及氮化物半导体层压结构、光半导体装置及它们的制造方法。制造具有结晶性良好、电阻率足够低的p型氮化物半导体层的氮化物半导体层压结构。在GaN基板(11)(基板)上使用作为III族原料的有机金属化合物、p型杂质以及作为V族原料的NH3形成p型Al0.07Ga0.93N层(12)(第一p型氮化物半导体层)。接着在该p型Al0.07Ga0.93N层(12)上使用作为III族原料的有机金属化合物、p型杂质以及作为V族原料的NH3和肼衍生物形成p型GaN层(13)(第二p型氮化物半导体层)。

公开(公告)号：CN106435722B

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201610638775.0

申请日：2016-08-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大野彰仁 ,  酒井雅 ,  三谷阳一郎 ,  山本高裕 ,  木村泰广 ,  沟部卓真 ,  富田信之

IPC: C30B25/20 ,  C30B25/14

Abstract: 得到一种制造方法及制造装置，该制造方法及制造装置能够制造晶体缺陷少的碳化硅外延晶片，而不会损伤生长炉内的部件、晶片托架。将清除气体导入至生长炉(1)内而将附着于生长炉(1)的内壁面的树枝状碳化硅去除。在导入清除气体后，将碳化硅衬底(2)搬入至生长炉(1)内。将工艺气体导入至生长炉(1)内，在碳化硅衬底(2)之上使碳化硅外延层(9)生长而制造碳化硅外延晶片(10)。将具有大于或等于1.6E－4[J]的流体能量的清除气体导入至生长炉(1)内。

公开(公告)号：CN106435722A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610638775.0

申请日：2016-08-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大野彰仁 ,  酒井雅 ,  三谷阳一郎 ,  山本高裕 ,  木村泰广 ,  沟部卓真 ,  富田信之

IPC: C30B25/20 ,  C30B25/14

Abstract: 得到一种制造方法及制造装置，该制造方法及制造装置能够制造晶体缺陷少的碳化硅外延晶片，而不会损伤生长炉内的部件、晶片托架。将清除气体导入至生长炉(1)内而将附着于生长炉气体后，将碳化硅衬底(2)搬入至生长炉(1)内。将工艺气体导入至生长炉(1)内，在碳化硅衬底(2)之上使碳化硅外延层(9)生长而制造碳化硅外延晶片(10)。将具有大于或等于1.6E－4[J]的流体能量的清除气体导入至生长炉(1)内。(1)的内壁面的树枝状碳化硅去除。在导入清除

公开(公告)号：CN102859654B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201180020657.9

申请日：2011-03-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 富田信之 ,  浜野健一 ,  多留谷政良 ,  三谷阳一郎 ,  黑岩丈晴 ,  今泉昌之 ,  炭谷博昭 ,  大塚健一 ,  古庄智明 ,  泽田隆夫 ,  阿部雄次

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42

CPC classification number: H01L21/02529 ,  C30B25/02 ,  C30B25/186 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68771 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明提供表面平坦性极其良好且在外延生长后表现的胡萝卜缺陷及三角缺陷显著低密度的碳化硅外延晶片的制造方法。通过如下制造碳化硅外延晶片，即，第一工序，将与 面的倾斜角比5度更小的碳化硅块状衬底在还原性气体气氛中，在第一温度T1及处理时间t的条件下进行退火；第二工序，在还原性气体气氛中降低衬底温度；第三工序，以比第一工序中的退火温度T1更低的第二温度T2下供给至少包含硅原子的气体和包含碳原子的气体进行外延生长。

公开(公告)号：CN104078331A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410112911.3

申请日：2014-03-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大野彰仁 ,  川津善平 ,  富田信之 ,  田中贵规 ,  三谷阳一郎 ,  浜野健一

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/16

CPC classification number: C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  C30B29/68 ,  Y10T428/24331 ,  Y10T428/24612

Abstract: 本发明可得到能够减少晶体缺陷的单晶4H-SiC衬底及其制造方法。准备具有平坦性的4H-SiC体材料单晶衬底（1）。在4H-SiC体材料单晶衬底（1）上外延生长具有凹部（2）的单晶4H-SiC层（3）。单晶4H-SiC层（3）的膜厚为X[μm]时，凹部（2）的直径Y[μm]是0.2×X[μm]以上、2×X[μm]以下，且凹部（2）的深度Z[nm]是0.95×X[μm]+0.5[nm]以上、10×X[μm]以下。

公开(公告)号：CN101452837B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200810135797.0

申请日：2005-10-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大野彰仁 ,  竹见政义 ,  富田信之

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体元件的制造方法，并提供一种技术，能够提高利用了氮化镓衬底(GaN衬底)的半导体元件的制造性，同时在GaN衬底上形成平坦性及结晶性优越的氮化物类半导体层。准备上表面(10a)相对于(0001)面在 方向具有大于等于0.1°小于等于1.0°的偏移角度θ的氮化镓衬底(10)。并且，在GaN衬底(10)的上表面(10a)上层叠含有n型半导体层(11)的多个氮化物类半导体层，从而形成半导体激光器等的半导体元件。