公开(公告)号：CN108363252A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810053651.5

申请日：2018-01-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 外德仁 ,  棚原学 ,  园田武司

IPC: G02F1/1362 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: G02F1/133512 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/136286

Abstract: 提供可确保像素电极与薄膜晶体管的漏极电极间的电连接性，且将用于连接两者的接触孔的面积缩小的液晶显示装置。液晶显示装置具有：TFT阵列基板，其具有在像素区域分别形成的薄膜晶体管(10)；以及相对基板，其具有在与像素区域相对应的区域分别形成有开口部的黑矩阵。TFT阵列基板具有：保护膜(102)，其形成于薄膜晶体管(10)的漏极电极(4)之上；接触孔(5)，其形成于保护膜(102)，到达至漏极电极(4)；以及像素电极(6)，其形成于保护膜(102)之上，通过接触孔(5)而与漏极电极(4)连接。接触孔(5)的内壁具有在接触孔(5)的周向排列且倾斜角度彼此不同的第1倾斜部(51)以及第2倾斜部(52)。

公开(公告)号：CN108363252B

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN201810053651.5

申请日：2018-01-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 外德仁 ,  棚原学 ,  园田武司

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1333 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

Abstract: 提供可确保像素电极与薄膜晶体管的漏极电极间的电连接性，且将用于连接两者的接触孔的面积缩小的液晶显示装置。液晶显示装置具有：TFT阵列基板，其具有在像素区域分别形成的薄膜晶体管(10)；以及相对基板，其具有在与像素区域相对应的区域分别形成有开口部的黑矩阵。TFT阵列基板具有：保护膜(102)，其形成于薄膜晶体管(10)的漏极电极(4)之上；接触孔(5)，其形成于保护膜(102)，到达至漏极电极(4)；以及像素电极(6)，其形成于保护膜(102)之上，通过接触孔(5)而与漏极电极(4)连接。接触孔(5)的内壁具有在接触孔(5)的周向排列且倾斜角度彼此不同的第1倾斜部(51)以及第2倾斜部(52)。