公开(公告)号：CN101242178B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200810074219.0

申请日：2008-02-13

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 宮山隆 ,  飞田洋一 ,  村井博之 ,  森成一郎

IPC分类号： H03K19/003 ,  H03K19/0185 ,  G09G3/20 ,  G09G3/36 ,  G11C19/28

CPC分类号： G11C19/28

摘要： 提供一种可抑制阈值电压的负方向移位(负移位)的晶体管，防止以移位寄存器为首的半导体装置的误动作。作为对使单位移位寄存器的输出端子OUT上拉的晶体管Q1的栅极节点(节点N1)进行充电的充电电路，使用由在第一电源端子S1和节点N1之间串联地连接的两个晶体管构成的双栅极晶体管Q3D。双栅极晶体管Q3D以如下方式构成，即，在构成此双栅极晶体管的两个晶体管间的连接节点(节点N3)由于该栅极和节点N3之间的电容耦合，根据栅极从H电平变为L电平，下降到L电平。

公开(公告)号：CN101894589A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN201010243700.5

申请日：2008-02-13

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 宮山隆 ,  飞田洋一 ,  村井博之 ,  森成一郎

IPC分类号： G11C19/28

CPC分类号： G11C19/28

摘要： 提供一种可抑制阈值电压的负方向移位(负移位)的晶体管，防止以移位寄存器为首的半导体装置的误动作。作为对使单位移位寄存器的输出端子OUT上拉的晶体管Q1的栅极节点(节点N1)进行充电的充电电路，使用由在第一电源端子S1和节点N1之间串联地连接的两个晶体管构成的双栅极晶体管Q3D。双栅极晶体管Q3D以如下方式构成，即，在构成此双栅极晶体管的两个晶体管间的连接节点(节点N3)由于该栅极和节点N3之间的电容耦合，根据栅极从H电平变为L电平，下降到L电平。

公开(公告)号：CN101242178A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200810074219.0

申请日：2008-02-13

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 宮山隆 ,  飞田洋一 ,  村井博之 ,  森成一郎

IPC分类号： H03K19/003 ,  H03K19/0185 ,  G09G3/20 ,  G09G3/36 ,  G11C19/28

CPC分类号： G11C19/28

摘要： 提供一种可抑制阈值电压的负方向移位(负移位)的晶体管，防止以移位寄存器为首的半导体装置的误动作。作为对使单位移位寄存器的输出端子OUT上拉的晶体管Q1的栅极节点(节点N1)进行充电的充电电路，使用由在第一电源端子S1和节点N1之间串联地连接的两个晶体管构成的双栅极晶体管Q3D。双栅极晶体管Q3D以如下方式构成，即，在构成此双栅极晶体管的两个晶体管间的连接节点(节点N3)由于该栅极和节点N3之间的电容耦合，根据栅极从H电平变为L电平，下降到L电平。