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公开(公告)号：CN119343201A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202280096842.4
申请日：2022-06-20
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 山崎浩次
Abstract: 焊料接合构件(4)，为将第1对象物(2)与第2对象物(3)接合的焊料接合构件(4)，包含：作为主成分的Sn、3质量％以上且不到4质量％的Ag、0.5质量％以上且不到1.0质量％的Cu、2.5质量％以上且不到4质量％的Bi、及0.5质量％以上且不到3质量％的Sb，具有：包含Sn、Ag及Cu、具有210℃以上且不到220℃的熔点的主相(12)；将上述主相(12)的至少一部分被覆、具有135℃以上且不到145℃的熔点的Sn‑Bi合金相(10)；和将上述Sn‑Bi合金相(10)的至少一部分被覆、具有170℃以上且不到180℃的熔点的Sn‑Bi‑Sb合金相(11)。
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公开(公告)号：CN112997284B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN201880099193.7
申请日：2018-11-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/52
Abstract: 接合结构体，是在半导体元件与基板之间存在的接合结构体，其中，所述接合结构体包含：Sn相、含有1质量％以上且不到7质量％的P的Cu合金粒子、和Ag粒子，所述Cu合金粒子用Cu6Sn5层被覆，所述Ag粒子用Ag3Sn层被覆，所述Cu合金粒子与所述Ag粒子经由Cu10Sn3相至少部分地结合，相对于所述接合结构体，所述Cu合金粒子和所述Ag粒子的添加量的合计为25质量％以上且不到65质量％，所述Ag粒子的添加量与所述Cu合金粒子的添加量的质量比为0.2以上且不到1.2。
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公开(公告)号：CN115297986B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202080098782.0
申请日：2020-03-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: B23K20/00
Abstract: 本发明提供通过大气中的固相接合而接合、不发生接合材料的熔融所引起的溢出、因此能够提高尺寸稳定性的金属接合体。金属接合体(100)通过(A)使在作为被接合构件的Al基材(1)上依次层叠Zn膜(2)和Ag膜(3)的2个金属层叠体(10)的Ag膜(3)彼此对置，(B)使Ag膜(3)彼此接触，然后(C)一边加压一边进行加热，使Ag膜(3)彼此密合，进行固相接合而形成。完成的金属接合体(100)是在Ag‑Zn‑Al合金层(5)的两面设置Al‑Ag合金层(4)、将Al基材(1)彼此接合的部分。
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公开(公告)号：CN112236387A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201880093797.0
申请日：2018-05-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: C01B13/11
Abstract: 本发明的臭氧发生装置的特征在于，包括：供原料气体流入、并供臭氧化气体流出的主体容器(12)；将交流电源(16)的输出传输至所述主体容器的内部的供电线(14)；设置在所述主体容器的内部并具有贯通孔(5b)的接地金属电极(11)；一端开口、另一端封闭并设置于所述接地金属电极的贯通孔的电介质管(1)；形成在所述电介质管的内周面并具有开口侧端部(2a)的电压施加电极(2)；从所述电压施加电极的开口侧端部向供电线侧延伸、并由导电性粘接剂的固化物构成的固化物电极(9)；以及连接所述供电线与所述固化物电极的供电构件(8)，所述供电构件的前端(8x)通过所述固化物电极固定在所述电介质管的内周面，该供电构件的前端配置在与所述电压施加电极的开口侧端部隔开间隔(d)的地方。
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公开(公告)号：CN110536770A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201880026226.5
申请日：2018-01-26
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 接合结构体，是包含通过Zn系钎料(2)而被接合的Cu系被接合材料(1)的接合结构体，在Zn系钎料与Cu系被接合材料之间具备包含第1合金相(3)、第2合金相(4)及第3合金相(5)的接合部，第1合金相(3)是具有Cu5Zn8的基本组成的合金相，第3合金相(5)是一部分与第1合金相相接的、具有CuZn4或CuZn5的基本组成的合金相，第2合金相(4)是在第1合金相与第3合金相的界面所形成的具有CuZn3的基本组成的合金相，在与接合方向平行的截面中，所述第1合金相与所述第3合金相的界面处的所述第2合金相所占的比例不到80％。由此，能够得到Zn系钎料与Cu系被接合材料的接合部处的空隙的形成受到抑制的接合可靠性高的接合结构体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119053845A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202280095189.X
申请日：2022-04-27
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 山崎浩次
IPC: G01N3/60
Abstract: 冷热冲击试验装置（10）具备载置被评价样品（11）并密闭的样品室（4）、利用制冷剂（5）将样品室（4）冷却成规定温度的冷却器（2）、将被评价样品（11）加热至目标温度的灯加热器（6）、检测被评价样品（11）的温度的温度传感器（7）、以及对冷却器（2）的操作和灯加热器（6）的通电及断电进行控制的控制装置（1），在样品室（4）被冷却成规定温度之后，由灯加热器（6）将被评价样品（11）加热至目标温度，然后将灯加热器（6）的通电截断，对被评价样品（11）施加冷热冲击，由此能在短时间内进行冷热冲击试验。
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公开(公告)号：CN115516621A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202080100674.2
申请日：2020-05-14
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 山崎浩次
Abstract: 本公开的目的在于提供一种能够实现装置的小型化、并且确保焊料接合部中的接合可靠性的半导体装置。而且，在本公开的半导体装置(51)中，多个绝缘包覆导线(7)分别使中央区域的绝缘包覆部(72)与半导体元件(1)的表面接触且跨越半导体元件(1)将一端以及另一端接合到DBC基板(8)的上电极(3)中的连接区域(3b)。多个绝缘包覆导线(7)与多个金属导线(6)同样地沿着X方向设置。多个绝缘包覆导线(7)分别以无松弛的状态设置，所以具有向焊料接合部(2)的方向按压半导体元件(1)的按压力。
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公开(公告)号：CN109478517B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201680087243.0
申请日：2016-12-13
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法包括如下工序：在半导体晶片上通过蒸镀来依次形成密合性提高膜(2)、Pt膜(3)、Sn膜(4)以及Au膜(5)；对半导体晶片进行切割来得到半导体元件(1)；在基板(6)上通过蒸镀来依次形成Ni膜(7)和Au膜(5)；以及在将形成在半导体元件(1)上的Au膜(5)与形成在基板(6)上的Au膜(5)面对面地层叠之后，进行加热来接合。在由Pt膜(3)、Sn膜(4)以及Au膜(5)构成的金属层叠膜中，Pt膜(3)为5质量％以上且小于10质量％，Au膜(5)为51质量％以上且小于75质量％，Sn膜(4)是剩余部分。
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公开(公告)号：CN105934308B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201480073843.2
申请日：2014-12-26
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 山崎浩次
Abstract: 本发明的目的在于得到同时实现耐热性和应力缓和性的接合，设为如下结构：一种板状的接合材料(1)，通过在与作为接合对象的金属部件(例如表面层(2f)、(3f))接触的状态下进行加热，从而在金属部件(例如作为材料是金、银、铜)中形成利用固相扩散反应的银的扩散层(Ld2)、(Ld3)，与金属部件接合，所述接合材料含有铋与银的合金，其中，所述接合材料含有1质量％以上且5质量％以下的铋。
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公开(公告)号：CN112236387B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN201880093797.0
申请日：2018-05-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: C01B13/11
Abstract: 本发明的臭氧发生装置的特征在于，包括：供原料气体流入、并供臭氧化气体流出的主体容器(12)；将交流电源(16)的输出传输至所述主体容器的内部的供电线(14)；设置在所述主体容器的内部并具有贯通孔(5b)的接地金属电极(11)；一端开口、另一端封闭并设置于所述接地金属电极的贯通孔的电介质管(1)；形成在所述电介质管的内周面并具有开口侧端部(2a)的电压施加电极(2)；从所述电压施加电极的开口侧端部向供电线侧延伸、并由导电性粘接剂的固化物构成的固化物电极(9)；以及连接所述供电线与所述固化物电极的供电构件(8)，所述供电构件的前端(8x)通过所述固化物电极固定在所述电介质管的内周面，该供电构件的前端配置在与所述电压施加电极的开口侧端部隔开间隔(d)的地方。
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