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公开(公告)号：CN113227444A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201980085376.8
申请日：2019-10-01
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明的溅射靶的特征在于，包含75mol％以上的由Ge、Sb及Te构成的金属互化物，所述金属互化物的微晶直径为以上且以下。本发明的溅射靶也可以包含选自B、C、In、Ag、Si、Sn及S中的一种以上的添加元素，所述添加元素的合计含量为25mol％以下。
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公开(公告)号：CN103534381B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201280021123.2
申请日：2012-04-24
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 太阳能先锋株式会社
IPC: C23C14/34 , C22C9/00 , H01L31/0445
CPC classification number: H01L31/18 , B22F3/15 , B22F2999/00 , C22C1/0425 , C22C9/00 , C23C14/3414 , H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521 , B22F3/10 , B22F2201/01 , B22F2201/20 , B22F2201/10
Abstract: 提供了一种溅射靶及其制造方法，所述溅射靶可通过溅射法形成良好地添加了Na的、Ga添加浓度为1-40原子%的Cu-Ga膜。其作为溅射靶的除F、S、Se之外的金属成分，含有Ga：1-40at%、Na：0.05-2at%，剩余部分具有由Cu和不可避免的杂质组成的成分组成；Na以氟化钠、硫化钠、硒化钠中的至少一种的状态含有，含氧量为100-1000ppm。
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公开(公告)号：CN102753721B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201180008507.6
申请日：2011-03-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C14/14 , B22F2003/145 , C22C1/10 , C22C9/00 , C22C32/0089 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , C23C14/35 , H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种能够通过溅射法良好地形成添加有Na的Cu-Ga膜的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶具有如下成分组成：含有Ga：20～40at%，并含有Na：0.05～2at%及S：0.025～1.0at%，剩余部分包括Cu及不可避免的杂质。并且，该溅射靶的制作方法具有对Na2S粉末与Cu-Ga合金粉末的混合粉末或Na2S粉末、Cu-Ga合金粉末及纯Cu粉末的混合粉末在真空或惰性气体气氛中进行热压的工序或以热等静压法进行烧结的工序。
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公开(公告)号：CN103261472B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201280003513.7
申请日：2012-07-06
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 太阳能先锋株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F3/14 , B22F9/082 , B22F2009/043 , C22C1/0425 , C22C9/00
Abstract: 本发明提供机械加工性优异、且可以形成主要含有Cu、Ga的化合物膜的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶具有以下的成分组成：相对于溅射靶中的全部金属元素，含有Ga：15原子%～40原子%，而且含有Bi：0.1原子%～5原子%，余量的Cu及不可避免的杂质。该溅射靶的制造方法包括：将至少Cu、Ga及Bi的各元素的单质或含有这些中2种以上的元素的合金在1050℃以上熔融，并制作铸块的步骤。或者包括：制作原料粉末的步骤，该原料粉末是至少Cu、Ga及Bi的各元素的单质或含有这些中2种以上的元素的合金的粉末；和将原料粉末在真空、惰性气体气氛或还原性气体气氛中热加工的步骤。
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公开(公告)号：CN104024470A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201380004675.7
申请日：2013-02-15
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34
CPC classification number: H01J37/3429 , B22F3/10 , B22F2201/20 , B22F2301/00 , B22F2999/00 , C22C1/0425 , C22C32/0089 , C23C14/0623 , C23C14/08 , C23C14/087 , C23C14/3414 , C23C14/35 , B22F3/1007
Abstract: 本发明提供一种含有高浓度的Na并且可以抑制变色、斑点的产生和异常放电，进而具有高强度而不易破裂的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶具有如下成分组成：作为溅射靶的除F、S、Se以外的金属成分，含有Ga：10～40at％、Na：1.0～15at％，剩余部分由Cu及不可避免杂质构成，以由氟化钠、硫化钠及硒化钠中的至少一种构成的Na化合物的状态含有Na，理论密度比为90％以上，抗折强度为100N/mm2以上，体积电阻率为1mΩ·cm以下，在靶表面的1cm2面积内，0.05mm2以上的氟化钠、硫化钠及硒化钠中的至少一种的凝集体平均存在一个以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103261473A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201280003518.X
申请日：2012-04-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 昭和砚壳石油株式会社
CPC classification number: C23C14/3407 , B22F3/14 , C22C1/0425 , C22C1/0483 , C22C9/00 , C22C28/00 , C23C14/3414
Abstract: 提供一种具有卓越的机械加工性能，并且能形成一种主要含有Cu和Ga的化合物膜的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶具有包括如下物质的成分组成：Ga:20～40at%，Sb:0.1～3at%，剩余部分为Cu及不可避免的杂质。该溅射靶的制造方法的特征在于，包括以下步骤：通过粉碎至少Cu、Ga以及Sb各元素的单质或含有其中两种以上元素的合金，来生产原料粉末的步骤；和将所述原料粉末在真空、惰性气氛中或还原性气氛中进行热加工的步骤，所述原料粉末中所含的Ga以CuGa合金或GaSb合金的形式存在。
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公开(公告)号：CN103261473B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201280003518.X
申请日：2012-04-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 太阳能先锋株式会社
CPC classification number: C23C14/3407 , B22F3/14 , C22C1/0425 , C22C1/0483 , C22C9/00 , C22C28/00 , C23C14/3414
Abstract: 提供一种具有卓越的机械加工性能，并且能形成一种主要含有Cu和Ga的化合物膜的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶具有包括如下物质的成分组成：Ga:20～40at%，Sb:0.1～3at%，剩余部分为Cu及不可避免的杂质。该溅射靶的制造方法的特征在于，包括以下步骤：通过粉碎至少Cu、Ga以及Sb各元素的单质或含有其中两种以上元素的合金，来生产原料粉末的步骤；和将所述原料粉末在真空、惰性气氛中或还原性气氛中进行热加工的步骤，所述原料粉末中所含的Ga以CuGa合金或GaSb合金的形式存在。
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公开(公告)号：CN105121695A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201480020879.4
申请日：2014-04-10
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01J37/3426 , B22F3/10 , B22F2201/10 , B22F2201/20 , C22C9/00 , C22C28/00 , C23C14/0623 , C23C14/3414 , H01J2237/3321
Abstract: 本发明的溅射靶为具有如下成分组成的烧结体，即作为金属元素含有Ga:10～40原子％、Na：0.1～15原子％，且残余部分由Cu及不可避免杂质构成，在该烧结体中，以由硫酸钠、亚硫酸钠、硒酸钠及亚硒酸钠中的至少1种构成的Na化合物含有Na，该烧结体具有分散有Na化合物相的组织，所述Na化合物相的平均粒径为10μm以下。
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公开(公告)号：CN103534381A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201280021123.2
申请日：2012-04-24
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 昭和砚壳石油株式会社
CPC classification number: H01L31/18 , B22F3/15 , B22F2999/00 , C22C1/0425 , C22C9/00 , C23C14/3414 , H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521 , B22F3/10 , B22F2201/01 , B22F2201/20 , B22F2201/10
Abstract: 提供了一种溅射靶及其制造方法，所述溅射靶可通过溅射法形成良好地添加了Na的、Ga添加浓度为1-40原子%的Cu-Ga膜。其作为溅射靶的除F、S、Se之外的金属成分，含有Ga：1-40at%、Na：0.05-2at%，剩余部分具有由Cu和不可避免的杂质组成的成分组成；Na以氟化钠、硫化钠、硒化钠中的至少一种的状态含有，含氧量为100-1000ppm。
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公开(公告)号：CN102753721A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201180008507.6
申请日：2011-03-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C14/14 , B22F2003/145 , C22C1/10 , C22C9/00 , C22C32/0089 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , C23C14/35 , H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种能够通过溅射法良好地形成添加有Na的Cu-Ga膜的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶具有如下成分组成：含有Ga：20～40at%，并含有Na：0.05～2at%及S：0.025～1.0at%，剩余部分包括Cu及不可避免的杂质。并且，该溅射靶的制作方法具有对Na2S粉末与Cu-Ga合金粉末的混合粉末或Na2S粉末、Cu-Ga合金粉末及纯Cu粉末的混合粉末在真空或惰性气体气氛中进行热压的工序或以热等静压法进行烧结的工序。
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