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公开(公告)号：CN110337508B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201880014267.2
申请日：2018-12-19
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的Cu‑Ga合金溅射靶具有如下组成：作为金属成分，以20原子％以上且45原子％以下的范围含有Ga，进一步以合计0.1原子％以上且2原子％以下的范围含有K及Na，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，在Cu‑Ga合金的母相中分散有包含Na、K及F的复合氟化物，所述复合氟化物的内切圆的最大直径为30μm以下，在将所述复合氟化物中的Na的原子比设为[Na]且将所述复合氟化物中的K的原子比设为[K]的情况下，[Na]/([Na]+[K])在0.3以上且0.9以下的范围内。
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公开(公告)号：CN106574360A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580039989.X
申请日：2015-08-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 太阳能先锋株式会社
CPC classification number: H01J37/3426 , B22F2998/10 , C22C1/04 , C22C1/0425 , C22C9/00 , C22C28/00 , C22F1/08 , C23C14/3414 , B22F9/082 , B22F2009/041 , B22F2009/043 , B22F3/1039 , B22F3/14 , B22F3/15 , B22F2003/247
Abstract: 本发明提供一种Cu‑Ga溅射靶，其具有作为除去氟的金属成分含有5原子％以上且60原子％以下的Ga及0.01原子％以上且5原子％以下的K、且余量由Cu及不可避免的杂质构成的组成，在由波长分离型X射线检测器获得的原子映射图像中存在含有Cu、Ga、K及F的Cu‑Ga‑K‑F区域。
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公开(公告)号：CN104718308A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201380053585.7
申请日：2013-10-16
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01J37/3426 , B22F3/10 , B22F3/14 , B22F3/15 , B22F3/24 , B22F2003/247 , C22C1/0425 , C22C9/00 , C22C28/00 , C23C14/3414
Abstract: 本发明提供一种机械加工性优异，并且为高密度且抗弯强度较高的Cu-Ga二元系溅射靶及其制造方法。该溅射靶具有含Ga：28～35原子％、余量由Cu及不可避免的杂质所构成的成分组成，还具有以Ga：28原子％以上的高Ga含量Cu-Ga二元系合金相包围含Ga：26原子％以下、余量由Cu所构成的低Ga含量Cu-Ga二元系合金相的共存组织。
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公开(公告)号：CN113508188A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202080018073.7
申请日：2020-03-11
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34 , C04B35/495 , C04B35/645 , H01L21/285
Abstract: 本发明提供一种氧化钨溅射靶，其特征在于，通过溅射面及与所述溅射面正交的截面的X射线衍射分析，确认到W18O49的峰，并且所述溅射面的W18O49的(103)面的衍射强度IS(103)与(010)面的衍射强度IS(010)之比IS(103)/IS(010)为0.38以下，所述截面的W18O49的(103)面的衍射强度IC(103)与(010)面的衍射强度IC(010)之比IC(103)/IC(010)为0.55以上，与溅射面平行的面的所述W18O49相的面积率为37％以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108138311B
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201680061310.1
申请日：2016-10-24
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 太阳能先锋株式会社
Abstract: 本发明的溅射靶具有In的含量为45原子％以上90原子％以下、剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成的组成，存在In单质相和Cu11In9化合物相，所述In单质相及所述Cu11In9化合物相的XRD峰值比I(In)/I(Cu11In9)在0.01以上3以下的范围内，所述Cu11In9化合物相的平均粒径在150μm以下，氧含量为500质量ppm以下，理论密度比为85％以上。
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公开(公告)号：CN105593398A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201480054518.1
申请日：2014-12-04
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3414
Abstract: 本发明的In或In合金溅射靶为在由Cu或Cu合金制的垫板或衬管构成的靶支承基体上，通过由In与Cu的合金构成的结合层接合有成为靶主体的In或In合金层的In或In合金溅射靶，所述结合层具有5～100μm的厚度。
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公开(公告)号：CN104520468A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201380042153.6
申请日：2013-08-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34 , H01L31/032
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F3/1007 , B22F2999/00 , C22C9/00 , C22C28/00 , C22C30/02 , C22C32/0089 , C23C14/14 , H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521 , C23C14/34 , H01L31/032 , B22F2201/01 , B22F2201/20 , B22F2201/11
Abstract: 本发明所涉及的溅射靶具有如下成分组成：作为溅射靶的除F、S、Se以外的金属成分，含有Ga：10～40at％、Na：1.0～15at％，剩余部分由Cu及不可避免杂质构成，以由氟化钠、硫化钠及硒化钠中的至少一种构成的Na化合物的状态含有Na，理论密度比为90％以上，抗折强度为100N/mm2以上，体积电阻率为1mΩ·cm以下，在溅射靶表面的1cm2面积内，0.05mm2以上的氟化钠、硫化钠及硒化钠中的至少一种的凝集体平均为一个以下。
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公开(公告)号：CN114616218A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202080075120.1
申请日：2020-11-26
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C23C14/08 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供一种氧化物溅射靶，其由氧化物构成，该氧化物含有锆、硅及铟作为金属成分，氧化锆相(11)的最大粒径为10μm以下。
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公开(公告)号：CN112585296A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201980054614.9
申请日：2019-07-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 一种溅射靶，含有Cu和In作为金属成分，并且由金属相(12)与氧化物相(11)的复合组织组成，所述氧化物相(11)的面积率在5％以上且96％以下的范围内，密度比为90％以上。一种溅射靶的制造方法，具有：烧结原料粉末形成工序(S01)，得到烧结原料粉末，所述烧结原料粉末含有由Cu粉末及In‑Cu合金粉末中的任意一方或双方组成的金属粉末和由CuO粉末及In2O3粉末中的任意一方或双方组成的氧化物粉末，且所述金属粉末的中值粒径DM与所述氧化物粉末的中值粒径DO之比DM/DO在0.5以上且200以下的范围内；及烧结工序(S02)，对所述烧结原料粉末进行加压，并且加热至小于1000℃的温度而得到烧结体。
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