公开(公告)号：CN105473758B

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201380078980.0

申请日：2013-10-07

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 五十岚和则 ,  渡边宗明 ,  吉田勇气 ,  石山宏一 ,  森晓

IPC: C23C14/34 ,  B22F1/00 ,  B22F3/10 ,  C22C9/00

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22F1/0003 ,  B22F3/1007 ,  B22F2201/01 ,  B22F2301/10 ,  B22F2999/00 ,  C22C1/0425 ,  C22C9/00 ,  C23C14/14 ,  H01J37/3429

Abstract: 本发明提供一种能够进一步降低氧含量，并且能够抑制异常放电的Cu‑Ga烧结体的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶具有含有20at％以上且小于30at％的Ga且剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成的成分组成，并且由通过X射线衍射观察到CuGa的归属于γ相的衍射峰和归属于ζ相的衍射峰的烧结体构成，归属于所述ζ相的衍射峰的主峰强度为归属于所述γ相的衍射峰的主峰强度的10％以上，氧含量为100ppm以下，平均粒径为100μm以下。

公开(公告)号：CN105473758A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201380078980.0

申请日：2013-10-07

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 五十岚和则 ,  渡边宗明 ,  吉田勇气 ,  石山宏一 ,  森晓

IPC: C23C14/34 ,  B22F1/00 ,  B22F3/10 ,  C22C9/00

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22F1/0003 ,  B22F3/1007 ,  B22F2201/01 ,  B22F2301/10 ,  B22F2999/00 ,  C22C1/0425 ,  C22C9/00 ,  C23C14/14 ,  H01J37/3429

Abstract: 本发明提供一种能够进一步降低氧含量，并且能够抑制异常放电的Cu-Ga烧结体的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶具有含有20at％以上且小于30at％的Ga且剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成的成分组成，并且由通过X射线衍射观察到CuGa的归属于γ相的衍射峰和归属于ζ相的衍射峰的烧结体构成，归属于所述ζ相的衍射峰的主峰强度为归属于所述γ相的衍射峰的主峰强度的10％以上，氧含量为100ppm以下，平均粒径为100μm以下。

公开(公告)号：CN102264492A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200980152885.4

申请日：2009-12-21

Applicant: 三菱综合材料株式会社 ,  大冶美有限公司

Inventor： 渡边宗明 ,  五十岚和则

IPC: B22F3/00 ,  B22F1/00 ,  B22F1/02 ,  C22C33/02 ,  C22C38/00 ,  H01F1/147 ,  H01F1/22 ,  H01F41/02

CPC classification number: H01F41/0246 ,  B22F1/0003 ,  B22F1/02 ,  C22C38/02 ,  C22C38/06 ,  H01F1/14791 ,  H01F1/24 ,  H01F1/26

Abstract: 本发明涉及复合软磁性材料，其特征在于：该复合软磁性材料是绝缘处理过的铁粉末与铁硅铝合金粉末和粘结剂混合压密并焙烧而成的材料；该复合软磁性材料具备主相和晶界相，所述主相是上述铁粉末与铁硅铝合金粉末压密而成的相，所述晶界相是在上述主相的周围形成的以粘结剂为主体的相；其中，铁硅铝合金在上述主相中所占的比例为5％(质量)以上、低于20％(质量)，磁场10kA/m时的饱和磁通密度为1T以上，矫顽力为260A/m以下，铁损(0.1T、10kHz时)为20W/kg以下。根据本发明，可以提供保持铁粉末原本所具有的高饱和磁通密度，同时兼具铁硅铝合金所具有的高导磁率、低矫顽力、低铁损耗的特性的复合软磁性材料及其制造方法。