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公开(公告)号：CN114641585B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202080075886.X
申请日：2020-12-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种铜合金板，板厚方向的中心部的中心Mg浓度为0.1质量％以上且小于0.3质量％、中心P浓度为0.001质量％以上且0.2质量％以下，剩余部分由Cu及不可避免的杂质形成，所述铜合金板的表面的表面Mg浓度为所述中心Mg浓度的70％以下，从所述表面起以规定的厚度设定的表层部具有Mg浓度随着从所述表面朝向所述板厚方向的所述中心部增加的0.05质量％/μm以上且5质量％/μm以下的浓度梯度，并且所述表层部中的最大Mg浓度为所述中心Mg浓度的90％，由此抑制表面的变色及接触电阻的上升且镀膜的密接性优异。
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公开(公告)号：CN111788320B
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN201980015759.8
申请日：2019-03-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 该电子电气设备用铜合金以质量％计包含Mg：0.15％以上且小于0.35％及P：0.0005％以上且小于0.01％，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，Mg的含量〔Mg〕与P的含量〔P〕以质量比计满足〔Mg〕+20×〔P〕＜0.5的关系，不可避免的杂质中，H量为10质量ppm以下，O量为100质量ppm以下，S量为50质量ppm以下，C量为10质量ppm以下，晶界三重点的三个晶界全部为特殊晶界的J3与所有晶界三重点的比例NFJ3及晶界三重点的两个晶界为特殊晶界且一个晶界为随机晶界的J2与所有晶界三重点的比例NFJ2满足0.20＜(NFJ2/(1‑NFJ3))0.5≤0.45。
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公开(公告)号：CN111788320A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201980015759.8
申请日：2019-03-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 该电子电气设备用铜合金以质量％计包含Mg：0.15％以上且小于0.35％及P：0.0005％以上且小于0.01％，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，满足〔Mg〕+20×〔P〕＜0.5，不可避免的杂质中，H量为10质量ppm以下，O量为100质量ppm以下，S量为50质量ppm以下，C量为10质量ppm以下，晶界三重点的三个晶界全部为特殊晶界的J3与所有晶界三重点的比例NFJ3及晶界三重点的两个晶界为特殊晶界且一个晶界为随(N机FJ晶2/(界1‑的NFJJ23)与)0所.5≤有0晶.45界。三重点的比例NFJ2满足0.20＜
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公开(公告)号：CN114641585A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202080075886.X
申请日：2020-12-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种铜合金板，板厚方向的中心部的中心Mg浓度为0.1质量％以上且小于0.3质量％、中心P浓度为0.001质量％以上且0.2质量％以下，剩余部分由Cu及不可避免的杂质形成，所述铜合金板的表面的表面Mg浓度为所述中心Mg浓度的70％以下，从所述表面起以规定的厚度设定的表层部具有Mg浓度随着从所述表面朝向所述板厚方向的所述中心部增加的0.05质量％/μm以上且5质量％/μm以下的浓度梯度，并且所述表层部中的最大Mg浓度为所述中心Mg浓度的90％，由此抑制表面的变色及接触电阻的上升且镀膜的密接性优异。
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公开(公告)号：CN111771005A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201980015712.1
申请日：2019-03-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 该电子电气设备用铜合金包含Mg：0.15质量％以上且小于0.35质量％及P：0.0005质量％以上且小于0.01质量％，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，Mg量〔Mg〕与P量〔P〕以质量比计满足〔Mg〕+20×〔P〕＜0.5，晶界三重点的三个晶界全部为特殊晶界的J3与所有晶界三重点的比例NFJ3及晶界三重点的两个晶界为特殊晶界且一个晶界为随机晶界的0J.25≤与所0.4有5。晶界三重点的比例NFJ2满足0.20＜(NFJ2/(1‑NFJ3))
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