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公开(公告)号：CN114127029A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202080051782.5
申请日：2020-10-22
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/16 , C04B35/453 , C23C14/35
Abstract: 该氧化物溅射靶的一方式为由金属成分和氧构成的氧化物，关于金属成分，将金属成分的合计含量设为100质量％时，含有0.3质量％以上且3.7质量％以下的范围内的量的Al、6.0质量％以上且14.5质量％以下的范围内的量的Si、以及合计量在0.003质量％以上且0.1质量％以下的范围内的由选自Zr、Hf和Y中的一种或两种以上构成的M元素，剩余部分由Zn及不可避免的杂质构成。
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公开(公告)号：CN102666910B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201080052554.6
申请日：2010-12-14
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01L31/1884 , C23C14/08 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种透明导电膜、利用该透明导电膜的太阳能电池及用于形成透明导电膜的溅射靶以及其制造方法。本发明提供一种用于液晶显示装置、电致发光显示装置等、尤其适合用于太阳能电池的透明导电膜，并且提供一种利用该透明导电膜的太阳能电池以及适于形成该透明导电膜的溅射靶。本发明的透明导电膜，其由金属成分元素的含有比例以原子比计Al：0.7～7%、Mg：9.2～25%、Ga：0.015～0.085%、其余为Zn的Al-Mg-Ga-Zn系氧化物构成，且耐湿性优异。
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公开(公告)号：CN114616218A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202080075120.1
申请日：2020-11-26
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C23C14/08 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供一种氧化物溅射靶，其由氧化物构成，该氧化物含有锆、硅及铟作为金属成分，氧化锆相(11)的最大粒径为10μm以下。
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公开(公告)号：CN102666910A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080052554.6
申请日：2010-12-14
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01L31/1884 , C23C14/08 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种透明导电膜、利用该透明导电膜的太阳能电池及用于形成透明导电膜的溅射靶以及其制造方法。本发明提供一种用于液晶显示装置、电致发光显示装置等、尤其适合用于太阳能电池的透明导电膜，并且提供一种利用该透明导电膜的太阳能电池以及适于形成该透明导电膜的溅射靶。本发明的透明导电膜，其由金属成分元素的含有比例以原子比计Al：0.7～7%、Mg：9.2～25%、Ga：0.015～0.085%、其余为Zn的Al-Mg-Ga-Zn系氧化物构成，且耐湿性优异。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108138311B
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201680061310.1
申请日：2016-10-24
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 太阳能先锋株式会社
Abstract: 本发明的溅射靶具有In的含量为45原子％以上90原子％以下、剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成的组成，存在In单质相和Cu11In9化合物相，所述In单质相及所述Cu11In9化合物相的XRD峰值比I(In)/I(Cu11In9)在0.01以上3以下的范围内，所述Cu11In9化合物相的平均粒径在150μm以下，氧含量为500质量ppm以下，理论密度比为85％以上。
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公开(公告)号：CN105593398A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201480054518.1
申请日：2014-12-04
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3414
Abstract: 本发明的In或In合金溅射靶为在由Cu或Cu合金制的垫板或衬管构成的靶支承基体上，通过由In与Cu的合金构成的结合层接合有成为靶主体的In或In合金层的In或In合金溅射靶，所述结合层具有5～100μm的厚度。
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公开(公告)号：CN108138311A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680061310.1
申请日：2016-10-24
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 太阳能先锋株式会社
Abstract: 本发明的溅射靶具有In的含量为45原子％以上90原子％以下、剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成的组成，存在In单质相和Cu11In9化合物相，所述In单质相及所述Cu11In9化合物相的XRD峰值比I(In)/I(Cu11In9)在0.01以上3以下的范围内，所述Cu11In9化合物相的平均粒径在150μm以下，氧含量为500质量ppm以下，理论密度比为85％以上。
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公开(公告)号：CN105593398B
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201480054518.1
申请日：2014-12-04
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3414
Abstract: 本发明的In或In合金溅射靶为在由Cu或Cu合金制的垫板或衬管构成的靶支承基体上，通过由In与Cu的合金构成的结合层接合有成为靶主体的In或In合金层的In或In合金溅射靶，所述结合层具有5～100μm的厚度。
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