公开(公告)号：CN113348046A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202080009874.7

申请日：2020-02-04

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 西元修司 ,  高桑启

IPC: B23K1/00 ,  B23K1/19 ,  C22C9/00 ,  C22C21/00 ,  H01L23/36 ,  C22F1/00 ,  C22F1/08 ,  B32B15/04 ,  C04B37/02

Abstract: 本发明提供一种铜‑陶瓷接合体的制造方法，其中，铜部件的组成如下：Cu的纯度为99.96质量％以上且剩余部分为不可避免杂质，并且P的含量为2质量ppm以下且Pb、Se及Te的总含量为10质量ppm以下，所述铜‑陶瓷接合体的制造方法具有接合工序，所述接合工序通过将层叠后的所述铜部件与所述陶瓷部件向层叠方向进行加压及加热来接合层叠后的所述铜部件与所述陶瓷部件，将接合前的所述铜部件的平均结晶粒径设为10μm以上，将表示轧制面中晶粒的长径/短径之比的纵横比设为2以下，在所述接合工序中，将向层叠方向的加压荷载设在0.05MPa以上且1.5MPa以下的范围内、将加热温度设在800℃以上且850℃以下的范围内、将加热温度下的保持时间设在10分钟以上且90分钟以下的范围内。

公开(公告)号：CN113348046B

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202080009874.7

申请日：2020-02-04

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 西元修司 ,  高桑启

IPC: B23K1/00 ,  B23K1/19 ,  C22C9/00 ,  C22C21/00 ,  H01L23/36 ,  C22F1/00 ,  C22F1/08 ,  B32B15/04 ,  C04B37/02

Abstract: 本发明提供一种铜‑陶瓷接合体的制造方法，其中，铜部件的组成如下：Cu的纯度为99.96质量％以上且剩余部分为不可避免杂质，并且P的含量为2质量ppm以下且Pb、Se及Te的总含量为10质量ppm以下，所述铜‑陶瓷接合体的制造方法具有接合工序，所述接合工序通过将层叠后的所述铜部件与所述陶瓷部件向层叠方向进行加压及加热来接合层叠后的所述铜部件与所述陶瓷部件，将接合前的所述铜部件的平均结晶粒径设为10μm以上，将表示轧制面中晶粒的长径/短径之比的纵横比设为2以下，在所述接合工序中，将向层叠方向的加压荷载设在0.05MPa以上且1.5MPa以下的范围内、将加热温度设在800℃以上且850℃以下的范围内、将加热温度下的保持时间设在10分钟以上且90分钟以下的范围内。