公开(公告)号：CN114846624A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202080087470.X

申请日：2020-12-18

申请人： 三菱综合材料株式会社 ,  国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学

发明人： 中泽弘实 ,  曾山信幸 ,  白田敬治 ,  土井利浩 ,  范图仲 ,  高村禅 ,  下田达也 ,  广濑大亮

IPC分类号： H01L29/786 ,  G01N33/483 ,  G01N33/53 ,  G01N33/552 ,  G01N27/414

摘要： 该晶体管传感器具有：基板；沟道层，设置于所述基板的一个面上；及固体电解质层，设置于所述基板与所述沟道层之间或所述沟道层的与所述基板侧相反的一侧的面上，所述沟道层包含无机半导体，所述固体电解质层包含无机固体电解质，所述晶体管传感器具备暴露部，所述暴露部通过所述沟道层及所述固体电解质层中的任一个或这两个的至少一部分暴露于外部而形成。

公开(公告)号：CN108886857A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780018466.6

申请日：2017-03-22

申请人： 三菱综合材料株式会社

发明人： 中泽弘实 ,  石井博 ,  岁森悠人 ,  斋藤淳 ,  林雄二郎

IPC分类号： H05B33/26 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

摘要： 本发明的层叠反射电极膜具有：Ag膜，由Ag或Ag合金构成；及透明导电氧化物膜，配置于所述Ag膜上，所述透明导电氧化物膜由氧化物构成，所述氧化物包含Zn和Ga，还包含Sn、Y及Ti中的一种或两种以上。

公开(公告)号：CN108886857B

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN201780018466.6

申请日：2017-03-22

申请人： 三菱综合材料株式会社

发明人： 中泽弘实 ,  石井博 ,  岁森悠人 ,  斋藤淳 ,  林雄二郎

IPC分类号： H05B33/26 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

摘要： 本发明的层叠反射电极膜具有：Ag膜，由Ag或Ag合金构成；及透明导电氧化物膜，配置于所述Ag膜上，所述透明导电氧化物膜由氧化物构成，所述氧化物包含Zn和Ga，还包含Sn、Y及Ti中的一种或两种以上。

公开(公告)号：CN108885922B

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN201780019852.7

申请日：2017-03-22

申请人： 三菱综合材料株式会社

发明人： 中泽弘实 ,  石井博 ,  岁森悠人 ,  斋藤淳 ,  林雄二郎

IPC分类号： H01B5/14 ,  C01G23/00 ,  C04B35/453 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/14 ,  H01B13/00

摘要： 本发明的层叠透明导电膜具有由Ag或Ag合金构成的Ag膜及配置于所述Ag膜的双面的透明导电氧化物膜，所述透明导电氧化物膜由包含Zn、Ga及Ti的氧化物形成。

公开(公告)号：CN108885922A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780019852.7

申请日：2017-03-22

申请人： 三菱综合材料株式会社

发明人： 中泽弘实 ,  石井博 ,  岁森悠人 ,  斋藤淳 ,  林雄二郎

IPC分类号： H01B5/14 ,  B32B15/01 ,  B32B7/02 ,  C01G23/00 ,  C04B35/453 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/14 ,  H01B13/00

摘要： 本发明的层叠透明导电膜具有由Ag或Ag合金构成的Ag膜及配置于所述Ag膜的双面的透明导电氧化物膜，所述透明导电氧化物膜由包含Zn、Ga及Ti的氧化物形成。