公开(公告)号：CN101946318A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200880126654.1

申请日：2008-02-14

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 上野大司 ,  和田太郎 ,  舩山正宏 ,  黑田能克 ,  近藤雄一 ,  小林真一 ,  中野浩儿 ,  藤原谦二 ,  竹下照雄

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/52 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/5385 ,  H01L23/051 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/19 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及热连接和电连接性能优异、能完全确保冷却性能且可靠性高的半导体元件模块及其制造方法。半导体元件模块包括绝缘栅双极晶体管(2)、二极管(3)、陶瓷衬底(7)、陶瓷衬底(8)和密封构件(11)，绝缘栅双极晶体管(2)和二极管(3)的两侧的表面均形成有电极，陶瓷衬底(7)的热传导率高、并在其表面上形成有与绝缘栅双极晶体管(2)和二极管(3)的一个表面结合的配线电路层(4、5)，陶瓷衬底(8)的热传导率高、并在其表面上形成有与绝缘栅双极晶体管(2)和二极管(3)的另一个表面结合的配线电路层(6)，密封构件(11)被夹持在陶瓷衬底(7、8)的外缘之间、并用于密封内部。这些构件通过室温结合法结合。

公开(公告)号：CN101946318B

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN200880126654.1

申请日：2008-02-14

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 上野大司 ,  和田太郎 ,  舩山正宏 ,  黑田能克 ,  近藤雄一 ,  小林真一 ,  中野浩儿 ,  藤原谦二 ,  竹下照雄

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/52 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/5385 ,  H01L23/051 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/19 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及热连接和电连接性能优异、能完全确保冷却性能且可靠性高的半导体元件模块及其制造方法。半导体元件模块包括绝缘栅双极晶体管(2)、二极管(3)、陶瓷衬底(7)、陶瓷衬底(8)和密封构件(11)，绝缘栅双极晶体管(2)和二极管(3)的两侧的表面均形成有电极，陶瓷衬底(7)的热传导率高、并在其表面上形成有与绝缘栅双极晶体管(2)和二极管(3)的一个表面结合的配线电路层(4、5)，陶瓷衬底(8)的热传导率高、并在其表面上形成有与绝缘栅双极晶体管(2)和二极管(3)的另一个表面结合的配线电路层(6)，密封构件(11)被夹持在陶瓷衬底(7、8)的外缘之间、并用于密封内部。这些构件通过室温结合法结合。