公开(公告)号：CN103026508A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201180035754.5

申请日：2011-09-28

申请人： 三菱重工业株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

发明人： 中野慎也 ,  竹内良昭 ,  近藤道雄 ,  松井卓矢

IPC分类号： H01L31/20 ,  H01L31/18 ,  H01L31/077

CPC分类号： H01L31/202 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种光电转换装置的制造方法，能够提升太阳能电池的发电特性，所述太阳能电池具有由p型晶体Ge(基板)-i型非晶硅半导体层-n型非晶硅半导体层构成的异质结单元。光电转换装置(100)在基板(p型晶体Ge)(11)上设置依次层叠i型非晶硅半导体层(12)和n型非晶硅半导体层(13)而成的异质结单元(1)，该光电转换装置(100)的制造方法具备：PH3暴露处理工序，使已除去表面形成的氧化膜的基板(11)达到预定温度后，将该基板配置在真空腔室内并使其暴露于PH3中；i层制膜工序，在经PH3暴露的基板上制作i型非晶硅半导体层(12)；n层制膜工序，在i型非晶硅半导体层(12)上制作n型非晶硅半导体层(13)；以及电极形成工序，在n型非晶硅半导体层上、及在基板(11)的背面侧的面上形成电极(2、3、4)。