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公开(公告)号：CN102427079A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110410127.7
申请日：2011-12-09
申请人： 上海中科高等研究院
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明公开了一种CMOS图像传感器，感光结构包括PIN结和多晶硅栅。PIN结由三个横向排列的掺杂区组成，第二掺杂区为PIN结的I型区，多晶硅栅形成于第二掺杂区上方、且多晶硅栅和第二掺杂区间隔离有栅氧化层。多晶硅栅能使I型区的能带产生弯曲，从而能增加使I型区的光生电荷的转移能力，当I型区长度超过了光生电子或光生空穴的扩散长度时，也能使光生电子或光生空穴有效转移到N型区或P型区中，从而能降低光生电荷的转移在转移过程中的复合几率，能够增加感光区的光生电荷的转移效率，也能增加感光区的长度和有效感光面积，能够提高光响应率。
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公开(公告)号：CN103268754A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310205000.0
申请日：2013-05-28
申请人： 上海中科高等研究院
IPC分类号： G09G3/32
摘要： 本发明提供一种上升下降时间控制电路及AMOLED驱动控制信号产生电路，所述上升下降时间控制电路包括：一个电容可编程模块以及至少一个电阻可编程模块；所述电阻可编程模块的第一端为信号输入端，第二端与所述电容可编程模块的第一端电性连接作为信号输出端，所述电容可编程模块的第二端接地。所述AMOLED驱动控制信号产生电路包括数据信号驱动电路、扫描信号驱动电路、开关信号驱动电路以及上述的上升下降时间控制电路。本发明可以通过调节电容可编程模块及电阻可编程模块，达到同步或异步调节上升下降时间的目的，从而解决OLED电流突变过快，频繁开关后OLED老化加速的问题，延长OLED的寿命。本发明结构简单，容易实现产业化。
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公开(公告)号：CN103280181A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310208246.3
申请日：2013-05-29
申请人： 上海中科高等研究院
摘要： 本发明提供一种AMOLED像素亮度的补偿方法及补偿系统，所述补偿方法包括步骤：1）关闭像素，检测环境光的光强，获得第一光强值L1；2）将所述像素的亮度信号设定为一个参考信号Dref，使该像素在该参考信号Dref下发光，检测并获得第二光强值L2，则该像素的实际光强值L3=L2-L1；3）将实际光强值L3与参考光强值Lref相比较，产生相应的补偿信号Dcom，并对所述像素的亮度信号进行补偿。所述补偿系统包括检测模块、比较模块及补偿模块。本发明通过光学反馈以及信号补偿的方法来提高AMOLED显示的亮度均匀性，从而提高图像显示的质量。本发明方法和系统简单，容易实现产业化。
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公开(公告)号：CN102290426A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110268154.5
申请日：2011-09-09
申请人： 上海中科高等研究院
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明提供一种图像传感器的制造方法，包括步骤：提供带有绝缘埋层的半导体衬底；选定图像传感器的感光二极管区域，依次刻蚀顶层半导体层和绝缘层至露出支撑衬底表面；对露出的支撑衬底进行离子注入和扩散形成隔离区以及隔离区内包围的阱区；在阱区上掺杂形成第一掺杂区，期与阱区之间留有用于互连的空间；制作信号读出电路。相应地，本发明还提供一种图像传感器，将感光二极管区域被重掺杂的隔离区包围，通过隔离区可产生更深的耗尽区，提供光吸收效率，同事对辐照在支撑衬底中产生的电子空穴起到隔离作用，提高其抗辐照性能。
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公开(公告)号：CN102290426B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201110268154.5
申请日：2011-09-09
申请人： 上海中科高等研究院
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明提供一种图像传感器的制造方法，包括步骤：提供带有绝缘埋层的半导体衬底；选定图像传感器的感光二极管区域，依次刻蚀顶层半导体层和绝缘层至露出支撑衬底表面；对露出的支撑衬底进行离子注入和扩散形成隔离区以及隔离区内包围的阱区；在阱区上掺杂形成第一掺杂区，期与阱区之间留有用于互连的空间；制作信号读出电路。相应地，本发明还提供一种图像传感器，将感光二极管区域被重掺杂的隔离区包围，通过隔离区可产生更深的耗尽区，提供光吸收效率，同事对辐照在支撑衬底中产生的电子空穴起到隔离作用，提高其抗辐照性能。
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公开(公告)号：CN102544050A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110444974.5
申请日：2011-12-28
申请人： 上海中科高等研究院
IPC分类号： H01L27/24 , H01L27/146 , G11C19/28
摘要： 本发明提供了一种电荷储存单元，具有一输入端和一输出端，所述电荷储存单元包括曝光控制晶体管、输出晶体管和相变电阻：所述曝光控制晶体管的漏/源极为所述电荷储存单元的输入端，源/漏极连接至所述相变电阻的第一端；所述相变电阻的第二端接地；所述输出晶体管的漏/源极连接至曝光控制晶体管的漏/源极与感光二极管的负极的共连接端，源/漏极为所述电荷存储单元的输出端，栅极接输出控制信号。本发明的优点在于，相变电阻会在非晶状态和晶体状态间切换，因此能够储存光信号，最后通过外加的驱动电流读出电压信号。并且相变材料的状态不会随外界温度或者辐照产生变化，并且相变材料本身具有不挥发性、功耗低、读写速度快的优点。
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