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公开(公告)号：CN102620843B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201210114277.8
申请日：2012-04-18
申请人： 上海中科高等研究院
摘要： 本发明提供了一种芯片过温监测器，包括：温度感测单元、参考信号单元、比较单元、以及输出单元；所述输出单元的第二输出端与参考信号单元的反馈信号输入端连接，输出一反馈信号至参考信号单元，控制参考信号单元根据比较单元的反馈信号的值来确定输出第一或第二参考信号至比较单元的第二输入端，从而实现超温保护点和降温启动点之间的迟滞效应。本发明的优点在于，采用了从输出单元至参考信号单元的反馈机制，有效避免了芯片在温度上下波动的情况下，频繁发生超温报警，影响芯片正常工作。
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公开(公告)号：CN103281071A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310251991.6
申请日：2013-06-21
申请人： 上海中科高等研究院
IPC分类号： H03K19/0944 , H03K21/00
摘要： 本发明涉及半导体器件，公开了一种锁存器及包括该锁存器的分频器电路。本发明中，该锁存器在同一条电流通路上实现了两对差分信号的处理，实现了电流的复用，节省了芯片面积，降低了功耗。在分频器电路中使用上述锁存器，相对于传统分频器电路，将使用一半的锁存器实现相同的功能，节省面积，降低功耗，同时由于电路结构简单，可以大幅提高输出信号的相位正交性和幅度匹配性，提高电路的性能，并且在反馈通路上，多加几级锁存器，就可以非常容易地扩展成不同分配模式的分频器，可扩展性好。
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公开(公告)号：CN102620843A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210114277.8
申请日：2012-04-18
申请人： 上海中科高等研究院
摘要： 本发明提供了一种芯片过温监测器，包括：温度感测单元、参考信号单元、比较单元、以及输出单元；所述输出单元的第二输出端与参考信号单元的反馈信号输入端连接，输出一反馈信号至参考信号单元，控制参考信号单元根据比较单元的反馈信号的值来确定输出第一或第二参考信号至比较单元的第二输入端，从而实现超温保护点和降温启动点之间的迟滞效应。本发明的优点在于，采用了从输出单元至参考信号单元的反馈机制，有效避免了芯片在温度上下波动的情况下，频繁发生超温报警，影响芯片正常工作。
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公开(公告)号：CN103281038A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310202579.5
申请日：2013-05-27
申请人： 上海中科高等研究院
摘要： 本发明涉及半导体器件，公开了一种宽带低噪声放大器。本发明中，该宽带低噪声放大器利用交叉耦合晶体管网络作为宽带阻抗匹配网络，可在很宽的频带内实现近似纯电阻的特性，并且电路结构简单，使其在不牺牲噪声的前提下，实现良好的宽带阻抗匹配性能，即实现噪声性能和带宽性能的同时优化；与传统的低噪声放大器相比，其避免了射频电感的使用，使得芯片面积大大降低，可以减小80%以上。
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公开(公告)号：CN102842899A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210266695.9
申请日：2012-07-30
申请人： 上海中科高等研究院
IPC分类号： H02H9/02
摘要： 本发明是有关于一种启动器的过流保护装置，包括一上拉晶体管、一输入采样晶体管和一控制晶体管；所述输入采样晶体管的栅极电学连接至过流保护装置的控制端，源/漏极电学连接至上拉晶体管的栅极，漏/源极接地；所述控制晶体管的栅极电学连接至一控制信号端；源/漏极电学连接至上拉晶体管的栅极，漏/源极电学连接至高电平端；所述上拉晶体管的漏/源极电学连接至高电平端，源/漏极电学连接至过流保护装置的输出端。
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公开(公告)号：CN102931955A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210451247.6
申请日：2012-11-12
申请人： 上海中科高等研究院
IPC分类号： H03K5/22
摘要： 本发明涉及半导体器件领域，公开了一种多路比较器电路。该多路比较器电路包括输入选择电路和比较输出电路，该输入选择电路采用控制MOS管控制对多路输入信号的选择，同时复用了上述比较输出电路，以很低的硬件代价实现了对多路输入信号的比较；该比较输出电路通过门控电流管对直流通路进行管理，可以在真正需要比较的时候将电路打开，大大降低了比较器电路的功耗。此外，选择宽长比不同的MOS管分别作为栅极接输入信号或参考信号的MOS管或是将相同宽长比的MOS管并联，可实现对输入信号或参考信号的预放大功能；在上述比较输出电路中加入MOS管M9，使输出的比较信号在比较器电路不工作时处于稳定的电平，为下一次比较做准备。
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