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公开(公告)号：CN117192816A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311087028.9
申请日：2023-08-28
申请人： 上海交大平湖智能光电研究院 , 暨南大学
摘要： 一种调制器射频互连错位封装结构，用于解决传统电光调制器电极与射频信号过渡芯片在互连后带宽损失高的问题。这种互连设计自上而下的结构为射频板微带线、射频板基底层与金属通孔、射频板焊盘、石英垫块、焊球、电光调制器：上述的射频板微带线为GSG结构的共面波导；所述射频板基底为氧化铝材料，基底内部通过金属通孔将基底上表面电极与下表面焊盘连接；所述石英垫块支撑射频板于合适高度；所述焊球连接射频板焊盘与电光调制器电极；所述电光调制器的电极结构为GSG结构的共面波导，缓冲层与铌酸锂层内包裹有电子束光刻铌酸锂波导；通过上述技术方案，以实现高带宽的调制器射频互连的技术效果。
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公开(公告)号：CN116819681A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310508688.3
申请日：2023-05-08
申请人： 暨南大学
IPC分类号： G02B6/122 , G02B6/136 , G02B6/125 , G02F1/295 , G02F1/29 , G02B6/13 , G02F1/03 , G02F1/035 , G02B6/12
摘要： 本发明涉及集成光芯片领域,更具体地,涉及一种基于微结构的电光波导阵列光学相控阵。用于解决传统电光调制的光束扫描器件仍然难于达到高速化(GHZ)、大扫描角度(视场)等要求的问题。这种光束扫描技术自上而下的结构为微结构电极、缓冲层、铌酸锂层或者绝缘体上薄膜铌酸锂平台(LNOI)；上述的微结构电极为周期性矩形打孔电极；所述铌酸锂和缓冲层内包裹有电子束光刻铌酸锂波导；所述电子束光刻波导设置有入射区域、分束区域、调制区域和输出区域共同构成波导区；所述芯片的出射区域设置有超晶格单元；所述超晶格单元为不同间隔分布的铌酸锂波导序列；通过上述技术方案,以实现高速率、大扫描角度的技术效果。
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公开(公告)号：CN115437166A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211015760.0
申请日：2022-08-24
申请人： 暨南大学
摘要： 本发明公开了一种基于谐振结构的太赫兹光纤滤波器，包括：侧边抛磨太赫兹光纤、谐振结构，其中谐振结构是一种微纳长方体柱，该结构集成于侧边抛磨太赫兹光纤的侧边抛磨平坦区。微纳长方体柱起到类谐振腔效果，使得符合微纳长方体柱谐振频率的太赫兹波被有效耦合进入谐振腔与微纳长方体柱相互作用产生电磁谐振，电磁谐振频率也被称为该滤波器的中心频率，位于中心频率处的太赫兹电磁能量用于维持电磁振荡，由此形成滤波阻带。随着微纳长方体柱结构尺寸的改变，该滤波器能实现0.1～3THz范围内任一特定窄带内实现较高Q值，较大最大阻带衰减深度和较小的插入损耗的滤波。
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公开(公告)号：CN109683112A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811602072.8
申请日：2018-12-26
申请人： 暨南大学
IPC分类号： G01R33/032
CPC分类号： G01R33/032 , G01R33/0052
摘要： 本发明涉及光纤磁场传感器技术领域，具体公开了一种磁流体披覆侧抛光纤的磁场传感器及其制备与检测方法，所述磁场传感器包括侧边抛磨光纤、披覆在抛磨区周围的磁流体、光源以及用于检测透射光谱的光谱仪，所述抛磨光纤是通过光纤抛磨掉部分包层制作而成；所述抛磨光纤上设有玻璃毛细管以及光学紫外胶，所述磁流体通过玻璃毛细管以及光学紫外胶密封包裹在侧边抛磨光纤周围；在磁场作用下，纳米粒子随磁场方向汇集或分散，使得纳米粒子的折射率受到磁场强度与方向的控制，从而在纳米粒子与抛磨光纤之间的倏逝场相互作用下，透射光谱信号会受到磁场强度与方向的控制，构成磁场传感器。本发明在于能灵敏地检测到磁场强度与方向的变化，有助于实现高灵敏度磁场测量。
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公开(公告)号：CN108871566A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810721303.0
申请日：2018-07-03
申请人： 暨南大学
IPC分类号： G01J1/42 , H04B10/25 , H04B10/116
摘要： 本专利涉及光电探测领域，公开了一种光纤集成石墨烯光电探测器，包括波导、石墨烯薄膜与金属电极，所述波导为侧边抛磨光纤，所述侧边抛磨光纤包括包层和纤芯，所述包层经部分抛磨处理成一抛磨区，抛磨区表面敷设有石墨烯薄膜，石墨烯薄膜表面覆盖有金属电极，其特征在于，还包括聚甲基丙烯酸甲酯薄膜，所述聚甲基丙烯酸甲酯薄膜设置在抛磨区与石墨烯薄膜之间。本专利首次将聚甲基丙烯酸甲酯薄膜与石墨烯薄膜堆叠排列的结构集成于侧边抛磨光纤上制备为光电探测器件，具备极高的光响应度，并具有极宽光谱的响应特性；与传统的基于硅基波导的探测器相比，基于光纤波导的探测器件设计方便，可以将光电探测技术直接用于光纤通信中的在线监测，具有很高的商业实用价值。
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公开(公告)号：CN107505735A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710751379.3
申请日：2017-08-28
申请人： 暨南大学
IPC分类号： G02F1/01
摘要： 本发明涉及光通讯器件技术领域，具体是一种基于消逝场耦合光力实现的全光光功率控制系统。一种基于消逝场耦合光力实现的全光光功率控制系统，包括纳米光纤和玻璃衬底，纳米光纤输入端连接波分复用器，波分复用器的输入端同时连接两个激光器，两个激光器分别输入泵浦光和探测光，纳米光纤下方放置玻璃衬底，玻璃衬底与纳米位移装置连接，纳米位移装置用于实现玻璃衬底以纳米量级移动，纳米光纤和玻璃衬底间的初始安装间距使探测光的消逝场与玻璃衬底耦合。本发明不需依赖电学技术，能快速响应，高效率地实现光功率控制。
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公开(公告)号：CN107389618A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710448585.7
申请日：2017-06-14
申请人： 暨南大学
IPC分类号： G01N21/552
CPC分类号： G01N21/554
摘要： 本发明公开了一种二氧化钛增敏的表面等离子体共振传感器及其制备方法，通过旋涂法覆盖二氧化钛纳米颗粒修饰表面等离子体共振传感芯片，所述表面等离体子体共振传感芯片是通过真空蒸镀法将金膜或银膜镀在侧边抛磨光纤抛磨面或棱镜表面制作而成。所述侧边抛磨光纤是通过光纤抛磨掉部分包层和纤芯制作而成。本发明制备简单、低廉，制得的传感器兼容性高、响应灵敏、比表面积大。
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公开(公告)号：CN104465924A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410651279.X
申请日：2014-11-17
申请人： 暨南大学
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/60 , H01L33/642
摘要： 本发明公开了一种基于双界面球冠型图形结构的LED芯片，其结构自上而下依次为：蓝宝石层（3）、N型氮化镓层（4）、有源层（5）、P型氮化镓层（6）以及金属反射膜层（7），其特征在于：蓝宝石层（3）的两个表面均设置有球冠型图形结构。与现有技术相比，本发明不但提高了散热效率，而且可以提高LED芯片的光提取效率。
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公开(公告)号：CN116481333A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310452828.X
申请日：2023-04-25
申请人： 暨南大学
摘要： 本发明属于原位温度测量领域，具体公开了一种原位供气精准测温管式炉，包括石英管、第一法兰、第二法兰、输气管、测温热电偶、原料推拉杆、石英舟、输气管驱动机构、测温热电偶驱动机构、原料推拉杆驱动机构。本发明的原位供气精准测温管式炉通过将测温热电偶安装到石英管内，可以对石英管内原料温度进行测量，相较于现有的内嵌式热电偶，具有测温精准、卸装方便、容易实现等优点；将热电偶与真空焊接波纹管结合，可以对石英管内任意位置进行温度测量，相较于现有的定点测温管式炉，具有测温范围广、实时调节测温点等优势；通过将两个原料推拉杆分别安装于石英管两端，可适于两种原料需要同时加热的应用场景，具有灵活性高的优势。
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公开(公告)号：CN108008478A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711252001.5
申请日：2017-12-01
申请人： 暨南大学
IPC分类号： G02B5/18
摘要： 本发明公开了一种用于1550纳米中心波长的基于金属多层介质膜的偏振选择反射式光栅，包括自内向外依次镀制的石英基底、金属层、匹配层和光栅刻蚀层，所述光栅刻蚀层包括自内向外依次镀制的第一低折射率膜层和第一高折射率膜层，所述匹配层包括自内向外依次镀制的第二低折射率膜层与第二高折射率膜层，所述光栅刻蚀层的周期为1200～1300纳米，占空比为0.2～0.4，第一低折射率膜层的厚度为100～160纳米，第一高折射率膜层的厚度为240～310纳米，第二高折射率层的厚度为90～150纳米；第二低折射率膜层的厚度为240～300纳米，所述的金属层的厚度大于50纳米。本发明具有宽光谱、宽角谱、高衍射效率等特点，且对不同偏振的入射光表现出完全不同的衍射特性。
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