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公开(公告)号：CN101937944A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010267015.6
申请日：2010-08-31
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18
Abstract: 一种光伏发电技术领域的双面钝化的晶体硅太阳电池的制备方法。包括①采用碱溶液和酸溶液分别对P型单晶硅和多晶硅片进行表面预清洗和表面织构；②用三氯氧磷作为扩散源进行扩散形成PN结；③采用化学湿法去除硅片表面的磷硅玻璃，并采用等离子体将硅片边缘刻蚀；④采用等离子体增强化学汽相沉积方法在P型硅片的发射区表面制备氮化硅薄膜；⑤采用热丝化学气相沉积法制备氢化微晶硅和非晶硅的混合相薄膜材料，将薄膜沉积到P型硅片一侧，钝化P型硅表面的缺陷和悬挂键；⑥采用丝网印刷背面电极、丝网印刷正面电极，经过烧结后，形成太阳电池。本发明降低光生少数载流子在背表面复合的几率，提高电池的长波光量子效率，为光生载流子的输运和收集创造条件。
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公开(公告)号：CN100342556C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200510027059.0
申请日：2005-06-23
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/203 , C23C14/34 , C23C14/06 , B82B3/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种属于半导体光伏器件材料制备技术领域的半导体光伏器件级纳米硅薄膜的制备方法，本发明采用物理的方法—即溅射系统来制备光伏器件级纳米硅薄膜，靶材选用硅片，工作气体可以有氢气、氩气无毒且安全的气体，在低温条件下沉积硅薄膜，此外，通过更换不同导电类型的靶材可以获得相应导电类型的纳米硅薄膜，通过调整气体的比例来控制薄膜的晶化度和有序程度。本发明在低温的环境下采用物理的沉积方法制备光伏器件级薄膜材料，而且这种方法可以达到较高的真空度，可以长时间连续进行镀膜工作，提高系统的利用率，具有简单方便，成本低廉，实用的特点，能直接制备各种导电类型的纳米硅薄膜。
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公开(公告)号：CN1697202A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510027059.0
申请日：2005-06-23
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/203 , C23C14/34 , C23C14/06 , B82B3/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种属于半导体光伏器件材料制备技术领域的半导体光伏器件级纳米硅薄膜的制备方法，本发明采用物理的方法－即溅射系统来制备光伏器件级纳米硅薄膜，靶材选用硅片，工作气体可以有氢气、氩气无毒且安全的气体，在低温条件下沉积硅薄膜，此外，通过更换不同导电类型的靶材可以获得相应导电类型的纳米硅薄膜，通过调整气体的比例来控制薄膜的晶化度和有序程度。本发明在低温的环境下采用物理的沉积方法制备光伏器件级薄膜材料，而且这种方法可以达到较高的真空度，可以长时间连续进行镀膜工作，提高系统的利用率，具有简单方便，成本低廉，实用的特点，能直接制备各种导电类型的纳米硅薄膜。
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公开(公告)号：CN1206743C
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN03116165.0
申请日：2003-04-03
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/022425 , Y02E10/50
Abstract: 一种晶体硅太阳电池制备工艺，属于太阳能应用领域。本发明制备晶体硅太阳电池工艺按工艺线的生产顺序分为如下六个步骤：对硅片进行前道化学预处理；在硅片上制作PN结；用电感耦合等离子刻蚀硅片周边；在电池的正面淀积氮化硅薄膜；采用丝网印刷工艺在太阳电池的正、背面制作电极；正、背面电极金属化及氮化硅薄膜烧穿。本发明将原来的两到三次的电极烧结工艺简化成一次完成，降低了的成本，提高了太阳电池效率。面积为103×103mm2的单晶硅太阳电池效率达15.7%，此工艺也适用多晶硅太阳电池，多晶硅太阳电池效率达14.0%以上(AM1.5，光照强度100mW/cm2，25℃)。
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公开(公告)号：CN101976710A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010510107.2
申请日：2010-10-15
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/072 , H01L31/0368
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种太阳能应用技术领域的基于氢化微晶硅薄膜的晶体硅异质结太阳电池的制备方法，结合了晶体硅与氢化硅基薄膜低温工艺和物性可调控的特点，可实现P型硅片表面的有效钝化和PN结制成，在硅片背表面采用原子层沉积(和等离子体增强的化学气相沉积)制备Al2O3或Al2O3/SiOx钝化膜，由于Al2O3薄膜中负电荷的密度高达1011cm-2，该钝化膜能降低光生少数载流子在背表面复合的几率，提高电池的长波光量子效率，为光生载流子的输运和收集创造条件，从而提高电池的光电转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1314134C
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200410052858.9
申请日：2004-07-15
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/072 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种用于半导体技术领域的硅薄膜异质结太阳电池的制备方法，衬底清洗：采用半导体清洗工艺进行衬底的表面初清洗，再将衬底放在去离子水中用超声波清洗，用去离子水冲洗数次，氮气吹干；制备本征非晶硅层：用热丝化学汽相沉积技术制备本征非晶硅层，钨丝温度用光学高温计测量，加热器与样品的温度分别由两个热电偶测定，用电子温度控制器控制温度，在衬底表面反应生长而成薄膜；在本征非晶硅薄膜上再沉积一层发射层；正、背面电极的形成：用溅射工艺在电池的正、背面形成电极；最后进行真空热退火工艺。本发明薄膜具有光照稳定性，在AM1.5，100mW/cm2标准光强下，获得的硅薄膜的光电导增益可达106，基于此薄膜的非晶硅和晶硅异质结太阳电池的效率达12.5%。
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公开(公告)号：CN1588649A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410052858.9
申请日：2004-07-15
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/072 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种用于半导体技术领域的硅薄膜异质结太阳电池的制备方法，衬底清洗：采用半导体清洗工艺进行衬底的表面初清洗，再将衬底放在去离子水中用超声波清洗，用去离子水冲洗数次，氮气吹干；制备本征非晶硅层：用热丝化学汽相沉积技术制备本征非晶硅层，钨丝温度用光学高温计测量，加热器与样品的温度分别由两个热电偶测定，用电子温度控制器控制温度，在衬底表面反应生长而成薄膜；在本征非晶硅薄膜上再沉积一层发射层；正、背面电极的形成：用溅射工艺在电池的正、背面形成电极；最后进行真空热退火工艺。本发明薄膜具有光照稳定性，在AM1.5，100mW/cm2标准光强下，获得的硅薄膜的光电导增益可达106，基于此薄膜的非晶硅和晶硅异质结太阳电池的效率达12.5％。
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公开(公告)号：CN105977317B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201610550956.8
申请日：2016-07-13
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种铜铟镓硒太阳电池吸收层的制备方法，包括：步骤一，在基底上制备一层In‑Se化合物层；步骤二，在所述In‑Se化合物层上制备Cu‑In‑Ga层，得到预制层为In‑Se/Cu‑In‑Ga的双层预制层；步骤三，将所述双层预制层进行硒化热处理，得到铜铟镓硒吸收层。本发明制备的铜铟镓硒太阳电池吸收层可以促进铜铟镓硒吸收层背表面处的晶粒生长，同时调节吸收层的带隙结构，从而提高铜铟镓硒太阳电池的开路电压、填充因子和转化效率。
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公开(公告)号：CN1216284C
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN03114762.3
申请日：2003-01-07
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种多晶硅太阳能电池转换效率的测试方法属于半导体材料应用领域。本发明的方法为：测量多晶硅太阳能电池在红外至可见光波段范围内的透射光谱；用理论透射率公式拟合实验结果，得到多晶硅太阳能电池的带尾能量等物理参数；实验测量多晶硅太阳能电池的转换效率η，并将其与不同多晶硅太阳能电池样品带尾能量EU结合，得到两者之间的线性关系式；本发明可以在免去制作测量引线的情况下直接得到多晶硅太阳能电池的转换效率，还可以得到可靠的多晶硅太阳能电池的微观参数用以指导工艺的改进，因此具有简单、方便、准确度高、实用性强的特点。
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公开(公告)号：CN105977317A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610550956.8
申请日：2016-07-13
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/0322 , H01L31/03923
Abstract: 本发明公开了一种铜铟镓硒太阳电池吸收层的制备方法，包括：步骤一，在基底上制备一层In‑Se化合物层；步骤二，在所述In‑Se化合物层上制备Cu‑In‑Ga层，得到预制层为In‑Se/Cu‑In‑Ga的双层预制层；步骤三，将所述双层预制层进行硒化热处理，得到铜铟镓硒吸收层。本发明制备的铜铟镓硒太阳电池吸收层可以促进铜铟镓硒吸收层背表面处的晶粒生长，同时调节吸收层的带隙结构，从而提高铜铟镓硒太阳电池的开路电压、填充因子和转化效率。
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