公开(公告)号：CN116133428A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202310113918.6

申请日：2023-02-14

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 司梦维 ,  唐伟 ,  王子恒 ,  林志予

IPC: H10B12/00

Abstract: 本发明涉及一种单片三维集成无电容动态随机存储装置及其形成方法。所述单片三维集成无电容动态随机存储装置包括衬底和存储单元；存储单元包括第一晶体管、位于第一晶体管上方的第二晶体管、以及互连结构；第一晶体管包括第一源极、第一漏极、第一半导体层和第一栅极，第一源极、第一漏极和第一半导体层均位于衬底的顶面，第一栅极沿第二方向位于第一半导体层上方；第二晶体管包括第二源极、第二漏极、第二半导体层和第二栅极，第二源极、第二漏极和第二半导体层均位于第二栅极上方；互连结构的一端与第一栅极电连接、另一端与第二漏极电连接。本发明能够明显提升晶体管集成度和存储密度，降低DRAM中存储单元的尺寸。

公开(公告)号：CN115566024A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202211329111.8

申请日：2022-10-27

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 唐伟 ,  司梦维 ,  郭小军 ,  王子恒 ,  林志予

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明中的单片三维集成半导体结构包括互补型场效应晶体管单元；互补型场效应晶体管单元包括衬底、位于衬底上的第一晶体管、位于第一晶体管上方的第二晶体管、以及第一互连结构和第二互连结构；其中，第一晶体管包括第一源极、第一漏极、P型半导体层和第一栅极，第一栅极沿第二方向位于P型半导体层上方；第二晶体管包括第二源极、第二漏极、N型半导体层和第二栅极，第二栅极沿第二方向位于N型半导体层下方；第一互连结构电连接第一栅极和第二栅极；第二互连结构电连接第一漏极和第二漏极。本发明提升了互补场效应晶体管单元的集成度，降低了互补型场效应晶体管单元的尺寸，且改进半导体结构的性能。