一种化学气相沉积装置以及高厚度Parylene-N膜的制备方法

    公开(公告)号:CN115463803A

    公开(公告)日:2022-12-13

    申请号:CN202111532888.X

    申请日:2021-12-15

    IPC分类号: B05D1/00 B05C11/10 B05C9/02

    摘要: 本发明提供一种化学气相沉积装置以及高厚度Parylene‑N膜的制备方法,该装置包括通过管道依次相连的蒸发室、裂解炉、沉积室和冷阱;所述冷阱通过真空泵与所述沉积室连通;所述沉积室的底部设有用于与所述冷阱连通的连通口,所述连通口处设有节流片,所述节流片用于调节所述连通口的大小;所述沉积室内还设有降温平台,所述降温平台位于所述沉积室的腔室底部,所述降温平台用于降低衬底的温度。本发明的高厚度Parylene‑N膜的制备方法,使用该装置,并通过控制裂解温度和沉积压力等参数,可以实现微米级别的Parylene‑N膜的快速沉积,且只需要在常见的Parylene沉积设备上进行改进和调节参数即可实现,有利于减少制造成本。

    双环形环绕圆形振动膜的压电MEMS扬声器及制备方法

    公开(公告)号:CN112637748B

    公开(公告)日:2022-04-26

    申请号:CN202011534438.X

    申请日:2020-12-22

    发明人: 刘景全 王淇 阮涛

    IPC分类号: H04R19/00 H04R19/02 H04R31/00

    摘要: 本发明提供一种双环形环绕圆形振动膜结构的压电MEMS扬声器及其制备方法,包括:由第一电极层、压电层、第二电极以及致动层构成振动膜层;振动膜层设有圆形振动膜、第一环形振动膜及第二环形振动膜;圆形振动膜位于振动膜层的中心位置,第一环形振动膜套设于圆形振动膜的外层;第二环形振动膜套设于第一环形振动膜的外层;圆形振动膜与第一环形振动膜之间设有第一沟槽间隙;第一环形振动膜与第二环形振动膜之间设有第二沟槽间隙;圆形振动膜、第一、第二环形振动膜通过支撑梁连接;基底的背面设有背部腔;背部腔与第一、第二沟槽间隙连通。本发明在一整体单元上分布三个不同共振频率的振动膜,完全覆盖人耳能听到的20‑20000Hz频率范围,达到商业应用的声压级。

    一种化学气相沉积装置以及高厚度Parylene-N膜的制备方法

    公开(公告)号:CN115463803B

    公开(公告)日:2023-09-22

    申请号:CN202111532888.X

    申请日:2021-12-15

    IPC分类号: B05D1/00 B05C11/10 B05C9/02

    摘要: 本发明提供一种化学气相沉积装置以及高厚度Parylene‑N膜的制备方法,该装置包括通过管道依次相连的蒸发室、裂解炉、沉积室和冷阱;所述冷阱通过真空泵与所述沉积室连通;所述沉积室的底部设有用于与所述冷阱连通的连通口,所述连通口处设有节流片,所述节流片用于调节所述连通口的大小;所述沉积室内还设有降温平台,所述降温平台位于所述沉积室的腔室底部,所述降温平台用于降低衬底的温度。本发明的高厚度Parylene‑N膜的制备方法,使用该装置,并通过控制裂解温度和沉积压力等参数,可以实现微米级别的Parylene‑N膜的快速沉积,且只需要在常见的Parylene沉积设备上进行改进和调节参数即可实现,有利于减少制造成本。

    一种植入式压电MEMS超声换能器及其制备方法

    公开(公告)号:CN112870562A

    公开(公告)日:2021-06-01

    申请号:CN202110012155.7

    申请日:2021-01-06

    IPC分类号: A61N7/00

    摘要: 本发明提供一种植入式压电MEMS超声换能器及其制备方法,包括:设有压电MEMS超声换能器单元阵列的压电MEMS超声换能器基片,通过后端电路控制压电MEMS超声换能器单元阵列进行三维超声聚焦,实现对颅内的指定位置或多个位置进行聚焦超声刺激和超声成像;用于将压电MEMS超声换能器基片植入颅内的植入衬底;植入衬底的上面与压电MEMS超声换能器基片的底面键合在一起;植入衬底上表面设有多个用于采集脑电信号的采集电极,采集电极分布于压电MEMS超声换能器基片两侧;根据采集电极采集的脑电信号和反射的超声波,判断是否达到刺激效果。本发明实现植入式三维空间的超声聚焦刺激,刺激效果好;同时实现三维空间的超声成像,从而可分析刺激效果。

    双环形环绕圆形振动膜的压电MEMS扬声器及制备方法

    公开(公告)号:CN112637748A

    公开(公告)日:2021-04-09

    申请号:CN202011534438.X

    申请日:2020-12-22

    发明人: 刘景全 王淇 阮涛

    IPC分类号: H04R19/00 H04R19/02 H04R31/00

    摘要: 本发明提供一种双环形环绕圆形振动膜结构的压电MEMS扬声器及其制备方法,包括:由第一电极层、压电层、第二电极以及致动层构成振动膜层;振动膜层设有圆形振动膜、第一环形振动膜及第二环形振动膜;圆形振动膜位于振动膜层的中心位置,第一环形振动膜套设于圆形振动膜的外层;第二环形振动膜套设于第一环形振动膜的外层;圆形振动膜与第一环形振动膜之间设有第一沟槽间隙;第一环形振动膜与第二环形振动膜之间设有第二沟槽间隙;圆形振动膜、第一、第二环形振动膜通过支撑梁连接;基底的背面设有背部腔;背部腔与第一、第二沟槽间隙连通。本发明在一整体单元上分布三个不同共振频率的振动膜,完全覆盖人耳能听到的20‑20000Hz频率范围,达到商业应用的声压级。

    仿耳蜗螺旋形振动膜的压电MEMS扬声器及制备方法

    公开(公告)号:CN112689227A

    公开(公告)日:2021-04-20

    申请号:CN202011534464.2

    申请日:2020-12-22

    发明人: 刘景全 王淇 阮涛

    IPC分类号: H04R19/02 H04R31/00

    摘要: 本发明提供一种仿耳蜗螺旋形振动膜结构的压电MEMS扬声器及其制备方法,包括:基底,基底的底部设有背部腔,背部腔的腔室呈仿耳蜗螺旋形;第一电极设置于基底的上表面,且第一电极与背部腔的腔室间隔致动层;压电层设置于第一电极的上表面;第二电极设置于压电层上;由致动层、第一电极、压电层及第二电极构成仿耳蜗螺旋形振动膜,且仿耳蜗螺旋形振动膜与背部腔的位置上下对应且形状相匹配。本发明实现了在一个仿耳蜗螺旋形腔室结构上,有多个共振频率覆盖在20Hz‑20000Hz之间的高声压级压电MEMS扬声器;仿耳蜗螺旋形振动膜完全覆盖了人耳能够听到的音频范围,能达到足够满足商业应用的声压级,可用于手机扬声器,耳机,助听器等可穿戴电子设备。

    双锥对撞点火方案中调制球壳靶及其制备方法

    公开(公告)号:CN117542547A

    公开(公告)日:2024-02-09

    申请号:CN202311560316.1

    申请日:2023-11-22

    IPC分类号: G21B1/19

    摘要: 本发明提供一种双锥对撞点火方案中调制球壳靶及其制备方法,所述方法包括:提供网孔板,网孔板具有多个微孔;在微孔中放置具有预设三维形状的微模具,并将微模具固定于网孔板上;在网孔板放置微模具的表面制作牺牲层;在牺牲层的表面制作聚合物薄膜;采用激光切割的方法对聚合物薄膜进行环形切割;去除牺牲层,得到具备预设三维形状的调制球壳靶。本发明调制球壳靶的表面结构可根据物理实验的需求而灵活多样,并且采用牺牲层的思想简化了球壳剥离过程;本发明对于双锥对撞点火方案中靶的制作提供了可靠的技术线路,满足了点火实验对各个结构参数靶的灵活需求和批量化生产要求,还可以提高调制球壳靶的制作成功率和制作速度。

    双锥对撞点火中CD-CH复合聚合物球冠及其制备方法

    公开(公告)号:CN115971676A

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN202211652770.5

    申请日:2022-12-16

    摘要: 本发明提供一种双锥对撞点火中CD‑CH复合聚合物球冠及其制备方法,制备方法包括:采用微流控方法制备CD聚合物空心球;于所述CD聚合物空心球上沉积一层CH薄膜,形成CD‑CH复合聚合物空心球;采用激光留尾切割的方法对所述CD‑CH复合聚合物空心球进行切割;用端部尖锐的工具沿切割轮廓拨开,将切割后的CD‑CH复合聚合物球冠从所述CD‑CH复合聚合物空心球上剥离,得到双锥对撞点火中CD‑CH复合聚合物球冠。本发明解决了CD‑CH复合聚合物球冠制备中CH层厚度难以精确控制、切割球冠和取样难度大的问题,实现了高精度及可批量制备CD‑CH复合聚合物球冠。

    一种植入式压电MEMS超声换能器及其制备方法

    公开(公告)号:CN112870562B

    公开(公告)日:2022-05-17

    申请号:CN202110012155.7

    申请日:2021-01-06

    IPC分类号: B06B1/06 A61N7/00

    摘要: 本发明提供一种植入式压电MEMS超声换能器及其制备方法,包括:设有压电MEMS超声换能器单元阵列的压电MEMS超声换能器基片,通过后端电路控制压电MEMS超声换能器单元阵列进行三维超声聚焦,实现对颅内的指定位置或多个位置进行聚焦超声刺激和超声成像;用于将压电MEMS超声换能器基片植入颅内的植入衬底;植入衬底的上面与压电MEMS超声换能器基片的底面键合在一起;植入衬底上表面设有多个用于采集脑电信号的采集电极,采集电极分布于压电MEMS超声换能器基片两侧;根据采集电极采集的脑电信号和反射的超声波,判断是否达到刺激效果。本发明实现植入式三维空间的超声聚焦刺激,刺激效果好;同时实现三维空间的超声成像,从而可分析刺激效果。

    仿郎之万振子的压电MEMS超声换能器及其制备方法

    公开(公告)号:CN116809363A

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202211022991.4

    申请日:2022-08-25

    IPC分类号: B06B1/06

    摘要: 本发明提供一种仿郎之万振子的压电MEMS超声换能器及其制备方法,包括由下至上依次设置的第一硅层、第一电极层、压电层、第二电极层和第二硅层;其中:第一硅层上设有多个阵列单元,阵列单元之间通过沟槽隔开,沟槽贯穿压电层和第二电极层,第二电极层通过沟槽被划分为多个第二电极层单元;第二硅层包括多个呈台阶状的凸起结构,凸起结构分别位于第二电极层单元上;凸起结构包括同轴设置的上层第二硅层和下层第二硅层,上层第二硅层远离第二电极层单元;上层第二硅层的面积小于下层第二硅层的面积。本发明实现了仿郎之万振子的d33振动模态,本发明的压电MEMS超声换能器可以用于心内血管成像、指纹识别等小尺寸高精度的场合。