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公开(公告)号：CN118563401A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410617477.8
申请日：2024-05-17
申请人： 上海交通大学 , 安徽聚芯智造科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种硼掺杂金刚石涂层刀具的电化学抛光方法，包括以下步骤：将硬质合金刀具进行酸碱两步法和超声植晶预处理，处理后采用HFCVD法在刀具表面沉积一层硼掺杂金刚石涂层，沉积后将硼掺杂金刚石涂层刀具放入等离子体环境中进行表面H悬挂键处理，处理后将硼掺杂金刚石涂层刀具放入电化学系统中进行阳极电化学抛光，电化学溶液为醋酸、硫酸和高氯酸的混合溶液，阴极为Pt电极，抛光后将刀具放入丙酮溶液中超声清洗并用氮气吹干。本发明可对不同规格尺寸的硼掺杂金刚石涂层刀具进行表面抛光，有效降低亚表面损伤，显著提高表面光洁度，进一步提高金刚石涂层刀具在精密加工中的加工精度和使用寿命。
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公开(公告)号：CN118241308A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410292978.3
申请日：2024-03-14
申请人： 上海交通大学 , 上海东贝真空设备有限公司
摘要： 本发明公开了一种单晶金刚石毛坯的批量化快速生长方法，包括以下步骤：将单晶金刚石籽晶进行机械研磨抛光，对抛光后的单晶金刚石进行丙酮和去离子水超声清洗并使用氮气吹干，采用等离子体刻蚀单晶金刚石表面。然后，将单晶金刚石籽晶放入HFCVD反应腔中进行外延生长，未掺杂单晶金刚石毛坯生长过程采用氢气和甲烷为反应前驱体，硼掺杂单晶金刚石毛坯生长过程采用氢气和硼掺杂丙酮为前驱体，可在不同尺寸的单晶金刚石籽晶表面均匀外延生长单晶金刚石。本发明能够获得生长尺寸可控、可通过硼掺杂浓度调节生长速率、单晶金刚石籽晶尺寸自由调节且单批次生长数量多的单晶金刚石毛坯，显著降低生产成本，促进单晶金刚石的工业化应用。
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公开(公告)号：CN115643506A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211265641.0
申请日：2022-10-17
申请人： 上海交通大学
IPC分类号： H04Q11/00 , H04B10/075 , H04Q1/10 , G02B6/38 , H04B10/079
摘要： 本发明公开了一种光口退化分析方法，包括：步骤1：获取光纤存储交换机数据，包括需要执行退化分析的设备范围，所使用的光口型号和参数，不同光口的报警阈值；步骤2：获取光口的监控数据；步骤3：缓存光口数据；步骤4：基于动态贝叶斯算法对各个光口执行退化分析，进而获得所述各个光口距离故障发生所剩余的时间；步骤5：输出分析数据。本发明基于贝叶斯解决了光纤通讯中继设备的光纤端口功率退化性分析问题，充分提取已有数据所包含的信息，精确拟合实际退化路径，使得模型很好地描述光口功率的退化趋势，从而得到精确的故障诊断和剩余可使用寿命的估计结果，为该类问题的退化建模和剩余可使用寿命的预测提供了新思路。
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公开(公告)号：CN115545318A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211254141.7
申请日：2022-10-13
申请人： 上海交通大学
IPC分类号： G06Q10/04 , G06N5/04 , G06F16/215
摘要： 本发明公开了一种光纤端口发光功率衰减趋势预测方法，包括：步骤1：获取光纤存储交换机数据，确定需要分析的光纤存储交换机设备范围；步骤2：获取所述设备范围内的所述光纤存储交换机的状态和监控数据，以及光纤端口状态和监控数据；步骤3：进行衰减趋势预测分析；步骤4：输出分析数据。本发明可以对发光功率衰退趋势进行预测，对异常情况提前报警，防止数据传输异常。
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公开(公告)号：CN118377423A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410520537.4
申请日：2024-04-26
申请人： 联想(北京)有限公司 , 上海交通大学
IPC分类号： G06F3/06 , G06F18/22 , G06F18/23213 , G06F18/243
摘要： 本申请公开了一种存储系统的扩容处理方法、装置及电子设备，所述方法包括：获得所述存储系统的存储状态信息，所述存储状态信息至少包括：至少两个历史时刻对应的第一使用量；根据所述至少两个历史时刻对应的第一使用量，确定所述存储系统在至少一个未来时刻对应的第二使用量；每个所述未来时刻分别对应于至少一个所述第二使用量；根据所述第二使用量，利用目标模型，确定所述第二使用量对应的扩容信息，所述扩容信息至少包括：扩容设备的设备信息；基于所述扩容信息，对所述存储系统进行扩容。
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