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公开(公告)号：CN101937870A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200910057525.8
申请日：2009-06-30
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
发明人： 曾林华
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明公开了一种单大马士革工艺集成方法，包含如下步骤：(1)在氮化硅膜上淀积金属层间膜；(2)线槽光刻形成线槽图形；(3)线槽刻蚀，光刻胶去除；(4)全面淀积金属，形成金属连线；(5)化学机械抛光磨平金属；(6)金属层间膜去除，留下金属连线；(7)全面淀积低介电常数金属层间膜；(8)化学机械抛光磨平低介电常数金属层间膜。该方法能避免低介电常数金属层间膜在工艺流程中受到氧气等离子体损伤导致介电常数增加，从而提高器件性能。
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公开(公告)号：CN101441407B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200710094242.1
申请日：2007-11-19
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： G03F1/72
摘要： 本发明公开了一种光刻尺寸超规格的修正刻蚀方法，用于光刻尺寸超规格产生光刻尺寸偏差时，进一步刻蚀衬底上的主介质膜，达到设定的主介质膜线宽，其中主介质膜上有刻蚀阻挡层，刻蚀阻挡层上涂有光刻胶；具体包括如下步骤：(1)根据光刻尺寸偏差计算刻蚀阻挡层的刻蚀断面角度修正值；(2)根据刻蚀阻挡层的刻蚀断面角度修正值，通过改变刻蚀参数调整刻蚀阻挡层的刻蚀断面角度；(3)进一步刻蚀主介质膜，得到设定的主介质膜线宽。因为本发明用上述方法改变了光刻尺寸超规格后需要返工作业的工艺流程，经过修正后仍可得到设定的主介质膜线宽，进而可以大幅度增加光刻工艺窗口，减少因光刻线宽超规格的返工，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN101740374A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810043915.5
申请日：2008-11-11
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： H01L21/311
摘要： 本发明公开了一种刻蚀10μm以上介质层的方法，第1步，在介质层上涂光刻胶，曝光显影后去除介质层的刻蚀窗口上方的光刻胶，保留其余部分的光刻胶；第2步，以各向异性刻蚀工艺刻蚀介质层，在刻蚀窗口刻蚀掉1/5～1/3厚度的介质层；第3步，以各向同性刻蚀工艺刻蚀介质层，在刻蚀窗口进一步刻蚀掉1/3～3/5厚度的介质层；第4步，去除光刻胶和聚合物；第5步，重复第1步；第6步，以各向异性刻蚀工艺刻蚀介质层，在刻蚀窗口再进一步刻蚀掉1/5～1/3厚度的介质层，直至露出介质层的下一层；第7步，去除光刻胶和聚合物。本发明可以刻蚀10μm以上的介质层。
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公开(公告)号：CN101937869B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200910057522.4
申请日：2009-06-30
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
发明人： 曾林华
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明公开了一种无介质膜栅栏残留风险的大马士革工艺集成方法，包含如下步骤：(1)在衬底上依次沉积底部刻蚀停止层、第一层介质膜、中间刻蚀停止层和第二层介质膜；然后光刻形成通孔图形，在第二层介质膜上形成抗反射层和光刻胶；(2)通孔刻蚀停在底部刻蚀停止层上；(3)光刻形成线槽图形；(4)第一次线槽刻蚀，刻掉抗反射层和部分第二层介质膜；(5)光刻胶去除；(6)光刻胶涂布，填充通孔以及已经刻开的线槽；(7)光刻胶回刻到中间刻蚀停止层以下；(8)第二次线槽刻蚀，刻掉剩余的第二层介质膜，停在中间刻蚀停止层上，去除光刻胶；(9)通孔中的底部刻蚀停止层去除。本发明没有介质膜栅栏残留风险，且工艺窗口较大。
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公开(公告)号：CN101937869A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200910057522.4
申请日：2009-06-30
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
发明人： 曾林华
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明公开了一种无介质膜栅栏残留风险的大马士革工艺集成方法，包含如下步骤：(1)在衬底上依次沉积底部刻蚀停止层、第一层介质膜、中间刻蚀停止层和第二层介质膜；然后光刻形成通孔图形，在第二层介质膜上形成抗反射层和光刻胶；(2)通孔刻蚀停在底部刻蚀停止层上；(3)光刻形成线槽图形；(4)第一次线槽刻蚀，刻掉抗反射层和部分第二层介质膜；(5)光刻胶去除；(6)光刻胶涂布，填充通孔以及已经刻开的线槽；(7)光刻胶回刻到中间刻蚀停止层以下；(8)第二次线槽刻蚀，刻掉剩余的第二层介质膜，停在中间刻蚀停止层上，去除光刻胶；(9)通孔中的底部刻蚀停止层去除。本发明没有介质膜栅栏残留风险，且工艺窗口较大。
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公开(公告)号：CN101441407A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200710094242.1
申请日：2007-11-19
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： G03F1/14
摘要： 本发明公开了一种光刻尺寸超规格的修正刻蚀方法，用于光刻尺寸超规格产生光刻尺寸偏差时，进一步刻蚀衬底上的主介质膜，达到设定的主介质膜线宽，其中主介质膜上有刻蚀阻挡层，刻蚀阻挡层上涂有光刻胶；具体包括如下步骤：(1)根据光刻尺寸偏差计算刻蚀阻挡层的刻蚀断面角度修正值；(2)根据刻蚀阻挡层的刻蚀断面角度修正值，通过改变刻蚀参数调整刻蚀阻挡层的刻蚀断面角度；(3)进一步刻蚀主介质膜，得到设定的主介质膜线宽。因为本发明用上述方法改变了光刻尺寸超规格后需要返工作业的工艺流程，经过修正后仍可得到设定的主介质膜线宽，进而可以大幅度增加光刻工艺窗口，减少因光刻线宽超规格的返工，降低生产成本。
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