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公开(公告)号：CN101851511A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010185691.9
申请日：2010-05-26
Applicant: 上海大学
IPC: C09K11/88
Abstract: 本发明涉及一种碲化镉/硫化镉/硫化锌量子点的合成方法，其内核为碲化镉量子点，再依次包覆硫化镉、硫化锌。该量子点的合成方法是：首先，通过巯基水解制备出具有优异荧光特性的碲化镉量子点；然后，向反应生成的碲化镉溶液中加入一定浓度的硫脲，利用硫脲缓慢水解和光解释放出自由硫离子与碲化镉量子点表面存在的镉离子悬键成键，在其表面生成一层很薄的硫化镉壳层；最后，向核壳结构的碲化镉/硫化镉量子点中加入醋酸锌溶液、硫化钠溶液，聚四氟乙烯消化罐水热生长形成碲化镉/硫化镉/硫化锌量子点。本量子点荧光强度高、稳定性好、量子产率高、生物毒性低，有望替代传统有机染料应用到生物标记领域。本合成方法简单方便、成本低廉、可操作性强。
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公开(公告)号：CN101881809B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201010215748.5
申请日：2010-06-29
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种20倍聚光电池的测量系统装置，属于太阳能电池测试方法技术领域。本发明的20倍聚光太阳电池测试系统装置是利用传统的商业化太阳电池测试仪的光源和测量部件，加装了经过设计的聚光单元，改造了电接触部分，由铜板平行接触与电池电极相连。组成了能够测量20倍标准以下聚光电池的测量仪。
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公开(公告)号：CN101975815A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010290733.5
申请日：2010-09-21
Applicant: 上海大学
IPC: G01N27/60
Abstract: 本发明涉及一种测量太阳级晶硅中复合中心浓度和陷阱中心浓度的方法，属于光伏半导体材料性质参数测量方法领域。本发明的测量方法是利用瞬态微波光电导少子寿命测试仪间接测量硅片的复合中心浓度和陷阱中心浓度。本发明的方法是：将硅片进行表面钝化，利用瞬态微波光电导少子寿命测试仪测量硅片的少子寿命及微波光电导瞬态电压信号的时间变化特性。由于少子寿命是辐射复合、俄歇复合和间接复合共同作用的结果，当激发光为高注入时，利用已知的注入水平和相关复合参数，建立少子寿命与复合中心浓度的关系，由此得到硅片中的复合中心浓度。利用瞬态电压信号的时间变化特性与非平衡载流子浓度的时间衰减特性的关系，得到非平衡载流子浓度随时间的衰减曲线。结合非平衡载流子时间衰减特性曲线和陷阱模型表达式，利用MATLAB软件进行数值拟合可以得到陷阱中心的浓度。
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公开(公告)号：CN101881809A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010215748.5
申请日：2010-06-29
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种20倍聚光电池的测量系统装置，属于太阳能电池测试方法技术领域。本发明的20倍聚光太阳电池测试系统装置是利用传统的商业化太阳电池测试仪的光源和测量部件，加装了经过设计的聚光单元，改造了电接触部分，由铜板平行接触与电池电极相连。组成了能够测量20倍标准以下聚光电池的测量仪。
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