公开(公告)号：CN118241314A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410526089.9

申请日：2024-04-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 刘昊 ,  张继军 ,  刘皖平 ,  位炯炯

IPC: C30B29/46 ,  C30B11/00

Abstract: 本发明涉及一种CdZnTe晶体生长界面改善系统及方法，所述改善系统包括炉膛(1)和套设于炉膛(1)外侧的加热模块(2)；所述炉膛(1)沿其轴向分为中部炉膛(11)和端部炉膛(12)，加热模块(2)包括与中部炉膛(11)对应的中部加热模块(21)以及与端部炉膛(12)对应的端部加热模块(22)；所述中部加热模块(21)内还设有能通入交变电流的激励线圈(3)。与现有技术相比，本发明可以在移动加热器法的使用过程中通过电磁搅拌的方式促进Te溶液对流，以此改善CdZnTe晶体生长界面，获得高质量CdZnTe单晶。

公开(公告)号：CN117684250A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202410024933.8

申请日：2024-01-08

Applicant: 上海大学

Inventor： 祁永武 ,  张继军 ,  位炯炯 ,  刘皖平

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/48

Abstract: 本发明涉及一种实现窄峰型温场生长CdZnTe单晶体的装置及方法，装置包括炉膛、加热模块、保温模块和测温模块；所述炉膛内设有用于放置CdZnTe多晶体的支撑杆；加热模块设于炉膛外侧，加热模块沿炉膛轴向分为中部加热模块和端部加热模块，CdZnTe多晶体置于中部加热模块对应辐射的区域；保温模块包括与中部加热模块和端部加热模块分别对应的中部保温模块和端部保温模块；其中，端部保温模块位于端部加热模块外侧；中部保温模块围绕中部加热模块设置并在中部加热模块和炉膛之间开设供中部加热模块热辐射的加热窗口；中部加热模块和端部加热模块均连接测温模块。与现有技术相比，本发明可以实现可调控的窄峰型温场，从而生长高质量的CdZnTe单晶体。