公开(公告)号：CN104851798A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510144917.3

申请日：2015-03-31

申请人： 上海大学

发明人： 史伟民 ,  明秀春 ,  诸舜杰 ,  李雪萍 ,  刘建 ,  匡华慧 ,  黄璐

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/56

摘要： 本发明涉及一种解决聚酰亚胺(Polyimide)剥离以改善高压大功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)而在其背面进行炉管退火的工艺方法， IGBT的Polyimide工艺通常包括：Polyimide有机物通过旋转涂覆在正面再经光刻把窗口打开。接着进行背面工艺：硅片减薄与表面处理、背面离子注入、离子退火、背面蒸金与退火等工艺。本发明主要针对IGBT背面工艺离子注入退火、背面金属退火工艺中提出了炉管温度分多段升降温，提高炉管真空，在正式生产片周围合理放置一定数量陪片的工艺，能解决Polyimide脱落的问题，在高压大功率IGBT等功率器件工艺中，具有十分重要的意义。

公开(公告)号：CN104851798B

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201510144917.3

申请日：2015-03-31

申请人： 上海大学

发明人： 史伟民 ,  明秀春 ,  诸舜杰 ,  李雪萍 ,  刘建 ,  匡华慧 ,  黄璐

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/56

摘要： 本发明涉及一种解决聚酰亚胺(Polyimide)剥离以改善高压大功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)而在其背面进行炉管退火的工艺方法，IGBT的Polyimide工艺通常包括：Polyimide有机物通过旋转涂覆在正面再经光刻把窗口打开。接着进行背面工艺：硅片减薄与表面处理、背面离子注入、离子退火、背面蒸金与退火等工艺。本发明主要针对IGBT背面工艺离子注入退火、背面金属退火工艺中提出了炉管温度分多段升降温，提高炉管真空，在正式生产片周围合理放置一定数量陪片的工艺，能解决Polyimide脱落的问题，在高压大功率IGBT等功率器件工艺中，具有十分重要的意义。